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1. 发明申请

WO2012099436A2 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드 审中-公开
标题翻译：一种制造发光二极管和发光二极管的方法
公开(公告)号：WO2012099436A2
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/KR2012/000549
申请日：2012-01-20
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 김종욱 , 손준호 , 송양희 , 김범준 , 유철종
发明人： 이종람 , 김종욱 , 손준호 , 송양희 , 김범준 , 유철종
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L2933/0091
摘要： 본 발명은 건식에칭 시 나노구조체와 반도체층 간의 에칭속도(에칭비) 차이를 이용하여 건식에칭 조건의 변화를 통해 반도체층에 생성되는 요철부의 경사각을 조절함으로써, 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 발광다이오드의 제조방법으로서, 상기 제2 반도체층 상에 나노구조체를 코팅하는 단계와, 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층과 함께 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 나노구조체는 상기 제2 반도체층에 비해 건식에칭이 용이한 물질을 사용하고, 상기 제2 반도체층과 나노구조체 사이의 에칭속도 차이를 고려하여 건식에칭 조건을 설정함으로써, 상기 제2 반도체에 생성된 요철부의 측면 경사각을 조절하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：
本发明通过使用蚀刻率（蚀刻速率），干式蚀刻过程中，通过改变干蚀刻条件的纳米结构和所述半导体层之间的差调整所述半导体层中产生凹凸部的倾斜角度，光以及通过该方法制造的发光二极管。的发明，其中使用所述第一作为有源层和所述LED半导体层的第二制造方法，在半导体层上顺序地形成;并且其中所述纳米结构涂覆第二半导体层作为掩模对所述纳米结构。第二称为与半导体层以干燥包括第二半导体层，其中所述纳米结构是使用容易干燥比第二半导体层的蚀刻材料上形成凹部和凸部的步骤，所述第二半导体层并且通过考虑所述纳米结构之间的蚀刻速度差的设定的干式蚀刻条件，其特征在于，用于调节在所述第二半导体产生的凹凸部的横向倾斜角。

2. 发明申请

WO2011028076A2 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2011028076A2
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：PCT/KR2010/006056
申请日：2010-09-07
申请人： 서울옵토디바이스주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 송양희 , 손준호 , 김범준
发明人： 이종람 , 송양희 , 손준호 , 김범준
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/387
摘要： 본 발명은 발광 구조를 갖는 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 나노 도트층, 접촉층, 확산 방지층 및 캡핑층을 구비하는 오믹 전극을 포함하고, 상기 나노 도트층은 상기 반도체층의 질소 극성면 상에 형성되고, Ag, Al, Au 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같은 반도체 발광 소자에서 나노 도트층/접촉층/확산 방지층/캡핑층을 포함하는 다층 구조의 오믹 전극은 나노 도트층이 질화물 반도체의 질소 극성면으로 전하 주입 특성을 향상시켜 우수한 오믹 특성을 얻을 수 있으며, 접촉층이 확산 장벽층으로 작용하여 질소 분위기 열처리 및 고온, 고전류 주입 조건에서 발생하는 열에 의한 열화를 억제하기 때문에 열적 안정성이 우수하다.
摘要翻译：提供：半导体发光元件，包括具有发光结构的半导体层; 以及在所述半导体层上并入有纳米点层，接触层，扩散防止层和覆盖层的欧姆电极，其中所述纳米点层形成在所述半导体层的N-极性表面上，并且由包含 Ag，Al和Au中的至少一种。还提供了一种生产方法。在这种半导体发光元件中具有包含纳米点层/接触层/扩散防止层/覆盖层的多层结构的欧姆电极中，纳米点层构成氮化物半导体的N-极性表面并且提高了电荷注入特性，从而可以获得突出的欧姆特性，而接触层用作扩散阻挡层，并且抑制由于在氮气氛热处理中产生的热和高温和高电流引起的劣化注射条件，因此热稳定性突出。

3. 发明申请

WO2013012194A2 발광다이오드용 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 발광다이오드용 기판 및 이 발광다이오드용 기판을 구비한 발광다이오드의 제조방법 审中-公开
标题翻译：用于制造用于发光二极管的基板的方法，用于其制造的发光二极管的基板以及用于制造用于发光二极管的基板的发光二极管的方法
公开(公告)号：WO2013012194A2
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/KR2012/005465
申请日：2012-07-10
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 이환건 , 손준호 , 송양희 , 김범준
发明人： 이종람 , 이환건 , 손준호 , 송양희 , 김범준
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： 본 발명은 발광다이오드용 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 발광다이오드용 기판 및 이 발광다이오드용 기판을 구비한 발광다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 발광다이오드용 기판의 제조방법은, 소정의 기판부재의 상면을 상기 기판부재에 비해 건식에칭이 용이한 물질로 이루어진 나노구조체로 코팅하는 단계; 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 기판부재와 함께 건식에칭함으로써 상기 기판부재의 상면에 상면 요철부를 형성하는 단계; 상기 기판부재의 하면을 상기 나노구조체로 코팅하는 단계; 및 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 기판부재와 함께 건식에칭함으로써 상기 기판부재의 하면에 하면 요철부를 형성하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 의하면, 제조단가가 높고 복잡한 포토리소그래피 패터닝을 사용하지 않고도 나노구조체를 코팅하여 이를 마스크로 이용해 건식에칭하는 방식으로 용이하게 요철부가 형성된 발광다이오드용 기판을 제조할 수 있으므로, 그 제조 시간 및 단가를 절감할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造用于发光二极管的基板的方法，由此制造的发光二极管的基板，以及一种制造发光二极管的基板的制造方法。根据本发明的用于制造用于发光二极管的基板的方法包括以下步骤：用纳米结构涂覆预定基板构件的上表面，其包括比基板构件更容易干蚀刻的材料 ; 通过使用纳米结构作为掩模，通过干蚀刻所述纳米结构和所述基板部件，在所述基板部件的上表面上形成上表面不平坦部分; 用纳米结构涂覆衬底构件的下表面; 并且通过使用纳米结构作为掩模，通过干蚀刻纳米结构和衬底构件，在衬底构件的下表面上形成下表面不平坦部分。本发明使得可以制造发光二极管的基板，该发光二极管的基板具有通过涂覆纳米结构容易地形成的不均匀部分，并且使用它们作为用于干法蚀刻的掩模，而不是使用光刻图案，其具有制造成本高且复杂，因此能够减少发光二极管的基板的制造时间和成本。

4. 发明申请

WO2012091275A1 발광다이오드 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：WO2012091275A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/008243
申请日：2011-11-01
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 송양희 , 김범준
发明人： 이종람 , 송양희 , 김범준
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/508
摘要： 본 발명은 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광다이오드는 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 질화물 반도체층, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 n형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하여 구성되고, 상기 n형 질화물 반도체층의 일부 영역에 요철부가 형성되어 있고, 상기 n형 전극은 상기 n형 질화물 반도체층에 형성되어 있는 요철부의 철부 상에 형성되어 있고, 상기 n형 질화물 반도체층에 형성되어 있는 요철부의 요부에는 형광체가 채워진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 형광체의 도포 면적 및 형광변환효율을 획기적으로 증가시킬 수 있는 새로운 구조의 발광다이오드 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
摘要翻译：发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。根据本发明的发光二极管中，p型电极，在电极上形成的p型的p型氮化物半导体层，形成在有源层上的n型氮化物半导体层上的p型氮化物半导体层，形成在形成于导电衬底上的有源层，并包括：形成在所述半导体层的一部分而形成的附加凹凸的n型氮化物半导体层，所述n型和氮化上的n型电极，形成在n型氮化物半导体层上的n型电极并且，形成在n型氮化物半导体层中的凹凸部的凹部被荧光体填充。根据本发明，提供具有能够大幅度增加荧光体的涂布面积和荧光转换效率的新颖结构的LED及其制造方法。

5. 发明申请

WO2012173366A1 저저항 발광 다이오드 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：低电阻发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：WO2012173366A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/KR2012/004621
申请日：2012-06-12
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 송양희 , 이종람 , 김범준
发明人： 송양희 , 이종람 , 김범준
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/02
摘要： 본 발명은 저저항 발광 다이오드 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저저항 발광 다이오드는 지지 기판, 상기 지지 기판 상에 형성되어 있으며 상기 지지 기판과의 오믹 접촉(ohmic contact)을 이루는 오믹 접촉층, 상기 오믹 접촉층 상에 형성된 p형 전극, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 반도체층, 상기 p형 반도체층 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 n형 반도체층으로 이루어진 발광 구조체 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하여 구성된다. 본 발명에 따르면, 실리콘 재질의 지지 기판과 p형 전극 사이의 접촉 저항을 낮출 수 있으며, 열적 안정성이 우수하고, 저전압 구동이 가능하고 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 저저항 발광 다이오드 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
摘要翻译：低电阻发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及低电阻发光二极管及其制造方法。根据本发明的低电阻发光二极管包括：发光结构，包括支撑衬底，形成在支撑衬底上并与支撑衬底形成欧姆接触的欧姆接触层，p型在欧姆接触层上形成的电极，形成在p型电极上的p型半导体层，形成在p型半导体层上的有源层和形成在该p型半导体层上的n型半导体层在活动层上; 以及形成在n型半导体层上的n型电极。根据本发明，可以减少由硅材料制成的支撑基板与p型电极之间的接触电阻，并且具有优异的热稳定性的低电阻发光二极管，其以低电压驱动并且能够提高操作可靠性，有效地提供其制造方法。

6. 发明专利

KR102235486B1 KR102235486B1 - Customized Parking Location Notification Method through Application 有权
公开(公告)号：KR102235486B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020190126172A
申请日：2019-10-11
申请人： 김범준
发明人： 김범준
IPC分类号： G08G1/14 , G08G1/123
CPC分类号： G08G1/144 , G08G1/123 , G08G1/146
摘要： 본 발명은 애플리케이션을 통한 사용자 별 주차위치 알림 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 사용자의 차량이 주차장에 진입하게 되면 사용자가 설정한 우선주차영역정보에 기초하여 상기 우선주차영역의 주차 가능 여부를 파악하고, 이를 애플리케이션을 통해 사용자에게 안내할 수 있는 애플리케이션을 통한 사용자 별 주차위치 알림 방법에 관한 것이다.

7. 发明申请

WO2014077523A1 발광 다이오드 소자의 제조방법 및 발광 다이오드 소자 审中-公开
标题翻译：制造发光二极管元件和发光二极管元件的方法
公开(公告)号：WO2014077523A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/KR2013/009458
申请日：2013-10-23
申请人： 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 김범준 , 이종람 , 손준호
IPC分类号： H01L33/22 , H05B33/22 , H05B33/10
CPC分类号： H01L33/22 , H01L2933/0025 , H01L2933/0083 , H05B33/10
摘要： 본 발명은 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 또는 유기 발광 다이오드 소자의 기판에 자가 정렬 나노 구조체를 이용하여 나노 패턴으로 이루어지는 산화막을 형성토록 함으로써 내부에서 전반사의 가능성을 줄이고, 그에 따른 광추출 효율을 높일 수 있도록 한 발광 다이오드 소자의 제조방법 및 발광 다이오드 소자에 관한 것이다. 이에 따른 발광 다이오드 소자 제조방법은, (a) 기판상에 나노 구조체를 도포하는 단계; (b) 나노 구조체가 도포된 기판상에 기판 굴절률보다 작은 굴절률 값을 갖는 산화막을 증착하는 단계; (c) 산화막 증착 후 도포된 나노 구조체를 제거하여 기판에 나노 패터닝된 산화막을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다. 이에 따르면, 기판 표면에 자가 정렬 나노 구조체를 도포하고, 나노 구조체들 사이를 통해 산화막을 증착한 후 나노 구조체를 제거하는 방법으로 기판 표면에 나노 크기의 산화막이 패턴으로 형성되어 광결정을 이루도록 함으로써 광추출 효율을 향상시키는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造发光二极管元件的方法，该方法通过在氮化镓基发光二极管元件中形成由纳米图案形成的氧化膜，降低全内反射的可能性并提高光提取效率，通过使用自对准纳米结构的有机发光二极管基板和发光二极管元件。根据本发明的制造发光二极管元件的方法包括：（a）将纳米结构施加到基底上的步骤; （b）将具有小于衬底折射率的折射率值的氧化物膜沉积到其上施加纳米结构的衬底上的步骤; 和（c）通过在氧化膜沉积后除去所施加的纳米结构，在衬底上形成纳米图案化氧化物膜的步骤。根据本发明，将自对准纳米结构施加到基板的表面上，并且通过纳米结构之间沉积氧化膜，然后去除纳米结构以在表面上形成纳米级氧化膜的基底以形成光学晶体。因此，可以提高光学提取效率。

8. 发明申请

WO2013165127A1 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：发光二极管元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013165127A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003621
申请日：2013-04-26
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 서울옵토디바이스주식회사 , 주식회사 포스코엘이디
发明人： 백정민 , 예병욱 , 유철종 , 김범준 , 이종람
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/32
摘要： 본 발명은 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 도전형 기저층; 상기 제1 도전형 기저층 상에 구비되며, 복 수개 구비되고, 적어도 두 종류의 크기로 구비된 개구부를 포함하는 마스크층; 상기 마스크층 상에 구비되며, 상기 개구부들을 통해 성장된 복수의 제1 도전형 구조체; 상기 제1 도전형 구조체의 표면 상에 구비된 활성층; 및 상기 마스크층과 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드 소자가 제공된다.
摘要翻译：本发明涉及发光二极管元件及其制造方法。根据本发明，提供了一种发光二极管元件，包括：基板; 设置在所述基板上的第一导电性基底层; 掩模层，其设置在多个第一导电基底层的顶部上，并且包括以至少两种尺寸设置的开口; 多个第一导电结构，设置在掩模层上并从开口生长; 设置在所述第一导电结构的表面上的有源层; 以及覆盖掩模层和有源层的第二导电半导体层。

9. 发明申请

WO2012102535A9 티로신 산화물이 결합된 바이오 물질을 포함하는 단백질 검출용 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2012102535A9
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/KR2012/000560
申请日：2012-01-20
申请人： (주)프로테옴텍 , 임국진 , 임진익 , 김범준 , 유경화 , 박수정
发明人： 임국진 , 임진익 , 김범준 , 유경화 , 박수정
IPC分类号： G01N33/68 , G01N33/58 , G01N33/53
摘要： 본 발명은 티로신 산화물이 결합된 바이오 물질을 포함하는 단백질 검출용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 티로신 산화물이 결합된 바이오 물질을 포함하는 단백질 검출용 조성물은 생체 내에 존재하는 천연 색소인 티로신 산화물을 바이오 물질에 결합하고, 상기 티로신 산화물이 결합된 바이오 물질을 단백질과 결합하여 단백질의 색상을 육안 또는 광학현미경으로 쉽게 확인함으로써, 다양한 질병을 간편하고 빠르게 진단할 수 있다. 따라서, 본 발명의 단백질 검출용 조성물은 수술장 내에서도 간편하고 빠르게 실시간으로 각종 질병을 진단할 수 있으며, 2차 항체 반응 및 최종 발색 단계가 필요 없어 기존의 조직검사법을 유용하게 대체할 수 있다.

10. 发明申请

WO2019151702A1 빅데이터 기반 무형저축상품 전자결제를 이용한 결제통합 저축 서비스 제공 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019151702A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：PCT/KR2019/000918
申请日：2019-01-22
申请人： 김범준
发明人： 김범준
IPC分类号： G06Q40/02 , G06Q50/10 , G06Q20/10
摘要： 빅데이터 기반 무형저축상품 전자결제를 이용한 결제통합 저축 서비스 제공 방법이 제공되며, 결제 단말로부터 적어도 하나의 쇼핑몰 서버 또는 적어도 하나의 가맹점 단말로의 결제를 요청하는 결제 요청 이벤트를 수신하는 단계, 수신된 결제 이벤트에 포함된 결제 원금에 대한 기 설정된 비율의 저축금을 산출하는 단계, 산출된 저축금과 결제 원금을 통합한 통합금을 결제 단말에서 결제하도록 결제 요청 이벤트에 대한 응답을 결제 단말로 전송하는 단계, 및 결제 단말에서 통합금을 결제하는 경우, 적어도 하나의 쇼핑몰 서버로 결제 원금을 전달하고, 통합금은 결제 단말의 식별코드와 매핑된 계정에 입금하는 단계를 포함한다.

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