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1. 发明申请

WO2014193138A1 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 审中-公开
标题翻译：基板支撑装置和包括其的基板处理装置
公开(公告)号：WO2014193138A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/KR2014/004707
申请日：2014-05-27
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 최종성 , 권봉성 , 유지환 , 이명진 , 정석철
IPC分类号： H01L21/683 , F16C29/02
CPC分类号： H01L21/68742
摘要： 본 발명은 기판을 지지하는 복수의 리프트 핀의 파손을 방지할 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것으로, 본 발명에 따른 기판 지지 장치는 기판이 안착되는 서셉터; 상기 서셉터를 수직 관통하도록 설치되어 상기 기판을 지지하는 리프트 핀; 및 상기 리프트 핀이 삽입되도록 상기 서셉터에 설치된 부싱을 포함하며, 상기 부싱은 자기 윤활성 재질을 포함하여 이루어져 상기 리프트 핀의 손상을 방지한다.
摘要翻译：本发明提供一种能够防止损坏用于支撑基板的多个提升销的基板支撑装置，以及包括该基板支撑装置的基板处理装置。根据本发明的基板支撑装置包括：其上放置有基板的可变元件; 升降销，其设置成垂直地穿过所述夹持器并用于支撑所述基板; 以及设置在所述夹持器上以便允许提升销插入其中的衬套，其中所述衬套包括自润滑材料，从而防止对所述提升销的损坏。

2. 发明申请

WO2016204452A1 공정챔버 내부에 배치되는 기판 처리장치 및 그 작동방법 审中-公开
标题翻译：基板处理装置安装在工艺室内及其工作方法中
公开(公告)号：WO2016204452A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/KR2016/006163
申请日：2016-06-10
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 김기범 , 김수웅 , 사승엽 , 우람 , 이명진 , 정석철 , 최종성 , 허호범
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 기판 처리장치의 일 실시예는, 자전 가능하도록 구비되는 디스크; 상기 디스크에 배치되고, 상면에 기판이 안착되며, 상기 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 서셉터; 상기 서셉터의 하부에 결합하고, 중심이 상기 서셉터의 중심과 일치하도록 배치되는 금속링; 상기 디스크의 하부에 배치되고, 적어도 일부에 상기 금속링의 외주면과 측방향으로 대향되는 내주면이 형성되는 지지블록을 포함할 수 있다.
摘要翻译：基板处理装置的一个实施例可以包括：设置成可旋转的盘; 设置在盘上的至少一个感受体，具有上表面，基板被装载在该上表面上，并且根据盘的旋转并通过使用盘的中心作为其轴线旋转; 金属环，其耦合到所述基座的下部并且布置成使得其中心对应于所述基座的中心; 以及布置在所述盘的下部上的支撑块，并且在其至少一部分中具有在横向方向上面对所述金属环的外周表面的内周面。

3. 发明申请

WO2015119400A1 기판처리장치 审中-公开
标题翻译：基板处理设备
公开(公告)号：WO2015119400A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/KR2015/000969
申请日：2015-01-29
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 김경민 , 이명진 , 이용현 , 최재욱
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01L21/67017
摘要： 본 발명은, 공정챔버; 상기 공정챔버 내부로 가스 또는 플라즈마 활성종을 공급하는 복수의 가스공급관; 상기 복수의 가스공급관 중 하나의 가스공급관에 연결되는 원격플라즈마발생부; 상기 하나의 가스공급관에서 상기 원격플라즈마발생부와 상기 공정챔버 사이에는, 상기 하나의 가스공급관을 선택적으로 차단하는 개폐밸브가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理设备，包括：处理室; 多个气体供给管，其用于将气体或等离子体活性物质供给到处理室的内部; 连接到所述多个气体供给管中的一个气体供给管的远程等离子体生成单元; 以及设置在远程等离子体生成单元和处理室之间的一个气体供给管的开闭阀，用于选择性地切断一个气体供给管。

4. 发明申请

WO2014182088A9 가스 공급 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2014182088A9
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：PCT/KR2014/004095
申请日：2014-05-08
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 황철주 , 강호철 , 양승용 , 이명진 , 이용현 , 정철우 , 최재욱
IPC分类号： G02F1/13 , H01L21/20
摘要： 본 발명은 가스 공급장치에 관한 것으로서, 상세하게는 공정 챔버 내의 공정 가스 흐름을 개선하고, 증착층의 균일도를 높일 수 있는 가스 공급장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 가스관이 연결되는 리드와; 상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1플레이트와; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 하부로 향하는 가스를 분산시키도록 마련되는 제2 플레이트와, 상기 제1플레이트에 형성되는 복수의 배출홀과; 상기 제2플레이트에 형성되는 복수의 배출홀을 포함하되, 상기 제2플레이트의 코너부에 형성되는 배출홀은 상기 제1플레이트 상의 동일한 위치에 형성되는 코너부의 배출홀과 상이한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치를 제공한다.

5. 发明申请

WO2016182299A1 공정챔버 내부에 배치되는 기판 처리장치 및 그 작동방법 审中-公开
标题翻译：衬底处理装置安装在过程室内，以及操作方法
公开(公告)号：WO2016182299A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/KR2016/004842
申请日：2016-05-10
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 김기범 , 사승엽 , 우람 , 이명진 , 최승대 , 최종성 , 허호범
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要： 기판 처리장치의 일 실시예는, 자전 가능하도록 구비되는 디스크; 상기 디스크에 배치되고, 상면에 기판이 안착되며, 상기 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 서셉터; 상기 서셉터의 하부에 결합하고, 중심이 상기 서셉터의 중심과 일치하도록 배치되는 금속링; 및 상기 디스크 하부에 상기 디스크의 중심을 기준으로 방사상으로 배치되고, 적어도 일부가 상기 금속링과 상하방향으로 대향되도록 구비되는 마그네트를 포함할 수 있다.
摘要翻译：衬底处理装置的实施例可以包括：设置成能够旋转的盘; 设置在所述盘上的至少一个感受体，衬底位于所述基座的上表面上，所述基座随着所述盘旋转而旋转，并以所述圆盘的中心为轴线旋转; 金属环，其耦合到所述基座的下部并且布置成使得所述金属环的中心与所述基座的中心重合; 以及相对于盘的中心径向设置在盘的下部的磁体，并且设置成使得至少一部分磁体在上/下方向上面对金属环。

6. 发明申请

WO2014182088A1 가스 공급 장치 审中-公开
标题翻译：气体供应装置
公开(公告)号：WO2014182088A1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：PCT/KR2014/004095
申请日：2014-05-08
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 황철주 , 강호철 , 양승용 , 이명진 , 이용현 , 정철우 , 최재욱
IPC分类号： G02F1/13 , H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C14/22 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , G02F1/1303 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32568
摘要： 본 발명은 가스 공급장치에 관한 것으로서, 상세하게는 공정 챔버 내의 공정 가스 흐름을 개선하고, 증착층의 균일도를 높일 수 있는 가스 공급장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 가스관이 연결되는 리드와; 상기 리드로 유입된 가스를 공정챔버로 배출하는 제1플레이트와; 상기 리드와 상기 제1플레이트 사이에 마련되어 하부로 향하는 가스를 분산시키도록 마련되는 제2 플레이트와, 상기 제1플레이트에 형성되는 복수의 배출홀과; 상기 제2플레이트에 형성되는 복수의 배출홀을 포함하되, 상기 제2플레이트의 코너부에 형성되는 배출홀은 상기 제1플레이트 상의 동일한 위치에 형성되는 코너부의 배출홀과 상이한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치를 제공한다.
摘要翻译：气体供给装置技术领域本发明涉及一种气体供给装置，更具体地说，涉及能够改善处理室内的工艺气体流动并且可以增加沉积层的均匀度的气体供应装置。根据本发明的气体供应装置包括：具有与其连接的气体管道的引线; 第一板，用于将导入铅的气体排出到处理室; 设置成通过布置在所述引线和所述第一板之间来分散流向所述底部的气体的第二板; 第一板上的多个排出孔; 以及形成在所述第二板上的多个排出孔，其中形成在所述第二板的角部处的排出孔以与形成在所述第一板上的相同位置处的角部的排出孔的状态不同的方式配置。

7. 发明授权

KR102248657B1 기판처리장치 有权
公开(公告)号：KR102248657B1
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：KR1020140066670
申请日：2014-06-02
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 정석철 , 김경민 , 이명진 , 이용현
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 본발명은기판이투입되어처리되는공간이형성되는챔버; 상기챔버의내부에서기판이탑재지지되는지지유닛; 상기챔버에가스를공급하는가스공급관; 상기지지유닛과상기가스공급관사이에배치된제1플레이트; 및상기가스공급관과상기제1플레이트의사이에배치된제2플레이트를포함하되, 상기제1플레이트와상기제2플레이트사이의간격이조절되는기판처리장치에관한것이다.

8. 发明授权

KR102215639B1 가스 분배 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102215639B1
公开(公告)日：2021-02-16
申请号：KR1020140025977
申请日：2014-03-05
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 이용현 , 김경민 , 유광수 , 이명진 , 정철우
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 본발명은기판상에공정가스를분사하는가스분배장치로서, 공정가스가유입되는상부판; 상부판과소정간격이격되며복수의분사홀이형성된하부판; 상부판과하부판사이의측면에마련된측벽판; 및상부판과하부판사이에마련된배플을포함하며, 상부판과배플사이의제 1 거리와배플과하부판사이의제 2 거리가 1:0.2 내지 1:0.7의비를갖는가스분배장치및 이를구비하는기판처리장치를제시한다.

9. 发明公开

KR1020170017982A 공정 챔버, 이를 포함하는 반도체 제조 장치 및 기판 처리 방법 无效
标题翻译：用于制造包括该半导体器件的半导体的处理室装置以及用于处理衬底的方法
公开(公告)号：KR1020170017982A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020170016636
申请日：2017-02-07
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 이용현 , 이명진 , 차안기
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/67754 , H01L21/68
摘要： 반도체제조장치의일 실시예는, 복수개의기판; 및상기복수개의기판을로드락챔버내로반송하고, 상기로드락챔버에서상기복수개의기판을트랜스퍼챔버내로반송하며, 상기트랜스퍼챔버에서상기복수개의기판을공정챔버내로반송하는기판반송부를포함하고, 상기복수개의기판은상기로드락챔버, 상기트랜스퍼챔버및 상기공정챔버로반송될때까지동일한얼라인패턴인것일수 있다.
摘要翻译：本文公开了一种半导体制造装置，包括：传送室，设置有用于移动基板的基板移动装置;负载锁定室，其对准基板并将基板装载和卸载到输送室中;以及至少一个处理室以处理从转印室转印的基材。所述至少一个处理室中的每一个包括室主体，其设置有形成在其侧表面上的基板入口，设置在室主体内的基板支撑件，使得至少两个基板设置在基板支撑件上，并且至少一个分隔件设置在腔体内以对准至少两个基底。

10. 发明公开

KR1020150113603A 기판처리장치용 가스분배유닛 审中-实审
标题翻译：用于装置处理基板的气体分配单元
公开(公告)号：KR1020150113603A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：KR1020140037799
申请日：2014-03-31
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 김경민 , 유광수 , 이명진 , 이용현 , 정철우
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/08
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/45563
摘要： 본발명은기판처리장치용가스분배유닛에관한것으로서, 기판상에증착되는증착박막의두께균일성(uniformity)을향상시키는가스확산부에관한것이다. 구체적으로, 본발명은, 내부에공정가스확산공간을구비하는가스확산부와; 상기가스확산부의상부에연통방식으로연결되며, 상기공정가스확산공간의내부로상기공정가스를공급하는가스공급부와; 상기가스확산부의하부에구비되고, 상하로관통하여형성되는복수개의분사홀을구비하는제1 플레이트와; 상기공정가스확산공간의내부에서상기공정가스확산공간을상부확산공간과하부확산공간으로분할하도록상기가스공급부와상기제1 플레이트사이에구비되는제2 플레이트;를포함하고, 상기제2 플레이트는, 상기상부확산공간과상기하부확산공간을연통시키도록두께방향으로관통하는복수개의관통구와, 상기상부확산공간을 5 개의상부확산영역으로분할하는격벽부와, 상기격벽부에의해구획되고상기제2 플레이트의중앙에배치되는중앙배플과, 상기격벽부에의해구획되고상기중앙배플을둘러싸도록방사배열로배치되는 4 개의가장자리배플을포함하며, 상기가스공급부는, 상기 5 개의상부확산영역각각에상기공정가스를공급하는 5 개의가스공급관을포함하는것을특징으로하는기판처리장치용가스분배유닛에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于基板处理装置的气体分配单元，涉及一种用于改善沉积在基板上的沉积薄膜的厚度均匀性的气体扩散部分。特别地，本发明涉及用于基板处理设备的气体分配单元，包括：气体扩散部分，其内部包括处理气体扩散空间; 气体供给部，其通过互连方式连接到气体扩散部的上部，并且将处理气体供给到处理气体扩散空间中; 第一板，其包括在气体扩散部的底部，并且包括形成为上下穿入的多个喷射孔; 以及包括在气体供应部分和第一板之间的第二板，以便将处理气体扩散空间分成处理气体扩散空间中的上扩散空间和下扩散空间。第二板包括：多个穿透横向的通孔，以便连接上扩散空间和下扩散空间; 分隔壁部分，其将上扩散空间分成五个上扩散区; 中间挡板，其由分隔壁部分分隔，并布置在第二板的中心; 以及四个边缘挡板，它们由分隔壁拍打分隔，并且径向布置成围绕中心挡板。气体供给部包括向各上部扩散区供给处理气体的五个供气管。

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