专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI673761B 摻雜半導體基板的方法及沈積含硼及碳的膜的方法有权
简体标题：掺杂半导体基板的方法及沉积含硼及碳的膜的方法
公开(公告)号：TWI673761B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW105109098
申请日：2016-03-24
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：波爾維爾傑米 J. , PORE, VILJAMI J. , 木村祥亮 , KIMURA, YOSUKE , 難波邦年 , NAMBA, KUNITOSHI , 安達渉 , ADACHI, WATARU , 福田秀明 , FUKUDA, HIDEAKI , 納盆維爾納 , KNAEPEN, WERNER , 皮耶賀迪特爾 , PIERREUX, DIETER , 宗補羅度伯特 , JONGBLOED, BERT
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455

2. 发明专利

TW201637073A 摻雜半導體基板的方法及沈積含硼及碳的膜的方法审中-公开
简体标题：掺杂半导体基板的方法及沉积含硼及碳的膜的方法
公开(公告)号：TW201637073A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105109098
申请日：2016-03-24
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：波爾維爾傑米 J. , PORE, VILJAMI J. , 木村祥亮 , KIMURA, YOSUKE , 難波邦年 , NAMBA, KUNITOSHI , 安達渉 , ADACHI, WATARU , 福田秀明 , FUKUDA, HIDEAKI , 納盆維爾納 , KNAEPEN, WERNER , 皮耶賀迪特爾 , PIERREUX, DIETER , 宗補羅度伯特 , JONGBLOED, BERT
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455
摘要：本發明提供沈積含硼及碳的膜的方法。在某些實施例中，提供沈積具有例如共形性及蝕刻速率等期望的性質的BC膜的方法。可在小於約400℃的溫度下在基板上分解一或多個含硼及/或碳的前驅物。含硼及碳的膜中的一或多者可具有小於約30埃的厚度。提供摻雜半導體基板的方法。摻雜半導體基板可包括：藉由在約300℃至約450℃的製程溫度下將基板暴露於氣相硼前驅物而在半導體基板上沈積硼及碳膜，其中硼前驅物包含硼、碳、及氫；以及在約800℃至約1200℃的溫度下對硼及碳膜進行退火。
简体摘要：本发明提供沉积含硼及碳的膜的方法。在某些实施例中，提供沉积具有例如共形性及蚀刻速率等期望的性质的BC膜的方法。可在小于约400℃的温度下在基板上分解一或多个含硼及/或碳的前驱物。含硼及碳的膜中的一或多者可具有小于约30埃的厚度。提供掺杂半导体基板的方法。掺杂半导体基板可包括：借由在约300℃至约450℃的制程温度下将基板暴露于气相硼前驱物而在半导体基板上沉积硼及碳膜，其中硼前驱物包含硼、碳、及氢；以及在约800℃至约1200℃的温度下对硼及碳膜进行退火。

3. 发明专利

TW201416484A 多個反應器平行轉換操作的方法审中-公开
简体标题：多个反应器平行转换操作的方法
公开(公告)号：TW201416484A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102127065
申请日：2013-07-29
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：安達渉 , ADACHI, WATARU , 河正石 , HA, JEONGSEOK
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45542 , Y10T137/0357
摘要：本發明揭示一種多個反應器平行轉換操作的方法，該方法包括：(i)以一恆定流率分別經由n個主要氣體管線向時將編號1至n的n個氣體連續供應至n個氣體埠，其中各主要氣體管線之分支氣體管線之一者處於一開啟狀態，致使該等相應反應器的流入率相等，及該等相應反應器的流出率相等；及(ii)在維持該等相應反應器的流入率及流出率時，同時關閉各主要氣體管線之該等分支氣體管線在該開啟狀態中之一者及開啟各主要氣體管線之該等分支氣體管線之另一者，致使平行地將不同編號的氣體連續供應至該等相應反應器而不改變該等反應器的流入率及流出率。
简体摘要：本发明揭示一种多个反应器平行转换操作的方法，该方法包括：(i)以一恒定流率分别经由n个主要气体管线向时将编号1至n的n个气体连续供应至n个气体端口，其中各主要气体管线之分支气体管线之一者处于一打开状态，致使该等相应反应器的流入率相等，及该等相应反应器的流出率相等；及(ii)在维持该等相应反应器的流入率及流出率时，同时关闭各主要气体管线之该等分支气体管线在该打开状态中之一者及打开各主要气体管线之该等分支气体管线之另一者，致使平行地将不同编号的气体连续供应至该等相应反应器而不改变该等反应器的流入率及流出率。

4. 发明专利

TW201608049A 穩定反應室壓力的方法审中-公开
简体标题：稳定反应室压力的方法
公开(公告)号：TW201608049A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104110326
申请日：2015-03-30
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：中野竜 , NAKANO, RYU , 安達涉 , ADACHI, WATARU
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45557 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , Y10T137/0396
摘要：本發明提供一種使用第一氣體和第二氣體在製程期間穩定反應室壓力的方法，其中進氣管線連接到該反應室，且第二氣體管線和第一氣體管線連接到該進氣管線另一端。該方法包括：透過該第一氣體管線和該進氣管線根據波形以脈衝進給第一氣體到該反應室；以及透過該第二氣體管線和該進氣管線根據反向波形以脈衝進給第二氣體到該反應室，其中該波形與反向波形之疊加波形實質上或接近平坦，從而穩定該反應室壓力。
简体摘要：本发明提供一种使用第一气体和第二气体在制程期间稳定反应室压力的方法，其中进气管线连接到该反应室，且第二气体管线和第一气体管线连接到该进气管线另一端。该方法包括：透过该第一气体管线和该进气管线根据波形以脉冲进给第一气体到该反应室；以及透过该第二气体管线和该进气管线根据反向波形以脉冲进给第二气体到该反应室，其中该波形与反向波形之叠加波形实质上或接近平坦，从而稳定该反应室压力。

5. 发明专利

TWI607112B 控制循環電漿輔助製程的方法有权
简体标题：控制循环等离子辅助制程的方法
公开(公告)号：TWI607112B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103105251
申请日：2014-02-18
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：大森拓 , OMORI, TAKU , 井上尚樹 , INOUE, NAOKI , 安達渉 , ADACHI, WATARU
IPC分类号： C23C16/52
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45536 , H01J37/32146 , H01J37/32935 , H01J37/32981 , H01J37/3299

6. 发明专利

TWI663283B 穩定反應室壓力的方法有权
简体标题：稳定反应室压力的方法
公开(公告)号：TWI663283B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW104110326
申请日：2015-03-30
申请人：美商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：中野竜 , NAKANO, RYU , 安達涉 , ADACHI, WATARU
IPC分类号： C23C16/455

7. 发明专利

TWI597382B 多個反應器平行轉換操作的方法有权
简体标题：多个反应器平行转换操作的方法
公开(公告)号：TWI597382B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW102127065
申请日：2013-07-29
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：安達渉 , ADACHI, WATARU , 河正石 , HA, JEONGSEOK
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45542 , Y10T137/0357

8. 发明专利

TW201447031A 控制循環電漿輔助製程的方法审中-公开
简体标题：控制循环等离子辅助制程的方法
公开(公告)号：TW201447031A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103105251
申请日：2014-02-18
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：大森拓 , OMORI, TAKU , 井上尚樹 , INOUE, NAOKI , 安達渉 , ADACHI, WATARU
IPC分类号： C23C16/52
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45536 , H01J37/32146 , H01J37/32935 , H01J37/32981 , H01J37/3299
摘要：本發明揭露一種在反應器中透過脈衝化RF功率處理基板的方法。該方法包括：在反應器中以脈衝方式應用RF功率處理一基板；監測來自該反應器代表RF功率之異常脈衝的資料，包括來自裝設在該反應器中一光感應器的資料；在已監測的該資料中計數RF功率之異常脈衝的數目；判定該RF功率之異常脈衝的數目是否為可接受的；及如果該RF功率之異常脈衝的數目被判定為不可接受時，啟始預先指定的一序列。
简体摘要：本发明揭露一种在反应器中透过脉冲化RF功率处理基板的方法。该方法包括：在反应器中以脉冲方式应用RF功率处理一基板；监测来自该反应器代表RF功率之异常脉冲的数据，包括来自装设在该反应器中一光感应器的数据；在已监测的该数据中计数RF功率之异常脉冲的数目；判定该RF功率之异常脉冲的数目是否为可接受的；及如果该RF功率之异常脉冲的数目被判定为不可接受时，启始预先指定的一串行。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式