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1. 发明公开

KR1020070030624A 복합전원을 이용한 대기압 플라즈마 발생장치 및 방법 失效
标题翻译：使用复合电源产生大气压力等离子体的装置和方法
公开(公告)号：KR1020070030624A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：KR1020050085425
申请日：2005-09-13
申请人： 주식회사 피에스엠
发明人： 이근호 , 심연근 , 홍정미 , 김정순 , 이해룡 , 김주완 , 김동훈 , 정재명
IPC分类号： H05H1/30 , H05H1/34
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32082 , H01J37/32458 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32733 , H05H2001/4645
摘要： 본 발명은, 복합전원을 이용한 대기압 플라즈마 발생장치 및 방법에 관한 것으로서, 하나의 활성전극이 고전압의 전력을 인가받아 접지전극과의 사이에 플라즈마를 점화, 생성하고, 그 후, 먼저 생성된 플라즈마를 시드(seed)로 하여 나머지 다른 활성전극이 전력을 인가받아 고밀도의 플라즈마를 접지전극과의 사이에 생성시킬 있는 대기압 플라즈마 발생장치의 제공을 그 목적으로 한다.
이를 위해, 본 발명은 반응기체 존재 하에 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치를 개시한다. 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 발생장치는, 접지전극과; 서로 다른 전압 및 주파수 대역을 갖는 제 1 및 제 2 전원과; 상기 제 1 전원으로부터 전력을 인가받아, 상기 접지전극과의 사이에서 플라즈마를 점화, 생성시키는 제 1 활성전극과; 상기 제 2 전원으로부터 전력을 인가받고 상기 제 1 활성전극 부근에서 생성된 플라즈마를 시드(seed)로 하여 상기 접지전극 사이에 플라즈마를 발생시키는 제 2 활성전극을; 포함하는 것을 특징으로 한다.
복합전원, 활성전극, RF, MF, 플라즈마, 반응기체, 접지전극

2. 发明授权

KR100788505B1 분사식 플라즈마 처리장치 有权
标题翻译：注射式等离子体处理装置
公开(公告)号：KR100788505B1
公开(公告)日：2007-12-24
申请号：KR1020050067186
申请日：2005-07-25
申请人： 주식회사 피에스엠
发明人： 심연근 , 백종문 , 김동훈 , 이해룡 , 이근호
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42
摘要： 본 발명은, 분사식 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 상압 조건에서 유전막 방전(DBD; Dielectric Barrier Discharge)으로 형성된 플라즈마를 처리대상물을 향해 분사하는 방식으로, 다양한 면적, 다양한 크기, 그리고 다양한 형상을 갖는 처리대상물을 미세아크 스트리머에 의한 손상 없이 처리할 수 있되, 반응가스를 플라즈마 발생영역으로 신속하게 그리고 큰 손실 없이 공급할 수 있는 분사식 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이를 위해, 본 발명에 따른 분사식 플라즈마 처리장치는, 유전체가 형성된 채 반응챔버에 제공되는 전원전극판과, 상기 전원전극판에 교류전력이 인가될 때 상기 전원전극판과의 사이에서 플라즈마를 형성하되, 상기 반응챔버의 벽 일부를 구성하고, 다수의 홀이 형성된 접지전극판과, 상기 반응챔버 내로 반응가스를 주입하여 반응챔버 내의 플라즈마를 상기 접지전극판의 홀들을 통해 외부로 분사시키되, 전원전극판과 접지전극판 사이의 플라즈마 발생영역에 마련되는 가스주입부를 구비하여, 상기 플라즈마 발생영역을 향해 반응가스를 직접적으로 주입하는 가스공급유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.
분사식, 플라즈마, 전원전극판, 유전체, 접지전극판, 홀, 가스공급유닛

3. 发明授权

KR100771509B1 복합전원을 이용한 대기압 플라즈마 발생장치 및 방법 失效
标题翻译：使用复合电源产生大气压等离子体的装置和方法
公开(公告)号：KR100771509B1
公开(公告)日：2007-10-30
申请号：KR1020050085425
申请日：2005-09-13
申请人： 주식회사 피에스엠
发明人： 이근호 , 심연근 , 홍정미 , 김정순 , 이해룡 , 김주완 , 김동훈 , 정재명
IPC分类号： H05H1/30 , H05H1/34
摘要： 본 발명은, 복합전원을 이용한 대기압 플라즈마 발생장치 및 방법에 관한 것으로서, 하나의 활성전극이 고전압의 전력을 인가받아 접지전극과의 사이에 플라즈마를 점화, 생성하고, 그 후, 먼저 생성된 플라즈마를 시드(seed)로 하여 나머지 다른 활성전극이 전력을 인가받아 고밀도의 플라즈마를 접지전극과의 사이에 생성시킬 있는 대기압 플라즈마 발생장치의 제공을 그 목적으로 한다.
이를 위해, 본 발명은 반응기체 존재 하에 플라즈마를 발생시키는 대기압 플라즈마 발생장치를 개시한다. 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 발생장치는, 접지전극과; 서로 다른 전압 및 주파수 대역을 갖는 제 1 및 제 2 전원과; 상기 제 1 전원으로부터 전력을 인가받아, 상기 접지전극과의 사이에서 플라즈마를 점화, 생성시키는 제 1 활성전극과; 상기 제 2 전원으로부터 전력을 인가받고 상기 제 1 활성전극 부근에서 생성된 플라즈마를 시드(seed)로 하여 상기 접지전극 사이에 플라즈마를 발생시키는 제 2 활성전극을; 포함하는 것을 특징으로 한다.
복합전원, 활성전극, RF, MF, 플라즈마, 반응기체, 접지전극

4. 发明公开

KR1020040049518A 흡입형 기체유동을 이용한 대기압 플라즈마 표면처리장치및 그처리방법 失效
标题翻译：大气等离子体表面处理系统采用吸收式气体浮选方法及其处理方法
公开(公告)号：KR1020040049518A
公开(公告)日：2004-06-12
申请号：KR1020020077315
申请日：2002-12-06
申请人： 주식회사 피에스엠
发明人： 백종문 , 김동훈 , 이해룡 , 이기훈 , 이근호
IPC分类号： H05H1/00
摘要： PURPOSE: An atmospheric plasma surface process system using an absorption type gas floating method and a processing method thereof are provided to prevent the outflow of harmful gases by using a low-priced atmospheric pump. CONSTITUTION: An atmospheric plasma surface process system using an absorption type gas floating method includes a high-voltage electrode, a ground electrode, a gas floating tube, and an atmospheric pump. The high-voltage electrode(1) is connected to a power supply unit. The ground electrode(2) is opposite to the high-voltage electrode. The gas floating tube(6) is used for connecting the high-voltage electrode and the ground electrode to a resolution catalyst unit(7). The atmospheric pump(8) is connected to the resolution catalyst unit.
摘要翻译：目的：提供使用吸收式气体浮动法的大气等离子体表面处理系统及其处理方法，以通过使用低价大气泵来防止有害气体的流出。构成：使用吸收型气体浮动法的大气等离子体表面处理系统包括高压电极，接地电极，气体浮动管和大气泵。高电压电极（1）连接到电源单元。接地电极（2）与高压电极相对。气体浮动管（6）用于将高电压电极和接地电极连接到分辨率催化剂单元（7）。大气泵（8）连接到分辨率催化剂单元。

5. 发明公开

KR1020070012933A 분사식 플라즈마 처리장치 有权
标题翻译：注射式等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020070012933A
公开(公告)日：2007-01-30
申请号：KR1020050067186
申请日：2005-07-25
申请人： 주식회사 피에스엠
发明人： 심연근 , 백종문 , 김동훈 , 이해룡 , 이근호
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01J37/32458 , H01J37/32541 , H01J37/32724 , H05H1/24
摘要： An injection type plasma processing apparatus is provided to reduce an unnecessary consumption of reaction gas and transfer the reaction gas to a plasma generating area quickly by making a gas injection unit of a gas supply unit connect with the plasma generating area directly. In an injection type plasma processing apparatus, a power electrode plate(20) is provided in a reaction chamber(10) when a dielectric substance(24) is formed. A ground electrode plate(40) forms a plasma(P) between the ground electrode plate and the power electrode plate(20) when an AC power is applied to the power electrode plate(20), comprises a portion of the wall of the reaction chamber(10), and includes a plurality of holes(42). A gas supply unit(50) sprays the plasma(P) outside through the holes(42) of the ground electrode plate(40) by injecting a reaction gas to the reaction chamber(10) and injects the reaction gas to a plasma generating area(PA) directly by placing a gas injection unit(52) on the plasma generating area(PA) between the power electrode plate(20) and the ground electrode plate(40).
摘要翻译：提供一种注射型等离子体处理装置，用于减少反应气体的不必要的消耗，并且通过使气体供给单元的气体注入单元直接与等离子体产生区域连接，将反应气体快速地传递到等离子体产生区域。在注射型等离子体处理装置中，当形成电介质（24）时，在反应室（10）中设置电源极板（20）。接地电极板（40）在向功率电极板（20）施加交流电力时，在接地电极板和电力电极板（20）之间形成等离子体（P），包括一部分反应壁（10），并且包括多个孔（42）。气体供给单元（50）通过将反应气体注入到反应室（10）中，通过接地电极板（40）的孔（42）向外喷射等离子体（P），并将反应气体喷射到等离子体产生区域（PA）直接通过在电力电极板（20）和接地电极板（40）之间的等离子体产生区域（PA）上放置气体注入单元（52）。

6. 发明授权

KR100481492B1 미세아크 방지형 플라즈마 형성장치 및 형성방법 有权
标题翻译：微弧保护型等离子体形成装置和成形方法
公开(公告)号：KR100481492B1
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：KR1020040027742
申请日：2004-04-22
申请人： 주식회사 피에스엠
发明人： 백종문 , 심연근 , 이기훈 , 김동훈 , 이해룡 , 이근호
IPC分类号： H05H1/26
摘要： A plasma formation apparatus for preventing a fine arc and a method for forming plasma using the same are provided to control completely a fine arc streamer causing a defect of a processing target by using an electrode structure having holes. A high-voltage electrode is used for receiving AC power. A dielectric is located on the high-voltage electrode. A grounding electrode includes a plurality of holes for injecting plasma generated between the high-voltage electrode and the grounding electrode. The grounding electrode is formed at a predetermined position apart from the high-voltage electrode. A frame includes the high-voltage electrode and the grounding electrode. A reaction gas implantation part implants a reaction gas for generating the plasma between the high-voltage electrode and the grounding electrode.

7. 发明授权

KR100500430B1 흡입형 기체유동을 이용한 대기압 플라즈마 표면처리장치및 그처리방법 失效
标题翻译：大气压等离子体处理装置及其工艺采用吸气法
公开(公告)号：KR100500430B1
公开(公告)日：2005-07-12
申请号：KR1020020077315
申请日：2002-12-06
申请人： 주식회사 피에스엠
发明人： 백종문 , 김동훈 , 이해룡 , 이기훈 , 이근호
IPC分类号： H05H1/00
摘要： 본 발명은 플라즈마 반응에 의해 생성되는 공해물질이 외부로 배출되지 않는 흡입형 기체유동을 이용한 대기압 플라즈마 표면처리장치 및 그 처리방법에 관한 것이다.
본 발명의 흡입형 기체유동을 이용한 대기압 플라즈마 표면처리장치 및 그 처리방법은 대기압 플라즈마 표면처리 장치에 있어서, 전원공급부에 연결되어 있는 고전압 전극(1); 상기 고전압 전극과 대향되도록 위치한 접지전극(2); 상기의 고전압 전극과 접지전극에서부터 분해촉매부(7)로 연결되도록 하는 기체유동관(6); 및 상기 분해촉매부(7)와 연결된 대기압펌프(8)를 포함하여 이루어진 대기압 플라즈마 장치에 의한 것으로서, 대기압 펌프(8)를 작동시키고 전원을 인가하는 제 1단계; 전극 주변에 국부적으로 저압이 형성되어 외부의 공기가 흡입되는 제 2단계; 상기 외부에서 흡입된 공기를 이용하여 플라즈마가 방전되는 제 3단계; 상기 방전된 플라즈마에 의해 피처리물(4)의 표면처리가 이루어지는 제 4단계; 상기 플라즈마 방전에 의해 반응이 완료된 공기가 기체유동관(6)을 통해 분해촉매부(7)로 유입되는 제 5단계; 및 상기 분해촉매부(7)에서 청정처리된 공기가 대기압 펌프(8)를 통해 배출되는 제 6단계를 포함하여 표면처리가 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 흡입형 기체유동을 이용한 대기압 플라즈마 표면처리장치 및 그 처리방법은 전극 주변으로 흡입되는 외부의 공기를 반응기체로 이용하여 방전을 발생시키기 때문에 별도로 기체를 공급할 필요가 없고, 플라즈마 방전에 의해 생성되는 유해물질이 외부로 배출되지 않고 흡입되어 청정처리 되기 때문에 장치에 손상을 주지 않으며, 작업자의 안전을 보장할 수 있다는 장점이 있다.

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