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1. 发明授权

KR101995177B1 크랙 가이딩 구조체를 갖는 박막 트랜지스터 有权
公开(公告)号：KR101995177B1
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：KR1020180151240
申请日：2018-11-29
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤일구 , 이상명
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/00 , H01L21/02

2. 发明公开

KR1020170029892A 튜브형 렌즈, 그 튜브형 렌즈를 포함한 ＯＥＳ 장치, 그 ＯＥＳ 장치를 포함한 플라즈마 모니터링 시스템 및 그 시스템을 이용한 반도체 소자 제조방법 审中-实审
标题翻译：使用等离子体监测系统和系统包括OES装置，该OES装置包括管状透镜的制造半导体器件的方法，和透镜管
公开(公告)号：KR1020170029892A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150127034
申请日：2015-09-08
申请人： 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 김인중 , 윤일구
IPC分类号： G02B3/00 , H01J37/32 , G01J3/443 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC分类号： G01J3/0208 , G01J3/0218 , G01J3/0229 , G01J3/024 , G01J3/443 , G02B5/205 , G02B7/021 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/67253
摘要： 본발명의기술적사상은플라즈마공정에서의플라즈마상태를정밀하게검출하는데이용할수 있는튜브형렌즈, 그튜브형렌즈를포함한 OES 장치, OES 장치를포함한플라즈마모니터링시스템및 그시스템을이용한반도체제조방법을제공한다. 그튜브형렌즈는원통형튜브; 광이입사하는상기튜브의입구쪽에배치되고, 중심영역으로상기광의투과가차단된제1 렌즈; 및상기광이출사하는상기튜브의출구쪽에배치된제2 렌즈;를포함한다.
摘要翻译：本发明的技术特征提供了一种使用等离子监控系统和包括该OES设备，OES设备，包括等离子处理eseoui等离子体状态的筒状透镜的系统中，并且可用于精确地检测镜头管的半导体制造方法。管状透镜包括圆柱形管; 它被设置在使光入射时，在第一透镜和光透射被阻挡在中央区域中的管的入口; 并且第二透镜设置在光出射的管的出口侧。

3. 发明公开

KR1020100060327A 박막 특성의 모델링 방법 失效
标题翻译：薄膜特性建模方法
公开(公告)号：KR1020100060327A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080118892
申请日：2008-11-27
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤일구 , 김창은 , 문평 , 고영돈
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/205
摘要： PURPOSE: A method of modeling a characteristic for a thin film is provided to implement a model displaying the film property in rapid and with low costs by including a step of selecting reserved data. CONSTITUTION: A thin film is deposited on a substrate(S100). A spectrum data is collected from the deposited thin film(S110). A reserved data is selected from the collected spectrum data(S120). A main component is extracted from the reserved data(S130). The electrical property of the thin film is measured(S140). Correlation between modeling valuables including an electrical property of an extracted main component and a thin film is modeled(S150).
摘要翻译：目的：提供一种对薄膜特性建模的方法，通过包括选择保留数据的步骤，实现以快速和低成本显示胶片特性的模型。构成：将薄膜沉积在基底上（S100）。从沉积的薄膜中收集光谱数据（S110）。从收集的频谱数据中选择保留数据（S120）。从保留数据中提取主要成分（S130）。测量薄膜的电性能（S140）。建模包括提取的主要成分和薄膜的电性能的建模贵重物之间的相关性被建模（S150）。

4. 发明授权

KR100819743B1 3차원 구조의 다결정 화합물 반도체 이미지센서용 포토다이오드 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： 3D结构聚晶化合物半导体固态图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR100819743B1
公开(公告)日：2008-04-08
申请号：KR1020070013618
申请日：2007-02-09
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 한건희 , 김보경 , 윤일구 , 명재민
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L27/14607 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H01L27/14692
摘要： A 3-dimensional structure poly-crystal compound semiconductor solid-state image sensor and a method for manufacturing the same are provided to maximize a light receiving area and to improve photosensitive efficiency by forming a metal electrode on a semiconductor epi layer. A signal transfer region(206) is formed on a first conductive type semiconductor substrate(205) and comprised of a second conductive-type impurity layer. A signal detection region(208) is separated from the signal transfer region and comprised of a second conductive type impurity layer. Plural metal lines(207) are electrically connected to the signal detection region. A transfer gate(204) is formed on the semiconductor substrate of a first conductive type. The transfer gate transmits charges between the signal transfer region and the signal detection region. An interlayer dielectric(210) of a first conductive type is formed on the semiconductor type semiconductor substrate including the signal transfer region, the transfer gate, and the signal detection region. A metal electrode(203) is connected to a photodiode region(209) and comprised of a vertical metal electrode(211) and a horizontal top metal electrode(212). A poly crystal compound semiconductor epi layer(202) is formed on a surface of the interlayer dielectric including the top metal electrode and becomes the photodiode region by implanting P-type and N-type impurities to realize a PN junction.
摘要翻译：提供三维结构的多晶体化合物半导体固态图像传感器及其制造方法，以通过在半导体外延层上形成金属电极来最大化光接收面积并提高感光效率。信号传递区域（206）形成在第一导电类型半导体衬底（205）上，并由第二导电型杂质层构成。信号检测区域（208）与信号传输区域分离并由第二导电型杂质层构成。多个金属线（207）电连接到信号检测区域。在第一导电类型的半导体衬底上形成传输门（204）。传输门在信号传输区域和信号检测区域之间传输电荷。在包括信号传输区域，传输门极和信号检测区域的半导体型半导体衬底上形成第一导电类型的层间电介质（210）。金属电极（203）连接到光电二极管区域（209）并由垂直金属电极（211）和水平顶部金属电极（212）组成。在包括顶部金属电极的层间电介质的表面上形成多晶硅化合物半导体外延层（202），并通过注入P型和N型杂质形成PN结。

5. 发明授权

KR102162728B1 광학 분광 분석 장치 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102162728B1
公开(公告)日：2020-10-07
申请号：KR1020200081155
申请日：2020-07-01
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤일구 , 이상명
IPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32 , G01J3/02

6. 发明公开

KR1020200084841A 광학 분광 분석 장치 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020200084841A
公开(公告)日：2020-07-13
申请号：KR1020200081155
申请日：2020-07-01
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤일구 , 이상명
IPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32 , G01J3/02

7. 发明授权

KR102082698B1 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 有权
公开(公告)号：KR102082698B1
公开(公告)日：2020-03-02
申请号：KR1020180076887
申请日：2018-07-03
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤일구
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/00

8. 发明授权

KR101600520B1 광학 분광 분석 장치 有权
标题翻译：光学发射光谱仪器
公开(公告)号：KR101600520B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020150013650
申请日：2015-01-28
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤일구 , 이상명
IPC分类号： H05H1/00
CPC分类号： G01J3/443 , G01J3/0208 , G01J3/0216 , G01J3/0218 , G01J3/0235 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H05H1/0025 , H05H1/0037
摘要： 본발명은광학분광분석장치에관한것으로, 플라즈마를발생하여기판을처리하는플라즈마공정챔버내의광을수집하는광수집부; 수집된광을전달하는광전달부; 및광전달부를통해제공된광을분석하여플라즈마상태를분석하는분석부를포함하고, 광수집부는플라즈마공정챔버의내부에서발생하는광을집속하여광전달부로제공하는집광부를포함하는광학분광분석장치를제공한다.
摘要翻译：光谱分析装置技术领域本发明涉及一种光谱分析装置，其特征在于，包括：聚光单元，其用于在等离子体处理室内采集光，用于传送所收集的光的光转移单元; 以及分析单元，用于通过分析由光传输单元提供的光来分析等离子体状态。集光单元包括用于聚集等离子体处理室内产生的光并将光提供给光传输单元的聚光单元。

9. 发明授权

KR102035423B1 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 有权
公开(公告)号：KR102035423B1
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：KR1020180056161
申请日：2018-05-16
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤일구
IPC分类号： H01J37/32 , G01J1/02

10. 发明授权

KR101788450B1 테라헤르츠파를 이용한 투명 박막의 두께를 측정하는 장치 및 그 측정 방법 有权
标题翻译：用于使用太赫波测量透明薄膜的厚度的设备及其测量方法
公开(公告)号：KR101788450B1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：KR1020160031922
申请日：2016-03-17
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤일구 , 신동석 , 최현용 , 인치훈 , 김재석
IPC分类号： G01B11/06 , H01S3/10
摘要： 투명박막의두께를측정하는장치가개시된다. 본실시예에따른투명박막의두께를측정하는장치는테라헤르츠파를발생시켜측정대상물을투과한테라헤르츠파를검출하는테라헤르츠파검출장치, 투명기판을투과하여검출된제1 테라헤르츠파를이용하여투명기판의제1 두께를측정하는제1 두께측정부및 투명기판상에형성된투명박막을투과하여검출된제2 테라헤르츠파와, 제1 두께를이용하여투명박막의제2 두께를측정하는제2 두께측정부를포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于测量透明薄膜的厚度的设备。装置，用于测量根据本实施方式的透明薄膜的厚度为的太赫兹波检测装置，其检测通过所述对象透射的太赫兹波被测量以产生太赫波，用于发送所检测到的第一太赫兹波透明基板用于通过使用所述第一厚度测量单元和一个相穿过形成在所述检测到的第二太赫波的透明薄膜在透明基板来测量第2透明薄膜的厚度，第一厚度测量第一透明衬底的厚度，和第二个厚度测量单元。

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