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    • 1. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON MINIATURKÖRPERN ODER MIKROSTRUKTURIERTEN KÖRPERN
    • 方法和设备微型物体或微结构体生产
    • WO2004076101A2
    • 2004-09-10
    • PCT/EP2004/001892
    • 2004-02-26
    • 3D-MICROMAC AGEBERT, RobbyEXNER, HorstHARTWIG, LarsKEIPER, BerndKLÖTZER, SaschaREGENFUSS, Peter
    • EBERT, RobbyEXNER, HorstHARTWIG, LarsKEIPER, BerndKLÖTZER, SaschaREGENFUSS, Peter
    • B22F3/105
    • B22F5/003B22F3/1055B22F2003/1056B29C64/153Y02P10/295
    • Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Herstellung von Miniaturkörpern oder mikrostrukturierten Körpern auf einem Träger in einer Bearbeitungskammer mit Laserstrahlen mindestens eines Lasers innerhalb oder außerhalb der Bearbeitungskammer im Vakuum oder unter Schutzgas, wobei Laserstrahlen über die Oberfläche des Trägers mit Partikeln führbar sind. Die Miniaturkörper und die mikrostrukturierten Körper werden dabei aus schichtweise aufgebrachten Partikeln realisiert. Zwischen dem Träger und den Miniaturkörpern oder mikrostrukturierten Körpern befinden sich Abstandskörper, die gleichfalls aus schichtweise aufgebrachten Partikeln bestehen. Diese Abstandskörper werden mit dem Bestrahlen durch Laserstrahlen so hergestellt, dass Partikel partiell flächig, flächig oder linienförmig in der betreffenden Ebene zu kleine Kontaktbereichsstrukturen und Leerstellen aufweisenden, deshalb zerstörbaren und folglich von dem Träger und von den Miniaturkörpern oder mikrostrukturierten Körpern separierbaren Abstandskörpern sintern. Gleichzeitig bilden sich Abstandskörper mit einer statischen Festigkeit aus, so dass eine sichere Positionierung der Miniaturkörper oder mikrostrukturierten Körper auf dem Träger und/oder im Pulverbett gegeneinander gegeben ist.
    • 本发明涉及一种用于对由内或在真空下或在保护气体的处理室,其中,所述激光束被通过与颗粒上的基底的表面上的外部的至少一个激光器的激光束在一个处理室中的支撑生产微型体或微结构体的方法和装置。 微型机构和微结构体由沉积的颗粒层来实现。 是间隔元件,其同样由沉积在载体和微型体或微结构化机构之间的颗粒层。 这些间隔体通过辐照产生的激光束,使得具有局部平面形的,平面的或线性的方式在各自的平面内小的接触面积的结构和空隙,因此可破坏并烧结从而从支撑可分离和微型体或微结构体的间隔体颗粒。 在从本体形式的相同时间距离具有静态强度,使得载体和/或在粉末床的微型体或微结构体的可靠定位放置成抵靠彼此。
    • 2. 发明申请
    • ANLAGE UND VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN
    • 系统和方法掺杂半导体材料
    • WO2011073937A2
    • 2011-06-23
    • PCT/IB2010/055871
    • 2010-12-16
    • ROTH & RAU AGBÖHME, RicoHARTWIG, LarsEBERT, RobbyMÜLLER, Mathias
    • BÖHME, RicoHARTWIG, LarsEBERT, RobbyMÜLLER, Mathias
    • H01L21/67
    • B23K26/0676B23K26/0622B23K26/066B23K26/082B23K26/0821H01L21/223H01L21/2254H01L21/268H01L31/1804Y02E10/547Y02P70/521
    • Die Erfindung betrifft eine Anlage und ein Verfahren zur Dotierung von Substraten mit Laser, wobei bei dem Verfahren wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Laserdotierprozess bereitzustellen, der es erlaubt, Substrate in hoher Geschwindigkeit zu dotieren, dabei eine geringe Versetzungsdichte an der Substratoberfläche zu erzeugen, eine gute elektrische Aktivierung von Dotanten zu erreichen und darüber hinaus die Option zu bieten, bestimmte Bereiche gezielt höher zu dotieren. Diese Aufgabe wird durch eine Anlage zur Dotierung von Substraten mit Laser gelöst, wobei die Anlage wenigstens einen Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt und einer Scannereinheit aufweist, durch welche die Substratoberfläche mit einem Laserstrahl abrastbar ist, wobei das emittierte Licht des Faserlasers eine Wellenlänge im Bereich von 750 nm bis 3000 nm aufweist. Die Aufgabe wird ferner durch ein Verfahren zur Dotierung von Substraten gelöst, bei welchem wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt, wobei ein Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt erzeugt, welcher mit einer Scannereinheit über die Substratoberfläche geführt wird, wobei der Faserlaser Licht mit einer Wellenlänge von 750 nm bis 3000 nm ausstrahlt.
    • 本发明涉及一种用于使用激光和植物基底的掺杂方法,在该方法中至少一个掺杂剂与基板表面接触,并通过激光束进行的衬底表面的局部加热。 本发明的目的是提供一种Laserdotierprozess其允许在掺杂高速底物,从而产生在基板表面上的低位错密度,以实现掺杂剂的良好的电激活,并且还提供的某些选项 掺杂区目标较高。 这个目的是通过用于与激光衬底的掺杂的植物解决,所述设备包括至少一个光纤激光器具有圆形光束的横截面和一个扫描单元,通过该基底表面是abrastbar用激光束,其中所述光纤激光器的发射的光具有的波长的激光束 具有750纳米的范围内至3000nm。 该目的通过一种用于基板的掺杂方法,其中至少一个掺杂剂与基板表面,然后通过使用光纤激光器的激光束在衬底表面的局部加热接触产生具有圆形光束的横截面的激光束,其被提供有扫描仪单元进一步实现 被引导在衬底表面上,光纤激光器发射具有750纳米的波长的光至3000nm。
    • 3. 发明申请
    • ANLAGE UND VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN
    • WO2011073937A3
    • 2011-06-23
    • PCT/IB2010/055871
    • 2010-12-16
    • ROTH & RAU AGBÖHME, RicoHARTWIG, LarsEBERT, RobbyMÜLLER, Mathias
    • BÖHME, RicoHARTWIG, LarsEBERT, RobbyMÜLLER, Mathias
    • H01L21/268
    • Die Erfindung betrifft eine Anlage und ein Verfahren zur Dotierung von Substraten mit Laser, wobei bei dem Verfahren wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Laserdotierprozess bereitzustellen, der es erlaubt, Substrate in hoher Geschwindigkeit zu dotieren, dabei eine geringe Versetzungsdichte an der Substratoberfläche zu erzeugen, eine gute elektrische Aktivierung von Dotanten zu erreichen und darüber hinaus die Option zu bieten, bestimmte Bereiche gezielt höher zu dotieren. Diese Aufgabe wird durch eine Anlage zur Dotierung von Substraten mit Laser gelöst, wobei die Anlage wenigstens einen Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt und einer Scannereinheit aufweist, durch welche die Substratoberfläche mit einem Laserstrahl abrastbar ist, wobei das emittierte Licht des Faserlasers eine Wellenlänge im Bereich von 750 nm bis 3000 nm aufweist. Die Aufgabe wird ferner durch ein Verfahren zur Dotierung von Substraten gelöst, bei welchem wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt, wobei ein Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt erzeugt, welcher mit einer Scannereinheit über die Substratoberfläche geführt wird, wobei der Faserlaser Licht mit einer Wellenlänge von 750 nm bis 3000 nm ausstrahlt.
    • 4. 发明申请
    • ANLAGE UND VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN
    • WO2011073937A9
    • 2011-06-23
    • PCT/IB2010/055871
    • 2010-12-16
    • INNOLAS SYSTEMS GMBHBÖHME, RicoHARTWIG, LarsEBERT, RobbyMÜLLER, Mathias
    • BÖHME, RicoHARTWIG, LarsEBERT, RobbyMÜLLER, Mathias
    • H01L21/268
    • Die Erfindung betrifft eine Anlage und ein Verfahren zur Dotierung von Substraten mit Laser, wobei bei dem Verfahren wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Laserdotierprozess bereitzustellen, der es erlaubt, Substrate in hoher Geschwindigkeit zu dotieren, dabei eine geringe Versetzungsdichte an der Substratoberfläche zu erzeugen, eine gute elektrische Aktivierung von Dotanten zu erreichen und darüber hinaus die Option zu bieten, bestimmte Bereiche gezielt höher zu dotieren. Diese Aufgabe wird durch eine Anlage zur Dotierung von Substraten mit Laser gelöst, wobei die Anlage wenigstens einen Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt und einer Scannereinheit aufweist, durch welche die Substratoberfläche mit einem Laserstrahl abrastbar ist, wobei das emittierte Licht des Faserlasers eine Wellenlänge im Bereich von 750 nm bis 3000 nm aufweist. Die Aufgabe wird ferner durch ein Verfahren zur Dotierung von Substraten gelöst, bei welchem wenigstens ein Dotierstoff in Kontakt mit der Substratoberfläche ist und eine lokale Erwärmung der Substratoberfläche durch einen Laserstrahl erfolgt, wobei ein Faserlaser mit einem Laserstrahl mit rundem Strahlquerschnitt erzeugt, welcher mit einer Scannereinheit über die Substratoberfläche geführt wird, wobei der Faserlaser Licht mit einer Wellenlänge von 750 nm bis 3000 nm ausstrahlt.