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1. 发明申请

WO2020080861A1 SYT11 억제제를 유효성분으로 포함하는 위암 치료용 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2020080861A1
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：PCT/KR2019/013686
申请日：2019-10-17
申请人： 한국생명공학연구원 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정재호 , 원미선 , 김보경 , 반현승 , 박경찬 , 염영일
IPC分类号： A61K31/7088 , A61K39/395 , A61P35/00 , C12Q1/6886 , G01N33/574
摘要： 본 발명은 SYT11 (Synaptotagmin 11) 억제제를 유효성분으로 포함하는 위암 치료용 조성물 및 SYT11의 발현 측정을 포함하는 줄기형 위암의 진단 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 SYT11 억제제를 포함하는 조성물은 위암포의 이동 및 침윤을 억제시키고, 세포외기질에 대한 부착능을 억제시키며, 각종 암 전이 관련 사이토카인의 분비를 억제하며, 위암 세포의 증식을 억제함으로써 위암의 전이 억제, 위암의 예방 또는 치료용 조성물로 우수한 효과가 있다. 또한, 본 발명에서는 SYT11의 발현과 줄기형 위암과의 상관관계를 확인하였는바, SYT11의 발현 수준을 측정함으로써 줄기형 위암을 진단하는데 우수한 효과가 있다.

2. 发明授权

KR102136747B1 장형 위암의 예후 진단 마커 有权
公开(公告)号：KR102136747B1
公开(公告)日：2020-07-23
申请号：KR1020180125768
申请日：2018-10-22
申请人： 한국생명공학연구원 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정재호 , 원미선 , 김보경 , 김선규 , 박경찬
IPC分类号： C12Q1/6886 , G01N33/574

3. 发明申请

WO2021149900A1 이치환 아다만틸 유도체, 이의 약학적으로 허용가능한 염 및 이를 유효성분으로 포함하는 암 성장 억제용 약학적 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2021149900A1
公开(公告)日：2021-07-29
申请号：PCT/KR2020/016110
申请日：2020-11-16
申请人： 동국대학교 산학협력단 , 한국생명공학연구원
发明人： 이경 , 원미선 , 반현승 , 김민경 , 김보경
IPC分类号： C07C49/175 , C07C233/07 , C07D401/12 , A61K31/472 , A61P35/00
摘要： 본 발명은 이치환 아다만틸 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 및 이를 유효성분으로 함유하는 항암용 약학적 조성물과 키트에 관한 것으로, 본 발명에 따른 이치환 아다만틸 유도체는 미토콘드리아 ETC 복합체 I을 표적화하고 암 세포 대사를 손상시킴으로써 암 세포의 성장을 억제하는바, ATP 생성을 위한 산화적 인산화에 의존하는 암에 대한 강력한 치료제로서 항암용 약학적 조성물로 유용하게 사용될 수 있다.

4. 发明申请

WO2014084494A1 신규한 이치환 아다만틸 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 암 전이 억제용 약학적 조성물 审中-公开
标题翻译：新型分离的衍生物或药物可接受的盐，其生产方法和用于抑制包含其作为活性成分的癌症的药物组合物
公开(公告)号：WO2014084494A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/KR2013/009119
申请日：2013-10-11
申请人： 한국생명공학연구원 , 동국대학교 산학협력단
发明人： 원미선 , 이경 , 김보경 , 반현승 , 손서현 , 정경숙
IPC分类号： C07C235/24 , A61K31/166 , A61P35/00
CPC分类号： C07D307/42 , A61K31/167 , A61K31/341 , A61K45/06 , C07C231/12 , C07C235/24 , C07C2603/74 , A61K2300/00 , A61K31/67
摘要： 본 발명은 신규한 이치환 아다만틸 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 암 전이 억제용 또는 항암용 약학적 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 이치환 아다만틸 유도체는 암 전이와 관련된 HIF-1 효소를 억제하여 암 전이 관련 단백질인 트위스트(Twist)의 단백질의 생성을 농도의존적으로 저해함으로써 이에 따른 암 전이 관련 단백질인 베타-카테닌(β-catenin) 및 로 단백질(RohA)과 EMT 관련 유전자인 MMP2 및 MMP9의 활성 억제를 통한 암 세포 전이를 억제하는 효과가 우수할 뿐만 아니라, 세포독성이 없어 인체 내에 흡수되어도 세포독성으로 인한 부작용이 없으므로, 암 전이 억제용 또는 항암용 약학적 조성물로 유용하게 사용될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种新的二取代金刚烷基衍生物或其药学上可接受的盐及其制备方法，以及涉及用于抑制癌转移或与其相抗癌的药物组合物作为活性成分。根据本发明的二取代金刚烷基衍生物抑制与癌症转移相关的HIF-1酶，因此影响与癌症转移相关的蛋白质的TWIST蛋白质的产生的剂量依赖性抑制，从而抑制后果与随后的癌症转移相关的蛋白质的β-连环蛋白和Rho蛋白（RhoA）的活性以及与EMT相关的基因的MMP2和MMP9的活性，结果该衍生物在抑制癌细胞转移中具有突出的作用，此外，该衍生物不是细胞毒性的，因此即使在吸收到人体中也没有细胞毒性副作用，因此可以有利地用作抑制癌症转移或抗癌的药物组合物。

5. 发明申请

WO2012053787A2 ＨＩＦ-1 활성을 저해하는 아릴옥시페녹시아크릴계 화합물, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 약학적 조성물 审中-公开
标题翻译：具有HIF-1抑制活性的芳族羟基丙烯酸酯化合物，其制备方法和含有活性成分的药物组合物
公开(公告)号：WO2012053787A2
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/KR2011/007710
申请日：2011-10-17
申请人： 한국생명공학연구원 , 동국대학교 산학협력단 , 이경 , 원미선 , 김환묵 , 박성규 , 이기호 , 이기훈 , 이창우 , 이정준 , 정경숙 , 김보경 , 김영란 , 이승희
发明人： 이경 , 원미선 , 김환묵 , 박성규 , 이기호 , 이기훈 , 이창우 , 이정준 , 정경숙 , 김보경 , 김영란 , 이승희
IPC分类号： C07C235/38 , C07C231/02 , A61K31/167 , A61P35/00
CPC分类号： A61K31/5375 , A61K9/0019 , A61K9/08 , A61K9/14 , A61K9/20 , A61K9/48 , A61K31/167 , A61K31/196 , A61K31/24 , A61K31/34 , A61K31/40 , A61K31/417 , A61K31/4409 , C07C233/07 , C07C235/28 , C07C311/16 , C07C311/46 , C07C317/40 , C07C2603/74 , C07D295/088
摘要： 본 발명은 HIF-1 활성을 저해하는 화합물, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 약학적 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화합물은 비선택적인 세포독성에 의해 항암 활성을 나타내는 것이 아니라, 암세포의 성장 및 전이에 중요한 역할을 하는 전사인자인 HIF-1의 활성을 저해하여 항암 활성을 나타낸다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물 또는 이의 약학적으로 허용되는 염은 HIF-1 활성을 저해하여 대장암, 간암, 위암 및 유방암 등의 다양한 고형암 질환의 치료제로 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 화합물 또는 이의 약학적으로 허용되는 염은 저산소 상태에서 HIF-1에 의한 VEGF의 발현이 증가되어 악화되는 당뇨병성 망막증이나 관절염 치료제의 유효성분으로 사용될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及具有HIF-1抑制活性的化合物，其制备方法和含有该抑制活性成分的药物组合物。本发明的化合物通过抑制作为在癌细胞生长和转移中起重要作用的转录因子的HIF-1的活性而表现出抗癌活性，并且不表示非选择性，细胞毒性的抗肿瘤活性。因此，根据本发明的化合物或其药学上可接受的盐抑制HIF-1活性，因此可以用作结肠癌，肝癌，胃癌和乳腺癌等实体瘤的治疗剂。此外，根据本发明的化合物或其药学上可接受的盐可以用作用于糖尿病性视网膜病变或关节炎的治疗剂的活性成分，当HIF-1的缺氧诱导的VEGF表达增加时，可能变差。

6. 发明申请

WO2018164549A1 말릭산 탈수소효소 저해 활성을 갖는 신규 화합물 및 이를 유효성분으로 포함하는 암 예방 또는 치료용 약학적 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2018164549A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/KR2018/002861
申请日：2018-03-09
申请人： 동국대학교 산학협력단 , 한국생명공학연구원
发明人： 이경 , 원미선 , 반현승 , 김민경 , 김보경
IPC分类号： C07C235/38 , A61K31/192
CPC分类号： A61K31/192 , C07C235/38
摘要： 본 발명은 MDH1 (malate dehydrogenases 1) 및 MDH2 (malate dehydrogenases 2) 중 어느 하나 이상의 억제 활성을 나타내는 화합물 및 이를 유효성분으로 포함하는, 암 예방 또는 치료용 약학적 조성물에 관한 것이다. 본 발명자들은 MDH1 및/또는 MDH2 억제 활성을 나타내는 화합물의 암세포 내 미토콘드리아 호흡 억제 효과 및 우수한 암세포 성장 억제 효과 등을 실험적으로 확인하였는바, 본 발명의 화합물은 암을 치료하기 위한 약학적 조성물로 유용하게 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

7. 发明申请

WO2019050313A1 DDIAS 억제제 및 사멸 수용체 리간드를 포함하는 암의 예방 또는 치료용 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2019050313A1
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：PCT/KR2018/010457
申请日：2018-09-07
申请人： 한국생명공학연구원
发明人： 원미선 , 임주영 , 김보경 , 반현승 , 정경은
IPC分类号： A61K48/00 , A61K38/19
CPC分类号： A61K38/19 , A61K48/00
摘要： 본 발명은 DDIAS (DNA damage-induced apoptosis suppressor) 억제제 및 사멸 수용체(death receptor) 리간드를 유효성분으로 포함하는 암의 예방 또는 치료용 약학적 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 DDIAS 억제제는 DDIAS의 작용에 의한 카스파제(caspase)-8의 분해촉진 및 DISC (death-inducing signaling complex) 형성 억제를 효과적으로 저해하여, 사멸 수용체 리간드와 함께 작용해 암세포에서의 세포 사멸을 촉진하는 우수한 시너지 효과를 발휘함으로써, 폐암 및 간암을 포함한 암의 예방 및 치료용 조성물로 다양하게 활용될 수 있다.

8. 发明申请

WO2015050364A1 cyb5R3 유전자 또는 단백질을 유효성분으로 포함하는 암 예방 및 치료용 약학적 조성물 审中-公开
标题翻译：用于预防和治疗癌症的药物组合物，含有CYB5R3基因或蛋白质作为活性成分
公开(公告)号：WO2015050364A1
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：PCT/KR2014/009204
申请日：2014-09-30
申请人： 한국생명공학연구원
发明人： 원미선 , 반현승 , 김보경 , 남순우 , 이경 , 이영주 , 이홍섭 , 김동욱 , 박기철
IPC分类号： A61K48/00 , A61K38/17 , A61K38/16 , A61P35/00
CPC分类号： A61K38/44 , A61K48/005 , C12N7/00 , C12N9/004 , C12N2710/10043 , C12N2710/10071 , C12Y106/02002 , G01N33/57492 , G01N2333/90209
摘要： 본 발명은 싸이토크롬 b5 환원효소 3(cytochrome b5 reductase 3; cyb5R3) 단백질을 유효성분으로 함유하는 암 예방 및 치료용 약학적 조성물에 관한 것으로, 상기 cyb5R3을 과다발현하는 암세포에서 저산소 유도 인자-1(Hypoxia-inducible factor-1; HIF-1)의 발현이 유의적으로 감소하여 암세포의 생장을 억제하며, 생체 내에서 종양의 성장 및 전이를 효과적으로 억제하므로, 본 발명의 cyb5R3 유전자 또는 단백질은 암 예방 및 치료용 약학적 조성물의 유효성분으로 유용하게 사용될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及含有细胞色素b5还原酶3（cyb5R3）蛋白质作为活性成分的癌症预防和治疗用药物组合物。缺氧诱导因子-1（HIF-1）的表达在过度表达cyb5R3的癌细胞中显着降低，从而抑制癌细胞的生长，有效抑制体内肿瘤的生长和转移，从而使cyb5R3基因或蛋白本发明可用作预防和治疗癌症的药物组合物的活性成分。

9. 发明授权

KR100819746B1 3차원 구조의 적층 이미지센서 및 그 제조방법 失效
标题翻译： 3D结构层压固态图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100819746B1
公开(公告)日：2008-04-08
申请号：KR1020070013629
申请日：2007-02-09
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 한건희 , 김보경 , 윤일구 , 명재민
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14689 , H01L27/1469
摘要： A 3-dimensional structure laminated solid-state image sensor and a method for manufacturing the same are provided to improve the degradation of photosensitive efficiency and charge capacity by increasing transmittance of light being incident into a photodiode. A photodiode(200) includes a semiconductor substrate, an intermediate membrane, a first conductive type single crystal epi layer(203), a second conductive type impurity layer(202), a gate electrode(201), and an SiO2 layer(206). The intermediate membrane is formed on the semiconductor substrate. The first conductive type single crystal epi layer is formed on the intermediate membrane. The second conductive type impurity layer is diffused from a surface of the first conductive type single crystal epi layer downwardly. The gate electrode is adjacent to the first conductive type single crystal epi layer and formed on the surface of the second conductive type impurity layer. The SiO2 layer exposes only a surface of the gate electrode and is applied to the whole surface of the first conductive type single crystal epi layer and the second conductive type impurity layer. A signal detection circuit unit(300) includes a semiconductor substrate(302), one or plural voltage detecting unit(314), an interlayer dielectric(304), and plural metal lines(306). The voltage detecting unit includes a source follower(312) and is formed on the semiconductor substrate. The interlayer dielectric is formed on the semiconductor substrate including the voltage detecting unit. The metal lines are in the interlayer dielectric and for a lamination junction of the photodiode.
摘要翻译：提供三维结构层叠固态图像传感器及其制造方法，以通过增加入射到光电二极管中的光的透射率来改善感光效率和充电容量的劣化。光电二极管（200）包括半导体衬底，中间膜，第一导电型单晶外延层（203），第二导电型杂质层（202），栅电极（201）和SiO2层（206）。中间膜形成在半导体衬底上。第一导电型单晶外延层形成在中间膜上。第二导电型杂质层从第一导电型单晶外延层的表面向下扩散。栅电极与第一导电型单晶外延层相邻并形成在第二导电型杂质层的表面上。 SiO 2层仅露出栅电极的表面，并施加到第一导电型单晶外延层和第二导电型杂质层的整个表面。信号检测电路单元（300）包括半导体衬底（302），一个或多个电压检测单元（314），层间电介质（304）和多个金属线（306）。电压检测单元包括源极跟随器（312）并形成在半导体衬底上。在包括电压检测单元的半导体衬底上形成层间电介质。金属线在层间电介质中并且用于光电二极管的层叠结。

10. 发明授权

KR100819743B1 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： 3D结构聚晶化合物半导体固态图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100819743B1
公开(公告)日：2008-04-08
申请号：KR1020070013618
申请日：2007-02-09
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 한건희 , 김보경 , 윤일구 , 명재민
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L27/14607 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H01L27/14692
摘要： A 3-dimensional structure poly-crystal compound semiconductor solid-state image sensor and a method for manufacturing the same are provided to maximize a light receiving area and to improve photosensitive efficiency by forming a metal electrode on a semiconductor epi layer. A signal transfer region(206) is formed on a first conductive type semiconductor substrate(205) and comprised of a second conductive-type impurity layer. A signal detection region(208) is separated from the signal transfer region and comprised of a second conductive type impurity layer. Plural metal lines(207) are electrically connected to the signal detection region. A transfer gate(204) is formed on the semiconductor substrate of a first conductive type. The transfer gate transmits charges between the signal transfer region and the signal detection region. An interlayer dielectric(210) of a first conductive type is formed on the semiconductor type semiconductor substrate including the signal transfer region, the transfer gate, and the signal detection region. A metal electrode(203) is connected to a photodiode region(209) and comprised of a vertical metal electrode(211) and a horizontal top metal electrode(212). A poly crystal compound semiconductor epi layer(202) is formed on a surface of the interlayer dielectric including the top metal electrode and becomes the photodiode region by implanting P-type and N-type impurities to realize a PN junction.
摘要翻译：提供三维结构的多晶体化合物半导体固态图像传感器及其制造方法，以通过在半导体外延层上形成金属电极来最大化光接收面积并提高感光效率。信号传递区域（206）形成在第一导电类型半导体衬底（205）上，并由第二导电型杂质层构成。信号检测区域（208）与信号传输区域分离并由第二导电型杂质层构成。多个金属线（207）电连接到信号检测区域。在第一导电类型的半导体衬底上形成传输门（204）。传输门在信号传输区域和信号检测区域之间传输电荷。在包括信号传输区域，传输门极和信号检测区域的半导体型半导体衬底上形成第一导电类型的层间电介质（210）。金属电极（203）连接到光电二极管区域（209）并由垂直金属电极（211）和水平顶部金属电极（212）组成。在包括顶部金属电极的层间电介质的表面上形成多晶硅化合物半导体外延层（202），并通过注入P型和N型杂质形成PN结。

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