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1. 发明授权

KR101082695B1 반사 방지막 형성용 조성물, 적층체 및 레지스트 패턴의형성 방법 有权
标题翻译：用于形成抗反射膜的组合物，层压体和形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：KR101082695B1
公开(公告)日：2011-11-15
申请号：KR1020060024222
申请日：2006-03-16
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 요시무라,나까아쯔 , 곤노,게이지 , 나쯔메,노리히로
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0046
摘要： [R및 R는수소원자, 불소원자또는 1가의유기기를나타내고, m은 1 내지 20의정수이고, A는 2가의결합수를나타낸다.]

2. 发明授权

KR100710104B1 감방사선성 수지 조성물 有权
标题翻译：敏感的辐射敏感树脂组合物
公开(公告)号：KR100710104B1
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020010005074
申请日：2001-02-02
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 누마따,준 , 스즈끼,아끼 , 하라,히로미찌 , 나쯔메,노리히로 , 무라따,기요시 , 야마모또,마사후미 , 소야노,아끼마사 , 가지따,도루 , 시모까와,쯔또무
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/039 , Y10S430/111 , Y10S430/128
摘要： 본 발명은 (A) 1개 이상의 수소 원자가 질소 원자에 결합된 아미노기를 하나 이상 갖는 화합물에서 상기 질소 원자에 결합된 수소 원자 중 1개 이상이 t-부톡시카르보닐기로 치환된 저분자 화합물,
(B) 감방사선성 산발생제, 및
(C) (가) 산해리성기로 보호된 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성 수지로서, 상기 산해리성기가 해리될 때 알칼리 가용성이 되는 수지 또는 (나) 알칼리 가용성 수지 및 알칼리 용해성 제어제를 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다.
또한 본 발명은 (A) 1개 이상의 수소 원자가 질소 원자에 결합된 아미노기를 하나 이상 갖는 화합물에서 상기 질소 원자에 결합한 수소 원자 중 1개 이상이 t-부톡시카르보닐기로 치환된 저분자 화합물,
(B) 감방사선성 산발생제,
(D) 알칼리 가용성 수지 및
(E) 산의 존재하에 알칼리 가용성 수지를 가교할 수 있는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공한다.
감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 포토레지스트, 반도체, 리소그래피
摘要翻译：本发明（A）1与具有通过键合到氮原子以叔丁氧基羰基的氢原子中的至少一个键合到氮原子的至少一个氨基的化合物中的一个或多个氢原子取代的低分子量化合物，

3. 发明公开

KR1020090079223A 상층막 형성용 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成上层膜的组合物和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR1020090079223A
公开(公告)日：2009-07-21
申请号：KR1020097008996
申请日：2007-10-11
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 니시무라,유끼오 , 스기에,노리히꼬 , 나까시마,히로미쯔 , 나쯔메,노리히로 , 고노,다이따
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0047
摘要： Disclosed is a composition for forming an upper layer film, which can form an upper layer film having a satisfactorily high receding contact angle and which can be used for forming an upper layer film on the surface of a photoresist film. The composition comprises a resin (A) which has a repeating unit represented by the general formula (1-1) and does not have any repeating unit represented by the general formula (1-2) and a resin (B) which has a repeating unit represented by the general formula (1-2) and does not have any repeating unit represented by the general formula (1-1). (1-1) (1-2) wherein R1 represents a hydrogen or the like; R2 represents a single bond or the like; and R3 represents a fluorine-substituted linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or the like.
摘要翻译：公开了一种用于形成上层膜的组合物，其可以形成具有令人满意的高后退接触角的上层膜，并且可用于在光致抗蚀剂膜的表面上形成上层膜。该组合物包括具有由通式（1-1）表示的重复单元并且不具有由通式（1-2）表示的任何重复单元的树脂（A）和具有重复的单元由通式（1-2）表示，并且不具有由通式（1-1）表示的任何重复单元。（1-1）（1-2）其中R1表示氢等; R2表示单键等; R 3表示碳原子数1〜12的氟取代的直链状或支链状的烷基等。

4. 发明公开

KR1020010089148A 감방사선성 수지 조성물 有权
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：KR1020010089148A
公开(公告)日：2001-09-29
申请号：KR1020010005074
申请日：2001-02-02
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 누마따,준 , 스즈끼,아끼 , 하라,히로미찌 , 나쯔메,노리히로 , 무라따,기요시 , 야마모또,마사후미 , 소야노,아끼마사 , 가지따,도루 , 시모까와,쯔또무
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/039 , Y10S430/111 , Y10S430/128
摘要： PURPOSE: Provided is a radiation-sensitive resin composition excellent in sensitivity and resolution, having a small light proximity effect, capable of accurately and stably forming a fine pattern even in an isolated line pattern, capable of ensuring a sufficient focus margin for the isolated line pattern and useful as a positive type or negative type chemical amplification type resist. CONSTITUTION: The radiation-sensitive resin composition contains (A) a low molecular compound obtained by preparing a compound having at least one amino group in which at least one hydrogen atom bonds to a nitrogen atom and substituting the hydrogen atom by a t-butoxycarbonyl group, (B) a radiation-sensitive acid generating agent and (C) (a) an acid dissoluble group-containing resin which is made alkali-soluble when the acid dissoluble group is dissociated or (b) an alkali-soluble resin and an alkali solubility controlling agent. The negative type radiation-sensitive resin composition contains the component (A), the component (B), an alkali-soluble resin as component (D) and a crosslinking agent as component (E).
摘要翻译：目的：提供灵敏度和分辨率优异的光敏树脂组合物，具有小的光接近效应，即使在隔离线图案中也能精确稳定地形成精细图案，能够确保隔离线的足够的聚焦余量图案并且用作正型或负型化学放大型抗蚀剂。构成：辐射敏感性树脂组合物含有（A）通过制备具有至少一个氨基的化合物而获得的低分子化合物，其中至少一个氢原子键合到氮原子上，并用氢原子替换为叔丁氧基羰基，（B）辐射敏感性酸产生剂和（C）（a）当酸溶解基团解离时可碱溶性的含酸溶性基团的树脂，或（b）碱溶性树脂和碱溶解度控制剂。负型辐射敏感性树脂组合物含有组分（A），组分（B），作为组分（D）的碱溶性树脂和作为组分（E）的交联剂。

5. 发明授权

KR101121380B1 상층막 형성용 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101121380B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020097008996
申请日：2007-10-11
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 니시무라,유끼오 , 스기에,노리히꼬 , 나까시마,히로미쯔 , 나쯔메,노리히로 , 고노,다이따
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 상기화학식 1a, 1b 중, R은수소등을, R는단결합등을, R은불소치환된탄소수 1 내지 12의직쇄상또는분지상의알킬기등을나타낸다.

6. 发明公开

KR1020120006566A 상층막 형성용 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成上层膜的组合物和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR1020120006566A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020117029036
申请日：2007-10-11
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 니시무라,유끼오 , 스기에,노리히꼬 , 나까시마,히로미쯔 , 나쯔메,노리히로 , 고노,다이따
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046
摘要： 본 발명은 충분히 높은 후퇴 접촉각을 갖는 상층막을 형성 가능하고, 포토레지스트막의 표면 상에 상층막을 형성하기 위해 이용되는 상층막 형성용 조성물이며, 하기 화학식 1a의 반복 단위를 함유하고 하기 화학식 1b의 반복 단위를 함유하지 않는 수지 (A)와, 하기 화학식 1b의 반복 단위를 함유하고 하기 화학식 1a의 반복 단위를 함유하지 않는 수지 (B)를 포함하는 상층막 형성용 조성물에 관한 것이다.

상기 화학식 1a, 1b 중, R
1 은 수소 등을, R
2 는 단결합 등을, R
3 은 불소 치환된 탄소수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 등을 나타낸다.

7. 发明公开

KR1019980010621A 감방사선성수지조성물 有权
公开(公告)号：KR1019980010621A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019970033029
申请日：1997-07-16
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 이와나가,신이찌로 , 다나베,다까요시 , 나쯔메,노리히로 , 스즈끼,마사요시
IPC分类号： G03F7/004

8. 发明授权

KR101365275B1 상층막 형성용 조성물 및 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成上层膜的组合物和形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR101365275B1
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020117029036
申请日：2007-10-11
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 니시무라,유끼오 , 스기에,노리히꼬 , 나까시마,히로미쯔 , 나쯔메,노리히로 , 고노,다이따
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 본 발명은 충분히 높은 후퇴 접촉각을 갖는 상층막을 형성 가능하고, 포토레지스트막의 표면 상에 상층막을 형성하기 위해 이용되는 상층막 형성용 조성물이며, 하기 화학식 1a의 반복 단위를 함유하고 하기 화학식 1b의 반복 단위를 함유하지 않는 수지 (A)와, 하기 화학식 1b의 반복 단위를 함유하고 하기 화학식 1a의 반복 단위를 함유하지 않는 수지 (B)를 포함하는 상층막 형성용 조성물에 관한 것이다.

상기 화학식 1a, 1b 중, R
1 은 수소 등을, R
2 는 단결합 등을, R
3 은 불소 치환된 탄소수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 등을 나타낸다.

9. 发明公开

KR1020060103882A 감방사선성 수지 조성물 无效
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：KR1020060103882A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020060027422
申请日：2006-03-27
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 니시무라,이사오 , 에가와,히로미 , 스기에,노리히꼬 , 나쯔메,노리히로 , 다까하시,준이찌
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/0045 , G03F7/0046
摘要： 본 발명은 레지스트로서의 충분한 기본 성능을 유지하면서, 특히 초점 심도(DOF)가 우수하고, 현상 결함이 현저하게 감소된 화학 증폭형 레지스트로서 유용한 감방사선성 수지 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 (A) 산해리성기 함유 실록산 수지 및 (B) 감방사선성 산발생제를 함유하며, 형성된 피막에 노광한 후 가열 처리했을 때, 상기 피막의 미노광부의 물과의 접촉각 (α)과 노광부의 물과의 접촉각 (β)의 차이 (α-β)가 (α-β)>5도를 충족하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물을 제공한다.
상기 (A) 성분은, (가) 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위 (I)과 하기 화학식 2로 표시되는 구조 단위 (II)를 갖는 것이 바람직하다.

식 중, A는 환상의 2가 (치환) 탄화수소기, R
1 은 1가 산해리성기, X는 2가 (치환) 탄화수소기, Y는 단결합 또는 2가 결합손, Z는 단결합 또는 2가 (치환) 탄화수소기를 나타낸다.
레지스트, 감방사선성 수지 조성물, 실록산 수지, 감방사선성 산발생제, 초점 심도, 현상 결함

10. 发明公开

KR1020060101308A 반사 방지막 형성용 조성물, 적층체 및 레지스트 패턴의형성 방법 有权
标题翻译：用于形成抗反射膜的组合物，层压体和形成耐蚀图案的方法
公开(公告)号：KR1020060101308A
公开(公告)日：2006-09-22
申请号：KR1020060024222
申请日：2006-03-16
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 요시무라,나까아쯔 , 곤노,게이지 , 나쯔메,노리히로
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0046 , C09D133/06
摘要： 본 발명은 우수한 도포성을 가지고, 미세한 마이크로 버블(micro bubble)의 발생이 현저히 억제되며, 또한 형성된 반사 방지막이 정재파 효과를 충분히 감소시킬 수 있고, 물 및 알칼리 현상액에 대한 용해성이 우수한 반사 방지막 형성용 조성물을 제공한다.
반사 방지막 형성용 조성물은, 측쇄에 히드록실기 함유 유기기를 갖는 중합 유닛을 1종 이상 갖는 중합체, 특히 바람직하게는 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위의 1종 이상 및(또는) 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위의 1종 이상과 하기 화학식 4로 표시되는 반복 단위의 1종 이상을 갖는 공중합체 및(또는) 그의 염을 함유한다.

[R
1 및 R
2 는 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, m은 1 내지 20의 정수이고, A는 2가의 결합수를 나타낸다.]
반사 방지막 형성용 조성물, 적층체, 레지스트 패턴

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