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    • 3. 发明专利
    • KR102226234B1 - Thin Film Transistor Array Substrate and Method for Manufacturing the Same
    • KR102226234B1
    • 2021-03-11
    • KR1020140072694A
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    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 류원상노소영김재현최선영
    • H01L29/786H01L21/336
    • H01L29/78696H01L29/78645
    • 본 발명은 화소 어레이의 액티브층 구성을 변경하여, 소자 신뢰성을 확보하며 개구율 및 투과율을 개선한 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터 어레이 기판은 본 발명의 박막 트랜지스터 어레이 기판은 기판 상의 화소 어레이에, 서로 교차하여 복수개의 투과 영역을 정의하는 복수개의 게이트 라인 및 데이터 라인;과, 상기 게이트 라인의 제 1, 제 2 영역에 구비된 제 1, 제 2 게이트 전극;과, 상기 화소 어레이의 비투과 영역에, 상기 제 1 게이트 전극을 중첩하며 지나는 광차단층;과, 상기 제 1 게이트 전극에 중첩한 제 1 채널 영역, 상기 제 1 채널 영역과 접하여 상기 제 1 게이트 전극 양 외측에 제 1 저농도 영역, 상기 제 2 게이트 전극과 중첩된 영역에 제 2 채널 영역, 상기 제 2 채널 영역에 접하며 상기 제 2 게이트 전극 양 외측으로 상기 제 1 저농도 영역보다 낮은 농도의 제 2 저농도 영역을 가지며, 나머지 영역에 고농도 영역을 갖는 액티브층;과, 상기 액티브층의 일단의 고농도 영역과 접속되며 상기 데이터 라인과 일체형의 소스 전극; 및 상기 액티브층의 타단의 고농도 영역과 접속된 드레인 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.