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1. 发明授权

KR100772014B1 보조 클러스트빔 분사에 의한 고온 초전도막 제조방법,제조장치, 이 방법에 의해 제조되는 고온 초전도막 有权
标题翻译：使用辅助聚束灯，制造装置和高温超导膜的高温超导膜的制造方法
公开(公告)号：KR100772014B1
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020060066090
申请日：2006-07-14
申请人： 한국전기연구원
发明人： 오상수 , 김호섭 , 송규정 , 염도준 , 임선미 , 정용환 , 이상무 , 정예현 , 유재은
IPC分类号： C23C14/46
CPC分类号： H01L39/2445 , C23C14/087 , C23C14/22 , H01L39/2483
摘要： A high temperature superconducting film, and a fabricating method and apparatus thereof using a sub cluster beam are provided to increase critical current density by forming various density and distribution of a pinning center of magnetic flux. A method of fabricating a high temperature superconducting film using a sub cluster beam includes the steps of: depositing evaporated high temperature superconducting material on a substrate by evaporating the high temperature superconducting material; forming cluster beam material as gas atoms by heating the cluster beam material charged in a housing; passing the gas atoms through a nozzle of the housing; and forming a pinning center inside the high temperature superconducting film by spraying the gas atoms as the cluster beam on the substrate.
摘要翻译：提供一种高温超导膜及其使用子束束的制造方法和装置，以通过形成磁通的钉扎中心的各种密度和分布来增加临界电流密度。使用亚簇束制造高温超导膜的方法包括以下步骤：通过蒸发高温超导材料在衬底上沉积蒸发的高温超导材料; 通过加热装在壳体中的聚束束材料形成簇束材料作为气体原子; 使气体原子通过壳体的喷嘴; 以及通过将气体原子作为簇束喷射在基板上而在高温超导膜内形成钉扎中心。

2. 发明授权

KR100669489B1 박막 테이프 제조장치 失效
标题翻译：制造薄膜胶带的装置
公开(公告)号：KR100669489B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020040043060
申请日：2004-06-11
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준
IPC分类号： H01B13/00 , H01B12/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 본 발명은 복제공정을 이용하여 에피택시 성장된 초전도 선재용 테이프를 제조하기 위한 제조장치에 관한 것으로, 루프 형상의 기본모재로부터 길이가 긴 테이프 형상의 초전도 선재를 제조하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 박막 테이프 제조장치는 원형 지지체의 상부면에 부착되어 양끝이 연결된 단결정의 기본모재를 회전시키기 위한 회전 구동부와, 기본모재의 상부면에 용매에 용해 가능한 분리층을 증착하기 위한 분리층 증착챔버와, 분리층의 상부에 박막을 증착하기 위한 증착챔버와, 기본모재의 상부면에 증착된 박막을 기본모재로부터 분리하여 박막 테이프를 만들기 위한 분리챔버와, 챔버들 사이에 구비된 적어도 하나의 버퍼챔버들로 구성되며, 상기 챔버들은 원형으로 배치되고, 상기 챔버들과 상기 버퍼챔버에는 기본모재가 통과할 수 있는 인입구와 배출구를 구비한다.
초전도체, 선재, 복제, 단결정, 용해, 분리

3. 发明公开

KR1020050010713A 반응성 스퍼터링 증착장치 失效
标题翻译：通过安装溅射靶和基板之间的分离板和使用其的反应溅射方法在高速下沉积金属氧化物的反应溅射装置
公开(公告)号：KR1020050010713A
公开(公告)日：2005-01-28
申请号：KR1020040056207
申请日：2004-07-20
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미
IPC分类号： C23C14/34
摘要： PURPOSE: To provide a reactive sputtering deposition apparatus and method that deposit a metal oxide thin film on the substrate at high speed by installing a separation plate between a sputtering target and a substrate and promote oxidation of a metal target material deposited on the substrate and prevent oxidation of the metal target by injecting reactive gas near the substrate and injecting sputtering gas near the target. CONSTITUTION: The reactive sputtering deposition apparatus(10) comprises a deposition chamber(11) for forming a process atmosphere in the apparatus; a target(12) equipped with a metal material to be deposited on the substrate; a substrate(13) on which the metal material is deposited by reacting the metal material separated from the target with a reactive gas; and a separation plate(14) formed between the target and the substrate to divide the deposition chamber into a reaction chamber(11a) of the substrate side and a sputtering chamber(11b) of the target side, wherein a hole is formed on a central part of the separation plate so that the metal material reaches the substrate through the hole, wherein the apparatus further comprises a vent(15) installed on the reaction chamber to form vacuum in the deposition chamber, wherein the target comprises a cover(12b) for covering the metal material, and a sputtering gas injection port(12c) for injecting sputtering gas between the target and the cover, and wherein the apparatus further comprises a reactive gas injection port installed on the reaction chamber to supply reactive gas so that the reactive gas is reacted with the metal material to form a metal oxide film on the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种反应性溅射沉积设备和方法，其通过在溅射靶和衬底之间安装分离板并促进沉积在衬底上的金属靶材的氧化，高速沉积金属氧化物薄膜，并防止通过在基板附近注入反应性气体并在靶附近注入溅射气体来氧化金属靶。构成：反应性溅射沉积装置（10）包括用于在装置中形成工艺气氛的沉积室（11）配备有沉积在基板上的金属材料的靶（12）; 通过使与靶分离的金属材料与反应性气体反应而沉积金属材料的基板（13）以及形成在所述靶和所述基板之间的分离板（14），以将所述沉积室分成所述基板侧的反应室（11a）和所述目标侧的溅射室（11b），其中在中心所述分离板的一部分使得所述金属材料通过所述孔到达所述基板，其中所述装置还包括安装在所述反应室上以在所述沉积室中形成真空的通风口（15），其中所述目标包括用于覆盖金属材料的溅射气体注入口和用于在靶和盖之间喷射溅射气体的溅射气体注入口（12c），并且其中该装置还包括安装在反应室上的反应气体注入口，以供应反应气体，与金属材料反应以在基底上形成金属氧化物膜。

4. 发明授权

KR100660136B1 박막증착장치 失效
标题翻译：薄膜沉积装置
公开(公告)号：KR100660136B1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：KR1020040089918
申请日：2004-11-05
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김호섭 , 박찬 , 염도준 , 이병수 , 송규정 , 고락길 , 하홍수 , 정준기
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 본 발명은 반도체 기판상에 박막을 증착시키는 박막증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증발장치를 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키면서 증착할 수 있도록 한 박막증착장치에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 반응챔버의 내부에서 기판의 표면에 금속물질을 증착하는 박막증착장치에 있어서, 상기 반응챔버의 내부에 구비되며 증착하고자 하는 금속물질을 증발시키는 증발장치와, 상기 증발장치를 상기 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키는 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 한다
이에 따라, 종래와는 달리 대면적 증착시 증발장치와 기판사이의 간격을 좁힐 수 있음은 물론, 기판의 표면 전체에 균일한 박막을 형성할 수 있는 효과를 가진다.
반응챔버, 증발장치, 하우징, 시료투입구, 가스주입구, 가열수단, 분사구, 분리판

5. 发明授权

KR100628928B1 반응성 스퍼터링 증착장치 失效
标题翻译：反应溅射沉积装置
公开(公告)号：KR100628928B1
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020040056207
申请日：2004-07-20
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 본 발명은 스퍼터링 타겟과 기판의 사이에 분리판을 구비한 반응성 스퍼터링 증착장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반응성 스퍼터링 증착장치는 타겟과 기판의 사이에 분리판을 구비하여 증착챔버를 기판측의 반응챔버와 타겟측의 스퍼터링 챔버로 구분하고, 분리판의 중앙부에는 타겟으로부터 분리된 금속 물질이 기판에 도달할 수 있도록 하는 구멍이 형성된다. 이에 따라 반응성 가스가 금속 타겟으로 이동되는 것을 최소화하여 금속 타겟의 산화를 방지함으로써 기판 상에 금속 산화물 박막을 고속으로 증착할 수 있다.
반응성, 스퍼터링, 박막, 증착, 타겟, 금속 산화물, 분리판

6. 发明公开

KR1020060040353A 박막증착장치 失效
标题翻译：薄膜沉积设备
公开(公告)号：KR1020060040353A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040089918
申请日：2004-11-05
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김호섭 , 박찬 , 염도준 , 이병수 , 송규정 , 고락길 , 하홍수 , 정준기
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/22 , H01L21/67011
摘要： 본 발명은 반도체 기판상에 박막을 증착시키는 박막증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증발장치를 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키면서 증착할 수 있도록 한 박막증착장치에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 반응챔버의 내부에서 기판의 표면에 금속물질을 증착하는 박막증착장치에 있어서, 상기 반응챔버의 내부에 구비되며 증착하고자 하는 금속물질을 증발시키는 증발장치와, 상기 증발장치를 상기 기판의 표면에 대하여 수평방향으로 이동시키는 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 한다
이에 따라, 종래와는 달리 대면적 증착시 증발장치와 기판사이의 간격을 좁힐 수 있음은 물론, 기판의 표면 전체에 균일한 박막을 형성할 수 있는 효과를 가진다.
반응챔버, 증발장치, 하우징, 시료투입구, 가스주입구, 가열수단, 분사구, 분리판
摘要翻译：本发明涉及一种成膜装置用于在半导体衬底上沉积薄膜，并更具体地涉及一种薄膜沉积，同时在水平方向相对于移动至所述蒸发装置，以所述基板装置的表面来沉积。

7. 发明公开

KR1020050117822A 박막 테이프 제조장치 失效
标题翻译：制造薄膜胶带的装置
公开(公告)号：KR1020050117822A
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：KR1020040043060
申请日：2004-06-11
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준
IPC分类号： H01B13/00 , H01B12/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 본 발명은 복제공정을 이용하여 에피택시 성장된 초전도 선재용 테이프를 제조하기 위한 제조장치에 관한 것으로, 루프 형상의 기본모재로부터 길이가 긴 테이프 형상의 초전도 선재를 제조하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 박막 테이프 제조장치는 원형 지지체의 상부면에 부착되어 양끝이 연결된 단결정의 기본모재를 회전시키기 위한 회전 구동부와, 기본모재의 상부면에 용매에 용해 가능한 분리층을 증착하기 위한 분리층 증착챔버와, 분리층의 상부에 박막을 증착하기 위한 증착챔버와, 기본모재의 상부면에 증착된 박막을 기본모재로부터 분리하여 박막 테이프를 만들기 위한 분리챔버와, 챔버들 사이에 구비된 적어도 하나의 버퍼챔버들로 구성되며, 상기 챔버들은 원형으로 배치되고, 상기 챔버들과 상기 버퍼챔버에는 기본모재가 통과할 수 있는 인입구와 배출구를 구비한다.

8. 发明授权

KR100856545B1 나노입자빔을 이용한 박막증착 방법 및 장치 失效
标题翻译：通过使用纳米颗粒束制造薄膜的方法和装置
公开(公告)号：KR100856545B1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：KR1020070055508
申请日：2007-06-07
申请人： 한국과학기술원 , 한국전기연구원
发明人： 염도준 , 유재은 , 이상무 , 정예현 , 이재영
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/20 , H01L21/02 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02601 , B82Y40/00 , C23C14/223 , C23C14/3407 , H01L21/02266
摘要： A method and an apparatus for fabricating a thin film by using a nano-particle beam are provided to form easily the thin film having a complicated ratio of components by eliminating an additional chemical reaction. Nano-particles are formed by using nano-powders(106) as components of a thin film. The nano-particles are electrified. The electrified nano-particles are changed into the accelerated nano-particle beams by applying electric field to the electrified nano-particles. The accelerated nano-particle beams become components of a thin film by causing collision between the accelerated nano-particle beams and a substrate(136). The process for electrifying the nano-particles includes a process for generating plasma in a mixing state of the nano-powders and an inert gas.
摘要翻译：提供了通过使用纳米粒子束制造薄膜的方法和装置，通过消除额外的化学反应容易地形成具有复杂比例的组分的薄膜。通过使用纳米粉末（106）作为薄膜的组分形成纳米颗粒。纳米颗粒通电。带电的纳米粒子通过向带电的纳米粒子施加电场而变成加速的纳米粒子束。通过引起加速的纳米粒子束与衬底（136）之间的碰撞，加速的纳米粒子束成为薄膜的成分。用于使纳米颗粒带电的方法包括在纳米粉末和惰性气体的混合状态下产生等离子体的方法。

9. 发明授权

KR100628929B1 박막증착장치 失效
公开(公告)号：KR100628929B1
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020040077631
申请日：2004-09-25
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김호섭 , 박찬 , 염도준 , 이병수 , 송규정 , 고락길 , 하홍수 , 정준기
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 본 발명은 반도체 기판상에 박막을 증착시키는 박막증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스퍼터링과 진공증발 증착법을 동시에 이용하여 다원자화합물로 구성된 박막을 기판상에 증착할 수 있도록 한 박막증착장치에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 반응챔버의 내부에서 기판의 표면에 박막을 증착하는 박막증착장치에 있어서, 증착하고자 하는 물질로 구성된 타겟을 구비하여 불활성 가스의 스퍼터링에 의해 상기 물질을 상기 기판상에 공급하는 스퍼터와, 금속물질을 증발시켜 불활성 가스와 함께 상기 기판상으로 분사하는 증발장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 종래와는 달리 각 증착기술의 장점을 취하여 고품질의 박막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 각 원소별로 그에 적당한 증착기술을 선택하여 이용할 수 있는 효과를 가진다.
반응챔버, 스퍼터, 증발장치, 하우징, 시료투입구, 가스주입구, 가열수단, 분사구, 분리판

10. 发明授权

KR100618606B1 금속 산화물 소자를 제조하는 방법 失效
标题翻译：金属氧化物制造方法
公开(公告)号：KR100618606B1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020040040086
申请日：2004-06-02
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준
IPC分类号： H01L39/02 , H01B12/00
CPC分类号： C30B23/02 , C30B25/025 , C30B29/22 , H01L39/2422 , Y10S428/93 , Y10T29/49014
摘要： 본 발명은 복제공정을 이용하여 초전도층 성장된 초전도 선재를 제조하는 방법에 관한 것으로, 루프 형상의 기본모재로부터 길이가 긴 테이프 형상의 초전도 선재를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 산화물 소자의 제조방법은 단결정 또는 배향된 표면을 갖는 기본모재 상에 물에 용해 가능한 분리층을 형성하고 분리층의 상부에 초전도층을 형성하며, 초전도층의 상부에 지지층을 형성한 후 분리층을 물에 의한 용해 방법으로 제거하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 기본모재로부터 분리된 초전도층과 지지층으로 구성되고 기본모재의 결정성이 그대로 복제된 초전도 선재를 제조하는 것이 가능하다.
초전도체, 선재, 복제, 단결정, 용해, 기본모재

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