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热词
    • 5. 发明授权
    • 임프린팅 장치 및 이를 이용한 임프린팅 방법
    • 压印装置及使用其的压印方法
    • KR101780487B1
    • 2017-09-22
    • KR1020100069384
    • 2010-07-19
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 국윤호류순성김철호
    • H01L21/027
    • 본발명은기판에패턴을형성하는공정이이루어지는챔버유닛, 수지층이형성된기판을지지하는스테이지, 기판에패턴이형성되도록수지층을변형시키기위한몰드부재를지지하는지지기구, 몰드부재가수지층에접촉되거나몰드부재가수지층으로부터분리되도록상기지지기구를승하강시키는제1승하강기구, 및상기스테이지에지지된기판을상기스테이지로부터이격시키기위한유체를분사하는분사기구를포함하는임프린팅장치및 이를이용한임프린팅방법에관한것으로, 본발명에따르면, 스테이지가갖는평탄도가기판에패턴을형성하는공정에영향을미치는것을차단할수 있고, 이에따라기판에발생되는얼룩의양을줄임으로써디스플레이장치가표시하는영상의질을향상시킬수 있다.
    • 一种支撑机构,用于支撑用于使树脂层变形的模具构件,从而在基板上形成图案;支撑构件,用于将模具构件支撑在模具构件树脂层上; 第一升降机构,用于升高和降低支撑机构以便与模具构件接收层接触或分离;以及排出机构,用于排出流体以将支撑在载物台上的基板与载物台分离, 根据本发明,可以防止台的平坦度影响在基板上形成图案的步骤,由此减少在基板上产生的污点的量, 图像的质量可以得到改善。
    • 7. 发明授权
    • 박막 패턴의 제조 장치 및 방법
    • 用于制造薄膜图案的设备和方法
    • KR101595460B1
    • 2016-02-18
    • KR1020090078123
    • 2009-08-24
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 김성희류순성김진욱김병걸
    • G02F1/136G02F1/13
    • 본발명은표면에너지를향상시킬수 있는인쇄판을가지는박막패턴의제조장치및 방법을제공하는것이다. 본발명에따른박막패턴의제조방법은인쇄판을마련하는단계와; 유기액이충진되는블랭킷을가지는인쇄롤러를상기인쇄판상에서회전시킴으로써상기유기액을패터닝하는단계와; 상기패터닝되어형성되는유기패턴을기판상에전사하는단계를포함하며, 상기인쇄판을마련하는단계는몰드부를마련하는단계와; 상기몰드부상에가수분해성막을도포하는단계와; 상기인쇄판의표면에너지가상기블랭킷의표면에너지보다높도록상기가수분해성막을어닐링공정을통해가수분해하여상기가수분해성막이친수성을가지는단계를포함하는것을특징으로한다.
    • 本发明提供了一种用于制造具有能够改善表面能的印刷版的薄膜图案的设备和方法。 根据本发明的制造薄膜图案的方法包括以下步骤:提供印版; 通过旋转具有用于向印版上补充有机液体的橡皮布的印刷辊来图案化有机液体; 并且将图案化的有机图案转印到基底上,其中提供印刷板的步骤包括:提供模具部件; 将可水解薄膜应用到模具部件上; 并且通过退火处理水解可水解膜,使得印版的表面能高于橡皮布的表面能,从而可水解膜具有亲水性。
    • 9. 发明公开
    • 금속 산화물 반도체를 구비하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
    • 具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管衬底及其制造方法
    • KR1020130129723A
    • 2013-11-29
    • KR1020120053796
    • 2012-05-21
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 남승희류순성송태준김남국문태형
    • H01L29/786
    • H01L29/7869H01L27/1225H01L27/1288H01L29/66742H01L29/78606
    • The present invention relates to a thin film transistor substrate for a flat display device having a metal oxide semiconductor and a manufacturing method thereof. The thin film transistor substrate including an oxide semiconductor layer according to the present invention comprises a gate electrode formed on a substrate; a gate insulating film covering the gate electrode; a semiconductor channel layer overlapped with the gate electrode on the gate insulating film; an etch stopper overlapped with the part of the center of the gate electrode on the semiconductor channel layer; a first source electrode contacting one side wall of the etch stopper and one side of the semiconductor channel layer; and a first drain electrode contacting the other side wall, which is facing the first source electrode, of the etch stopper and the other side of the semiconductor channel layer.
    • 本发明涉及一种具有金属氧化物半导体的平板显示装置用薄膜晶体管基板及其制造方法。 包括根据本发明的氧化物半导体层的薄膜晶体管衬底包括形成在衬底上的栅电极; 覆盖栅电极的栅极绝缘膜; 半导体沟道层与栅极绝缘膜上的栅电极重叠; 蚀刻停止件,与半导体沟道层上的栅电极的中心部分重叠; 与所述蚀刻停止器的一个侧壁和所述半导体沟道层的一侧接触的第一源电极; 以及与蚀刻停止器和半导体沟道层的另一侧接触面对第一源电极的另一个侧壁的第一漏电极。