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1. 发明授权

KR100669489B1 박막 테이프 제조장치 失效
标题翻译：制造薄膜胶带的装置
公开(公告)号：KR100669489B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020040043060
申请日：2004-06-11
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준
IPC分类号： H01B13/00 , H01B12/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 본 발명은 복제공정을 이용하여 에피택시 성장된 초전도 선재용 테이프를 제조하기 위한 제조장치에 관한 것으로, 루프 형상의 기본모재로부터 길이가 긴 테이프 형상의 초전도 선재를 제조하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 박막 테이프 제조장치는 원형 지지체의 상부면에 부착되어 양끝이 연결된 단결정의 기본모재를 회전시키기 위한 회전 구동부와, 기본모재의 상부면에 용매에 용해 가능한 분리층을 증착하기 위한 분리층 증착챔버와, 분리층의 상부에 박막을 증착하기 위한 증착챔버와, 기본모재의 상부면에 증착된 박막을 기본모재로부터 분리하여 박막 테이프를 만들기 위한 분리챔버와, 챔버들 사이에 구비된 적어도 하나의 버퍼챔버들로 구성되며, 상기 챔버들은 원형으로 배치되고, 상기 챔버들과 상기 버퍼챔버에는 기본모재가 통과할 수 있는 인입구와 배출구를 구비한다.
초전도체, 선재, 복제, 단결정, 용해, 분리

2. 发明公开

KR1020030020603A 저손실 박막 인덕터의 제조방법 失效
标题翻译：制造低损耗薄膜电感器的方法
公开(公告)号：KR1020030020603A
公开(公告)日：2003-03-10
申请号：KR1020010053990
申请日：2001-09-04
申请人： 한국전기연구원
发明人： 송재성 , 김인성 , 김현식 , 김형준 , 배석
IPC分类号： H01F27/245
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a low loss thin film inductor is provided to reduce coil loss of the inductor by increasing the thickness of the coil of the inductor, while allowing for an ease of manufacture. CONSTITUTION: A method comprises a first step of forming a soft magnetic layer(102) on a substrate(101); a second step of forming an insulating layer(103) on the soft magnetic layer; a third step of forming a seed layer(104) for an electro-plating on the insulating layer; a fourth step of forming a photoresist layer on the seed layer, and forming a pattern of a desired coil shape using the photoresist; and a fifth step of forming a coil portion(107) to the pattern of the coil shape through an electro-plating process; and a sixth step of removing the photoresist remaining around the coil portion formed in the fifth step, and attaching an upper magnetic film(109) on the resultant structure.
摘要翻译：目的：提供一种制造低损耗薄膜电感器的方法，以通过增加电感器线圈的厚度来减少电感器的线圈损耗，同时允许制造的容易性。构成：一种方法包括在衬底（101）上形成软磁层（102）的第一步骤; 在软磁性层上形成绝缘层（103）的第二步骤; 在绝缘层上形成用于电镀的种子层（104）的第三步骤; 在种子层上形成光致抗蚀剂层并使用光致抗蚀剂形成期望的线圈形状的图案的第四步骤; 以及通过电镀工艺形成线圈部分（107）到线圈形状图案的第五步骤; 以及第六步骤，除去残留在第五步骤中形成的线圈部分周围的光致抗蚀剂，并且在所得结构上附着上磁膜（109）。

3. 发明公开

KR1020050117822A 박막 테이프 제조장치 失效
标题翻译：制造薄膜胶带的装置
公开(公告)号：KR1020050117822A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：KR1020040043060
申请日：2004-06-11
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준
IPC分类号： H01B13/00 , H01B12/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 본 발명은 복제공정을 이용하여 에피택시 성장된 초전도 선재용 테이프를 제조하기 위한 제조장치에 관한 것으로, 루프 형상의 기본모재로부터 길이가 긴 테이프 형상의 초전도 선재를 제조하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 박막 테이프 제조장치는 원형 지지체의 상부면에 부착되어 양끝이 연결된 단결정의 기본모재를 회전시키기 위한 회전 구동부와, 기본모재의 상부면에 용매에 용해 가능한 분리층을 증착하기 위한 분리층 증착챔버와, 분리층의 상부에 박막을 증착하기 위한 증착챔버와, 기본모재의 상부면에 증착된 박막을 기본모재로부터 분리하여 박막 테이프를 만들기 위한 분리챔버와, 챔버들 사이에 구비된 적어도 하나의 버퍼챔버들로 구성되며, 상기 챔버들은 원형으로 배치되고, 상기 챔버들과 상기 버퍼챔버에는 기본모재가 통과할 수 있는 인입구와 배출구를 구비한다.

4. 发明公开

KR1020050114953A 금속 산화물 소자를 제조하는 방법 失效
标题翻译：金属氧化物制造方法
公开(公告)号：KR1020050114953A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：KR1020040040086
申请日：2004-06-02
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준
IPC分类号： H01L39/02 , H01B12/00
CPC分类号： C30B23/02 , C30B25/025 , C30B29/22 , H01L39/2422 , Y10S428/93 , Y10T29/49014
摘要： 본 발명은 복제공정을 이용하여 초전도층 성장된 초전도 선재를 제조하는 방법에 관한 것으로, 루프 형상의 기본모재로부터 길이가 긴 테이프 형상의 초전도 선재를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 산화물 소자의 제조방법은 단결정 또는 배향된 표면을 갖는 기본모재 상에 물에 용해 가능한 분리층을 형성하고 분리층의 상부에 초전도층을 형성하며, 초전도층의 상부에 지지층을 형성한 후 분리층을 물에 의한 용해 방법으로 제거하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 기본모재로부터 분리된 초전도층과 지지층으로 구성되고 기본모재의 결정성이 그대로 복제된 초전도 선재를 제조하는 것이 가능하다.

5. 发明授权

KR100496930B1 복제방법에 의한 초전도체의 제조방법 失效
标题翻译：使用复制法制造超导体的方法
公开(公告)号：KR100496930B1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020030017204
申请日：2003-03-19
申请人： 한국전기연구원
发明人： 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준 , 박찬
IPC分类号： H01B12/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 본 발명은 초전도체의 제조방법, 예컨대 복제방법에 의해 고온 초전도체 테이프를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, 루프 형태의 단결정 테이프를 기본 모재로 하여 용해성 분리층, 초전도층 및 지지층을 형성한 후 분리하여, 연속적 방법으로 긴 테이프를 얻는다. 본 발명의 방법에 의하면, 결정구조가 이상적으로 정렬된 기본 모재에서 연속적으로 복제함으로써 결함의 가능성이 원리적으로 배제되어 있다. 즉, 기본 모재의 완전성만큼 단결정이다. 또한, 초전도층과 금속 지지층이 직접 접촉되므로 과전류 우회경로가 이루어진다. 그리고, 지지층의 두께를 허용된 만 큼 줄일 수 있으며, 지지층 선택이 극히 자유로우므로 고강도 비자성 물질로 할 수 있다.

6. 发明授权

KR100430671B1 자기소자용 ＦｅＴａＮ계 연자성 박막의 제조방법 失效
标题翻译：更多资料来源于FeTaN계연자성박막의제조방법
公开(公告)号：KR100430671B1
公开(公告)日：2004-05-10
申请号：KR1020010055264
申请日：2001-09-08
申请人： 한국전기연구원
发明人： 송재성 , 민복기 , 김인성 , 김현식 , 김형준 , 신동훈
IPC分类号： H01F41/02
CPC分类号： H01F10/147
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a FeTaN softmagnetism thin film for magnetic devices is provided to increase the magnetic anisotropy by adding a Ti lower layer on the FeTaN softmagnetism thin film. CONSTITUTION: A substrate is provided at a position apart from a Ti target in order to form a thin film. The Ti target and the substrate are used as a cathode and an anode, respectively. A predetermined DC(Direct Current) power is applied between the Ti target and the substrate, to thereby form a Ti lower layer on the substrate through sputtering. After changing the Ti target into a Fe target, a plurality of Ta leaflets are placed on a surface of the Fe target. Then, a predetermined DC power is applied between the Fe target and the substrate under a predetermined gas pressure to form a FeTaN thin film on the Ti lower layer. The FeTaN thin film is post-heated to form a fine crystal within the FeTaN thin film.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造用于磁性器件的FeTaN软磁薄膜的方法，以通过在FeTaN软磁薄膜上添加Ti下层来增加磁各向异性。构成：为了形成薄膜，在离开Ti靶的位置提供衬底。 Ti靶和衬底分别用作阴极和阳极。在Ti靶和衬底之间施加预定的DC（直流）功率，从而通过溅射在衬底上形成Ti下层。在将Ti目标改变为Fe目标之后，将多个Ta小叶放置在Fe目标的表面上。然后，在预定的气压下，在Fe靶和衬底之间施加预定的DC功率，以在Ti下层上形成FeTaN薄膜。 FeTaN薄膜后加热以在FeTaN薄膜内形成精细晶体。

7. 发明授权

KR100618606B1 금속 산화물 소자를 제조하는 방법 失效
标题翻译：金属氧化物制造方法
公开(公告)号：KR100618606B1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020040040086
申请日：2004-06-02
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준
IPC分类号： H01L39/02 , H01B12/00
CPC分类号： C30B23/02 , C30B25/025 , C30B29/22 , H01L39/2422 , Y10S428/93 , Y10T29/49014
摘要： 본 발명은 복제공정을 이용하여 초전도층 성장된 초전도 선재를 제조하는 방법에 관한 것으로, 루프 형상의 기본모재로부터 길이가 긴 테이프 형상의 초전도 선재를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 산화물 소자의 제조방법은 단결정 또는 배향된 표면을 갖는 기본모재 상에 물에 용해 가능한 분리층을 형성하고 분리층의 상부에 초전도층을 형성하며, 초전도층의 상부에 지지층을 형성한 후 분리층을 물에 의한 용해 방법으로 제거하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 기본모재로부터 분리된 초전도층과 지지층으로 구성되고 기본모재의 결정성이 그대로 복제된 초전도 선재를 제조하는 것이 가능하다.
초전도체, 선재, 복제, 단결정, 용해, 기본모재

8. 发明公开

KR1020040082610A 복제방법에 의한 초전도체의 제조방법 失效
标题翻译：使用重复方法制作具有良好特性的超导体的方法
公开(公告)号：KR1020040082610A
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：KR1020030017204
申请日：2003-03-19
申请人： 한국전기연구원
发明人： 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준 , 박찬
IPC分类号： H01B12/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a superconductor using a duplication method is provided to obtain the superconductor having a prominent characteristic by selecting freely a support layer. CONSTITUTION: A separation layer(2) is formed on an upper surface of a basic preform(1). A superconducting layer(3) is formed on an upper surface of the separation layer. A support layer(4) is formed on an upper surface of the superconducting layer. The separation layer is removed therefrom. The basic preform is formed with a continuous single crystalline metal loop. The coated superconductor obtained thereby has a shape of a tape. The separation layer and the superconducting layer are grown by using an epitaxial growth method.
摘要翻译：目的：提供一种使用复制方法制造超导体的方法，以通过自由地选择支撑层来获得具有突出特征的超导体。构成：在基本预成型件（1）的上表面上形成分离层（2）。在分离层的上表面上形成超导层（3）。在超导层的上表面上形成支撑层（4）。从其中除去分离层。基本预成型件由连续的单晶金属环形成。由此获得的涂覆超导体具有带状。通过使用外延生长法生长分离层和超导层。

9. 发明授权

KR100440810B1 저손실 박막 인덕터의 제조방법 失效
标题翻译： 저손실박막인덕터의제조방법
公开(公告)号：KR100440810B1
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：KR1020010053990
申请日：2001-09-04
申请人： 한국전기연구원
发明人： 송재성 , 김인성 , 김현식 , 김형준 , 배석
IPC分类号： H01F27/245
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a low loss thin film inductor is provided to reduce coil loss of the inductor by increasing the thickness of the coil of the inductor, while allowing for an ease of manufacture. CONSTITUTION: A method comprises a first step of forming a soft magnetic layer(102) on a substrate(101); a second step of forming an insulating layer(103) on the soft magnetic layer; a third step of forming a seed layer(104) for an electro-plating on the insulating layer; a fourth step of forming a photoresist layer on the seed layer, and forming a pattern of a desired coil shape using the photoresist; and a fifth step of forming a coil portion(107) to the pattern of the coil shape through an electro-plating process; and a sixth step of removing the photoresist remaining around the coil portion formed in the fifth step, and attaching an upper magnetic film(109) on the resultant structure.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造低损耗薄膜电感器的方法，以通过增加电感器的线圈厚度来减小电感器的线圈损耗，同时允许制造容易。构成：一种方法包括：在衬底（101）上形成软磁层（102）的第一步骤; 在软磁层上形成绝缘层（103）的第二步骤; 在绝缘层上形成用于电镀的籽晶层（104）的第三步骤; 第四步骤，在种子层上形成光致抗蚀剂层，并使用光致抗蚀剂形成所需线圈形状的图案; 以及第五步骤，通过电镀工艺将线圈部分（107）形成为线圈形状的图案; 以及第六步骤，去除残留在第五步骤中形成的线圈部分周围的光致抗蚀剂，并将上磁膜（109）附着在所得到的结构上。

10. 发明公开

KR1020030021825A 자기소자용 ＦｅＴａＮ계 연자성 박막의 제조방법 失效
标题翻译：用于制造用于磁性装置的FETAN软磁体薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020030021825A
公开(公告)日：2003-03-15
申请号：KR1020010055264
申请日：2001-09-08
申请人： 한국전기연구원
发明人： 송재성 , 민복기 , 김인성 , 김현식 , 김형준 , 신동훈
IPC分类号： H01F41/02
CPC分类号： H01F10/147
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a FeTaN softmagnetism thin film for magnetic devices is provided to increase the magnetic anisotropy by adding a Ti lower layer on the FeTaN softmagnetism thin film. CONSTITUTION: A substrate is provided at a position apart from a Ti target in order to form a thin film. The Ti target and the substrate are used as a cathode and an anode, respectively. A predetermined DC(Direct Current) power is applied between the Ti target and the substrate, to thereby form a Ti lower layer on the substrate through sputtering. After changing the Ti target into a Fe target, a plurality of Ta leaflets are placed on a surface of the Fe target. Then, a predetermined DC power is applied between the Fe target and the substrate under a predetermined gas pressure to form a FeTaN thin film on the Ti lower layer. The FeTaN thin film is post-heated to form a fine crystal within the FeTaN thin film.
摘要翻译：目的：提供一种制造用于磁性器件的FeTaN软磁薄膜的方法，通过在FeTaN软磁薄膜上添加Ti下层来提高磁各向异性。构成：为了形成薄膜，在与Ti靶分离的位置处设置基板。 Ti靶和基板分别用作阴极和阳极。在Ti靶和衬底之间施加预定的DC（直流）功率，从而通过溅射在衬底上形成Ti下层。将Ti靶变为Fe靶后，将多个Ta叶放置在Fe靶的表面上。然后，在规定的气体压力下，在Fe靶和基板之间施加规定的直流电力，在Ti下层上形成FeTaN薄膜。 FeTaN薄膜被后加热以在FeTaN薄膜内形成细晶体。

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