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1. 发明专利

KR102237159B1 KR102237159B1 - Organic Compound and Organic Light Emitting Diode Devices using the same 有权
公开(公告)号：KR102237159B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020140089253A
申请日：2014-07-15
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 송인범 , 채기성 , 양중환 , 배숙영 , 김춘기
IPC分类号： C07D403/10 , C07D209/82 , C09K11/06 , H01L51/50
摘要： 본 발명은, 하기 화학식으로 표시되고, R은 C1-C12의 치환 또는 비치환된 알킬기이고, A 및 B는 상기 플러렌 코어의 2번과 7번 위치에 대칭 또는 비대칭적으로 결합되며 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 고리 화합물 또는 이형 고리 화합물 중 어느 하나에서 선택되는 유기 화합물 및 그를 이용한 유기발광다이오드소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면 유기발광다이오드소자의 효율을 향상시키고 구동 전압을 낮출 수 있다.

2. 发明申请

WO2015102403A1 멀티-기능 배리어층을 갖는 플렉서블 전자 디바이스 审中-公开
标题翻译：具有多功能障碍层的柔性电子设备
公开(公告)号：WO2015102403A1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：PCT/KR2014/013090
申请日：2014-12-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 남보애 , 채기성 , 심동훈 , 조성희 , 이신우 , 강지연
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H01L51/0097 , H01L51/0023 , H01L51/0045 , H01L51/5221 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 본 명세서에서는 유기 발광 디스플레이 디바이스에 관한 것으로 더욱 상세하게는 투명하고 휘어지기 쉬우며 전극과 기체/수분 베리어층의 기능을 가진 멀티-기능층을 포함하는 휘어 지기 쉬운 유기 발광 디스플레이 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 유기 발광 디스플레이 디바이스는 기판; 상기 기판 상에 형성된 유기발광소자; 및 상기 유기발광소자와 전기적으로 연결되고 상기 유기발광소자의 기체/수분의 침투를 억제하는 하이브리드-그래핀층을 포함한다. 상기 하이브리드-그래핀층은 2차원적 평면형상을 가진 탄소기반의 제1 필러와 3차원적 형상을 가지는 금속 기반의 제2 필러를 포함하고, 상기 하이브리드-그래핀층의 제1 영역의 제2 필러는 산화되지 않고 상기 하이브리드-그래핀층의 제2 영역의 제2 필러는 산화된 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本说明书涉及有机发光显示装置，更具体地，涉及透明且柔性的有机发光显示装置，其包括：电极; 以及具有气体/湿气阻挡层功能的多功能层，以及制造有机发光显示装置的方法。有机发光显示装置包括：基板; 形成在所述基板上的有机发光元件; 与有机发光元件电连接的用于抑制有机发光元件的气体/水分渗透的混合石墨烯层。混合石墨烯层包括：具有二维平面形状的碳基第一填料; 以及具有三维形状的金属基二次填料，其中混合石墨烯层的第一区域的第二填料不被氧化，并且混合石墨烯层的第二区域的第二填料被氧化。

3. 发明申请

WO2015102402A1 멀티-기능 배리어층을 갖는 플렉서블 전자 디바이스 审中-公开
标题翻译：具有多功能障碍层的柔性电子设备
公开(公告)号：WO2015102402A1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：PCT/KR2014/013089
申请日：2014-12-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 남보애 , 채기성 , 심동훈 , 조성희 , 이신우 , 강지연
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H01L51/5203 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L51/0045 , H01L2251/5338
摘要： 하이브리드-그래핀층은 폴리머, 상기 폴리머에 분산된 복수의 환원된 그래핀 플레이트렛들, 그리고 상기 폴리머의 상기 복수의 환원된 그래핀 플레이트렛들을 상호 연결시키는 복수의 금속 나노 파티클들로 구성된다. 상기 하이브리드-그래핀층은 각각 상이한 면저항값을 가지는 제1 영역과 제2 영역을 가진다. 제1 영역에 위치한 복수의 환원된 그래핀 플레이트렛들은 산화되지 않은 상태의 복수의 금속 나노 파티클들을 통해 상호 연결된다. 제1 영역보다 더 높은 면저항값을 가지는 제2 영역에 위치한 복수의 환원된 그래핀 플레이트렛들은 산화된 상태의 금속 나노 파티클들을 통해 상호 연결된다.
摘要翻译：混合石墨烯层由聚合物组成; 分散在聚合物中的多个还原石墨烯片晶; 以及用于相互连接多个还原的石墨烯血小板的多个金属纳米粒子。混合石墨烯层具有分别具有不同表面电阻值的第一区域和第二区域。位于第一区域的多个还原石墨烯薄片通过多个未被氧化的金属纳米颗粒相互连接。位于具有比第一区域更高的表面电阻值的第二区域的多个还原石墨烯薄片通过被氧化的多个金属纳米颗粒相互连接。

4. 发明授权

KR100847824B1 레지스트 용액 및 이를 이용한 평판표시소자의 제조장치 및방법 有权
标题翻译：用于制造平板平板显示装置的电阻解决方案，装置和方法
公开(公告)号：KR100847824B1
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070063846
申请日：2007-06-27
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김진욱 , 남연희 , 김병욱 , 김동민 , 김주혁 , 이기범 , 김문수 , 김병후 , 채기성
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： G03F7/0002 , H01L21/0273 , H01L27/124 , H01L27/1292
摘要： A resist solution and an apparatus and a method for manufacturing a flat panel display by using the same are provided to form a thin film by a patterning process by means of a soft mold without a photo process. A thin film layer is formed on a substrate for a display device. The resist solution including the heat polymerization initiator is prepared and coated on the substrate by means of a coating device(S2). The resist solution is compressed by a soft mold and molded by an IPP(In-Plane Printing) manner(S4). During the compression operation by the soft mold, UV(Ultraviolet) is illuminated on the resist solution and developed(S6). As a result, the resist pattern transferred to the groove of the soft mold is formed. The soft mold is released from the resist pattern and a heat curing process is performed at the environment of about 100-300 degrees centigrade for 10-60 minutes(S8). The thin film not overlapped with the resist pattern is removed by means of an etching process so that the desired type thin film pattern is formed(S10).
摘要翻译：提供了一种抗蚀剂溶液，以及通过使用该方法制造平板显示器的装置和方法，以通过没有照相处理的软模具的图案化工艺形成薄膜。在显示装置用基板上形成薄膜层。包含热聚合引发剂的抗蚀剂溶液通过涂布装置（S2）制备并涂覆在基材上。抗蚀剂溶液通过软模压缩并通过IPP（平面印刷）方式（S4）模制。在软模的压缩操作期间，紫外线（UV）被照射在抗蚀剂溶液上并显影（S6）。结果，形成了转移到软模的槽的抗蚀剂图案。柔性模具从抗蚀剂图案中释放出来，在约100-300摄氏度的环境中进行10-60分钟的热固化处理（S8）。通过蚀刻工艺去除与抗蚀剂图案不重叠的薄膜，从而形成所需类型的薄膜图案（S10）。

5. 发明授权

KR100835606B1 구리용 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译： Cu兼容抗蚀剂去除组合物
公开(公告)号：KR100835606B1
公开(公告)日：2008-06-09
申请号：KR1020020087408
申请日：2002-12-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 조규철 , 채기성 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D3/2068 , C11D1/22 , C11D7/263 , C11D7/34 , C11D11/0047
摘要： 본 발명은 반도체 소자 또는 액정표시장치용 구리배선을 패턴하기 위해 사용한 레지스트를 제거하기 위한 제거제에 관한 것이다.
액정표시장치등의 사이즈가 대형화함에 따라 동시에 빠른 신호전달을 위하여 기존의 알루미늄 배선에서 저저항인 구리 배선을 사용하여 금속배선을 형성하는 것이 최근의 추세이다. 이러한 구리 배선은 사진식각 공정을 거쳐 형성할 수 있는 데, 본 발명은 이러한 사진식각 공정 후에 남는 기판상의 레지스트를 제거하기 위한 제거제의 조성에 관한 것이다.
본 발명에 따른 구리용 레지스트 제거용 조성물은, 0.1 내지 10 중량%의 벤젠 술폰산, 톨루엔 술폰산, 도데실벤젠 술폰산, 테트라프로필렌 술폰산 중에서 선택된 하나 이상의 물질인 제 1조성물과; 10 내지 99 중량%의 분자량 150 이하인 글리콜 에테르계 용제인 제 2조성물과; 0.5 내지 5 중량%의 부식방지제인 제 3조성물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

6. 发明公开

KR1020050028380A 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：用于去除（照片）电阻的组合物
公开(公告)号：KR1020050028380A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：KR1020030064547
申请日：2003-09-17
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창 , 윤석일
IPC分类号： G03F7/32
摘要： A composition is provided to remove a photoresist for patterning a copper membrane used as a metal wire of an electronic circuit or a display device, which is excellent in a removing ability and can minimize corrosion of a patterned copper membrane. The composition comprises: 10-30wt% of an alkyl alkanol amine compound selected from N-methylethanol amine, N-ethylethanol amine, diethyl ethanol amine, and dimethyl ethanol amine; 10-80wt% of a glycol ether or ethylene glycol compound selected from ethylene glycol methyl ether, diethylene glycol methyl ether, triethylene glycol, and etc.; 9.5-80pts.wt. of a polar solvent selected from N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethyl acetamide, N,N-dimethyl formamide, and etc.; 0.5-10pts.wt. of an anticorrosive agent selected from tolyltriazole, benzotriazole, mercapto benzodiazole, and etc.
摘要翻译：提供组合物以除去用于图案化用作电子电路或显示装置的金属线的铜膜的光致抗蚀剂，其具有优异的去除能力并且可以最小化图案化铜膜的腐蚀。该组合物包括：10-30重量％的选自N-甲基乙醇胺，N-乙基乙醇胺，二乙基乙醇胺和二甲基乙醇胺的烷基链烷醇胺化合物; 10-80重量％的选自乙二醇甲基醚，二甘醇甲基醚，三甘醇等的乙二醇醚或乙二醇化合物; 9.5-80pts.wt。的选自N-甲基-2-吡咯烷酮，N，N-二甲基乙酰胺，N，N-二甲基甲酰胺等的极性溶剂; 0.5-10pts.wt。的选自甲苯基三唑，苯并三唑，巯基苯并二唑等的防腐剂

7. 发明公开

KR1020030030399A 구리용 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：可兼容的电阻去除组合物
公开(公告)号：KR1020030030399A
公开(公告)日：2003-04-18
申请号：KR1020010062527
申请日：2001-10-10
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 채기성 , 황용섭 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 김병욱 , 이상대 , 유종순
IPC分类号： C23F1/10
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/263 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/5013 , G03F7/425 , Y10S134/902
摘要： PURPOSE: A Cu-compatible resist removing composition is provided which reduces product defects due to defects of copper wiring by removing resist cleanly and preventing corrosion of the copper wiring formed at the lower part of the resist. CONSTITUTION: The Cu-compatible resist removing composition comprises 10 to 30 wt.% of first composition that is a compound selected from the group consisting of N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, diethylethanolamine, and dimethylethanolamine; 10 to 80 wt.% of second composition that is a compound selected from the group consisting of ethyleneglycol ethylether, ethyleneglycol butylether, ethyleneglycol methylether, diethyleneglycol methylether, diethyleneglycol ethylether, and diethyleneglycol propylether; and 10 to 80 wt.% of third composition that is a compound selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, and N,N-dimethylimidazole, wherein the second composition is a glycol ether based solution having a molecular weight of 150 or less.
摘要翻译：目的：提供一种Cu兼容的抗蚀剂去除组合物，其通过清除抗蚀剂并防止形成在抗蚀剂下部的铜布线的腐蚀而减少由于铜布线的缺陷导致的产品缺陷。构成：Cu兼容抗蚀剂去除组合物包含10至30重量％的第一组合物，其为选自N-甲基乙醇胺，N-乙基乙醇胺，二乙基乙醇胺和二甲基乙醇胺的化合物; 10至80重量％的第二组合物，其为选自乙二醇乙醚，乙二醇丁醚，乙二醇甲基醚，二甘醇甲基醚，二乙二醇乙醚和二甘醇丙基醚的化合物; 和10〜80重量％的第三组合物，其为选自N-甲基-2-吡咯烷酮，N，N-二甲基乙酰胺，N，N-二甲基甲酰胺和N，N-二甲基咪唑的化合物，其中第二组合物是分子量为150以下的基于二醇醚的溶液。

8. 发明授权

KR101070689B1 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：去除光致抗蚀剂的组合物
公开(公告)号：KR101070689B1
公开(公告)日：2011-10-07
申请号：KR1020030059628
申请日：2003-08-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창 , 윤석일
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 본발명은전자회로또는표시소자의금속배선으로사용되는구리막을패턴하는레지스트(resist) 제거용제에관한것이다. 본발명에따른구리막패턴용레지스트제거용제는 10중량%~30중량%의 N-메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 디메틸에탄올아민중 선택된하나이상의물질과, 10중량%~80중량%의글리콜에테르계용제와, 9.5중량%~50중량%의극성용제와, 0.5중량%~10중량%의부식방지제를포함하는것을특징으로한다. 전술한바와같은물질을포함하는레지스트제거용제는패턴된구리막의상부에잔류하는레지스트를제거하는제거력이매우우수하고, 패턴된구리막의부식을최소화할 수있는장점이있다

9. 发明授权

KR101041611B1 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：去除抗蚀剂的组合物
公开(公告)号：KR101041611B1
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020030064547
申请日：2003-09-17
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창 , 윤석일
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 본 발명은 전자회로 또는 표시소자의 금속배선으로 사용되는 구리막을 패턴하는 레지스트(resist) 제거 용제에 관한 것이다.
본 발명에 따른 구리막 패턴용 레지스트 제거용제는 10중량%~30중량%의 N-메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 디메틸에탄올아민 중 선택된 하나 이상의 물질과, 10중량%~80중량%의 글리콜 에테르계 또는 에틸렌 글리콜 용제와, 9.5중량%~80중량%의 극성용제와, 0.5중량%~10중량%의 부식 방지제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 바와 같은 물질을 포함하는 레지스트 제거용제는 패턴된 구리막의 상부에 잔류하는 레지스트를 제거하는 제거력이 매우 우수하고, 패턴된 구리막의 부식을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.
摘要翻译：本发明涉及用于图案化用作电子电路或显示元件的金属布线的铜膜的抗蚀剂去除剂。

10. 发明公开

KR1020050023163A 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：作为电极电路或显示装置的金属线形成铜箔的光刻胶去除组合物
公开(公告)号：KR1020050023163A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：KR1020030059628
申请日：2003-08-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창 , 윤석일
IPC分类号： G03F7/32
摘要： PURPOSE: Provided is a solvent composition for removing photoresist used in patterning copper film for electronic circuit or display device having excellent removal of the photoresist remained on top portion of the patterned copper film. CONSTITUTION: The solvent composition comprises 10-30wt.% of at least one selected from N-methylethanolamine, diethylethanolamine and dimethylethanolamine; 10-80wt.% of glycol ether solvent; 9.5-50wt.% of polar solvent; and 0.5-10wt.% of corrosion-resistant agent. The photoresist film(40) is formed by vapor-depositing copper on substrate(10) to form a first metallic layer(11) and coating the photoresist on top portion of the first metallic layer(11). On top side of the photoresist film(40), mask(M) having permeable part(E) to pass light through and shield part(F) to block light is formed. After then, high energy activation ray radiates over top portion of the mask(M) to expose the photoresist film(40)match with the permeable part(E). After completing the exposure, the photoresist film is under development, thereby obtaining the pattern of copper film.
摘要翻译：目的：提供一种用于去除用于电子电路的铜膜图案的显影剂的溶剂组合物或具有优异去除残留在图案化铜膜的顶部上的光致抗蚀剂的显示装置。构成：溶剂组合物包含10-30重量％的选自N-甲基乙醇胺，二乙基乙醇胺和二甲基乙醇胺中的至少一种; 乙二醇醚溶剂10-80wt％; 9.5-50重量％极性溶剂; 和0.5-10重量％的耐腐蚀剂。光致抗蚀剂膜（40）通过在基板（10）上气相沉积铜形成第一金属层（11）并在第一金属层（11）的顶部上涂覆光致抗蚀剂而形成。在光致抗蚀剂膜（40）的顶侧，形成具有使光通过的屏蔽部（E）的透光部（E）和屏蔽部（F）遮挡光的掩模（M）。之后，高能激活光线辐射在掩模（M）的顶部上，以使光致抗蚀剂膜（40）与可渗透部分（E）相匹配。曝光完成后，光致抗蚀剂膜正在显影中，从而获得铜膜图案。

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