专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100835606B1 구리용 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译： Cu兼容抗蚀剂去除组合物
公开(公告)号：KR100835606B1
公开(公告)日：2008-06-09
申请号：KR1020020087408
申请日：2002-12-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 조규철 , 채기성 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D3/2068 , C11D1/22 , C11D7/263 , C11D7/34 , C11D11/0047
摘要： 본 발명은 반도체 소자 또는 액정표시장치용 구리배선을 패턴하기 위해 사용한 레지스트를 제거하기 위한 제거제에 관한 것이다.
액정표시장치등의 사이즈가 대형화함에 따라 동시에 빠른 신호전달을 위하여 기존의 알루미늄 배선에서 저저항인 구리 배선을 사용하여 금속배선을 형성하는 것이 최근의 추세이다. 이러한 구리 배선은 사진식각 공정을 거쳐 형성할 수 있는 데, 본 발명은 이러한 사진식각 공정 후에 남는 기판상의 레지스트를 제거하기 위한 제거제의 조성에 관한 것이다.
본 발명에 따른 구리용 레지스트 제거용 조성물은, 0.1 내지 10 중량%의 벤젠 술폰산, 톨루엔 술폰산, 도데실벤젠 술폰산, 테트라프로필렌 술폰산 중에서 선택된 하나 이상의 물질인 제 1조성물과; 10 내지 99 중량%의 분자량 150 이하인 글리콜 에테르계 용제인 제 2조성물과; 0.5 내지 5 중량%의 부식방지제인 제 3조성물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

2. 发明公开

KR1020050028380A 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：用于去除（照片）电阻的组合物
公开(公告)号：KR1020050028380A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：KR1020030064547
申请日：2003-09-17
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창 , 윤석일
IPC分类号： G03F7/32
摘要： A composition is provided to remove a photoresist for patterning a copper membrane used as a metal wire of an electronic circuit or a display device, which is excellent in a removing ability and can minimize corrosion of a patterned copper membrane. The composition comprises: 10-30wt% of an alkyl alkanol amine compound selected from N-methylethanol amine, N-ethylethanol amine, diethyl ethanol amine, and dimethyl ethanol amine; 10-80wt% of a glycol ether or ethylene glycol compound selected from ethylene glycol methyl ether, diethylene glycol methyl ether, triethylene glycol, and etc.; 9.5-80pts.wt. of a polar solvent selected from N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethyl acetamide, N,N-dimethyl formamide, and etc.; 0.5-10pts.wt. of an anticorrosive agent selected from tolyltriazole, benzotriazole, mercapto benzodiazole, and etc.
摘要翻译：提供组合物以除去用于图案化用作电子电路或显示装置的金属线的铜膜的光致抗蚀剂，其具有优异的去除能力并且可以最小化图案化铜膜的腐蚀。该组合物包括：10-30重量％的选自N-甲基乙醇胺，N-乙基乙醇胺，二乙基乙醇胺和二甲基乙醇胺的烷基链烷醇胺化合物; 10-80重量％的选自乙二醇甲基醚，二甘醇甲基醚，三甘醇等的乙二醇醚或乙二醇化合物; 9.5-80pts.wt。的选自N-甲基-2-吡咯烷酮，N，N-二甲基乙酰胺，N，N-二甲基甲酰胺等的极性溶剂; 0.5-10pts.wt。的选自甲苯基三唑，苯并三唑，巯基苯并二唑等的防腐剂

3. 发明授权

KR101070689B1 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：去除光致抗蚀剂的组合物
公开(公告)号：KR101070689B1
公开(公告)日：2011-10-07
申请号：KR1020030059628
申请日：2003-08-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창 , 윤석일
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 본발명은전자회로또는표시소자의금속배선으로사용되는구리막을패턴하는레지스트(resist) 제거용제에관한것이다. 본발명에따른구리막패턴용레지스트제거용제는 10중량%~30중량%의 N-메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 디메틸에탄올아민중 선택된하나이상의물질과, 10중량%~80중량%의글리콜에테르계용제와, 9.5중량%~50중량%의극성용제와, 0.5중량%~10중량%의부식방지제를포함하는것을특징으로한다. 전술한바와같은물질을포함하는레지스트제거용제는패턴된구리막의상부에잔류하는레지스트를제거하는제거력이매우우수하고, 패턴된구리막의부식을최소화할 수있는장점이있다

4. 发明授权

KR101041611B1 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：去除抗蚀剂的组合物
公开(公告)号：KR101041611B1
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020030064547
申请日：2003-09-17
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창 , 윤석일
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 본 발명은 전자회로 또는 표시소자의 금속배선으로 사용되는 구리막을 패턴하는 레지스트(resist) 제거 용제에 관한 것이다.
본 발명에 따른 구리막 패턴용 레지스트 제거용제는 10중량%~30중량%의 N-메틸에탄올아민, 디에틸에탄올아민, 디메틸에탄올아민 중 선택된 하나 이상의 물질과, 10중량%~80중량%의 글리콜 에테르계 또는 에틸렌 글리콜 용제와, 9.5중량%~80중량%의 극성용제와, 0.5중량%~10중량%의 부식 방지제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 바와 같은 물질을 포함하는 레지스트 제거용제는 패턴된 구리막의 상부에 잔류하는 레지스트를 제거하는 제거력이 매우 우수하고, 패턴된 구리막의 부식을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.
摘要翻译：本发明涉及用于图案化用作电子电路或显示元件的金属布线的铜膜的抗蚀剂去除剂。

5. 发明公开

KR1020050023163A 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：作为电极电路或显示装置的金属线形成铜箔的光刻胶去除组合物
公开(公告)号：KR1020050023163A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：KR1020030059628
申请日：2003-08-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창 , 윤석일
IPC分类号： G03F7/32
摘要： PURPOSE: Provided is a solvent composition for removing photoresist used in patterning copper film for electronic circuit or display device having excellent removal of the photoresist remained on top portion of the patterned copper film. CONSTITUTION: The solvent composition comprises 10-30wt.% of at least one selected from N-methylethanolamine, diethylethanolamine and dimethylethanolamine; 10-80wt.% of glycol ether solvent; 9.5-50wt.% of polar solvent; and 0.5-10wt.% of corrosion-resistant agent. The photoresist film(40) is formed by vapor-depositing copper on substrate(10) to form a first metallic layer(11) and coating the photoresist on top portion of the first metallic layer(11). On top side of the photoresist film(40), mask(M) having permeable part(E) to pass light through and shield part(F) to block light is formed. After then, high energy activation ray radiates over top portion of the mask(M) to expose the photoresist film(40)match with the permeable part(E). After completing the exposure, the photoresist film is under development, thereby obtaining the pattern of copper film.
摘要翻译：目的：提供一种用于去除用于电子电路的铜膜图案的显影剂的溶剂组合物或具有优异去除残留在图案化铜膜的顶部上的光致抗蚀剂的显示装置。构成：溶剂组合物包含10-30重量％的选自N-甲基乙醇胺，二乙基乙醇胺和二甲基乙醇胺中的至少一种; 乙二醇醚溶剂10-80wt％; 9.5-50重量％极性溶剂; 和0.5-10重量％的耐腐蚀剂。光致抗蚀剂膜（40）通过在基板（10）上气相沉积铜形成第一金属层（11）并在第一金属层（11）的顶部上涂覆光致抗蚀剂而形成。在光致抗蚀剂膜（40）的顶侧，形成具有使光通过的屏蔽部（E）的透光部（E）和屏蔽部（F）遮挡光的掩模（M）。之后，高能激活光线辐射在掩模（M）的顶部上，以使光致抗蚀剂膜（40）与可渗透部分（E）相匹配。曝光完成后，光致抗蚀剂膜正在显影中，从而获得铜膜图案。

6. 发明公开

KR1020040060601A 구리용 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：铜的电阻去除组合物
公开(公告)号：KR1020040060601A
公开(公告)日：2004-07-06
申请号：KR1020020087408
申请日：2002-12-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 조규철 , 채기성 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성배 , 장석창
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D3/2068 , C11D1/22 , C11D7/263 , C11D7/34 , C11D11/0047
摘要： PURPOSE: A resist-removing composition for copper, a preparation method of an array substrate for a liquid crystal display using the composition and a preparation method of a copper wire pattern using the composition are provided, to remove resist for patterning a copper wire with preventing the corrosion of copper. CONSTITUTION: The resist-removing composition comprises 0.1-10 wt% of an alkylbenzene sulfonate; 10-99 wt% of a glycol ether compound; and 0.5-5 wt% of a corrosion inhibitor. Preferably the alkylbenzene sulfonate is at least one selected from the group consisting of benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, dodecylbenzene sulfonic acid, tetrapropylbenzene sulfonic acid and phenol sulfonic acid; the glycol ether compound is at least one selected from the group consisting of ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol, ethyl ether, ethylene glycol butyl ether, diethylene glycol methyl ether, diethylene glycol ethyl ether and diethylene glycol propyl ether; and the corrosion inhibitor is a mixture of a triazole-based compound and an antioxidizing agent, a mercapto-containing compound, or a mixture of a triazole-based compound, an antioxidizing agent and a mercapto-containing compound.
摘要翻译：目的：提供一种用于铜的抗蚀剂除去组合物，使用该组合物的液晶显示器阵列基板的制备方法和使用该组合物的铜线图案的制备方法，以除去预防铜线图案化的抗蚀剂铜的腐蚀。构成：抗蚀剂去除组合物包含0.1-10重量％的烷基苯磺酸盐; 10-99重量％的二醇醚化合物; 和0.5-5重量％的腐蚀抑制剂。优选地，烷基苯磺酸盐是选自苯磺酸，甲苯磺酸，十二烷基苯磺酸，四丙基苯磺酸和苯酚磺酸中的至少一种; 乙二醇醚化合物是选自乙二醇甲醚，乙二醇，乙醚，乙二醇丁醚，二甘醇甲醚，二乙二醇乙醚，二乙二醇丙醚中的至少一种; 防腐剂是三唑类化合物和抗氧化剂，含巯基化合物，三唑类化合物，抗氧化剂和含巯基化合物的混合物的混合物。

7. 发明授权

KR101167240B1 레지스트 제거용 조성물 有权
公开(公告)号：KR101167240B1
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020050038213
申请日：2005-05-07
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 윤석일 , 김성배 , 정종현 , 박희진 , 장석창 , 신성건 , 김위용 , 허순범 , 김병욱
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 본 발명은 전자회로 또는 표시소자를 패턴하는 레지스트(resist) 제거용 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아민, 용제 및 부식방지제를 포함하며, 상기 부식방지제가 트리아졸류 화합물, 머캅토류 화합물, 하이드록실기를 갖는 벤젠류 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상임을 특징으로 하는 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 레지스트 제거력이 매우 우수하고, 패턴된 금속배선의 부식을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.
레지스트 제거용 조성물, 부식방지제

8. 发明授权

KR101082018B1 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：用于除去（照片）抗蚀剂的组合物
公开(公告)号：KR101082018B1
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：KR1020040032112
申请日：2004-05-07
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김병욱 , 윤석일 , 김성배 , 김위용 , 장석창 , 정종현
IPC分类号： G03F7/32
CPC分类号： G03F7/425 , C07D295/027 , C07D295/088
摘要： 본발명의레지스트제거용조성물은레지스트제거력이매우우수하고, 패턴된금속배선의부식을최소화할 수있는장점이있다.

9. 发明公开

KR1020050106993A 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：用于去除（照片）电阻的组合物
公开(公告)号：KR1020050106993A
公开(公告)日：2005-11-11
申请号：KR1020040032112
申请日：2004-05-07
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김병욱 , 윤석일 , 김성배 , 김위용 , 장석창 , 정종현
IPC分类号： G03F7/32
CPC分类号： G03F7/425 , C07D295/027 , C07D295/088
摘要： 본 발명은 전자회로 또는 표시소자를 패턴하는 레지스트(resist) 제거용 조성물에 관한 것으로, 아민 및 용제를 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 있어서, 상기 아민이 고리형 아민 화합물인 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 레지스트 제거력이 매우 우수하고, 패턴된 금속배선의 부식을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.

10. 发明公开

KR1020050032356A 액정표시장치 세정액 및 세정방법 无效
标题翻译：用于液晶显示的清洁液体和清洁方法
公开(公告)号：KR1020050032356A
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：KR1020030068396
申请日：2003-10-01
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 윤석일 , 김성배 , 장석창
IPC分类号： G03F7/32
摘要： A cleaning liquid and a method for cleaning a liquid crystal display using the same are provided to eliminate an organic residue including a stripper without any corrosion of a metallic wiring and to reduce the cost of chemicals to be additionally used for the prevention any adverse effect caused by reaction of the stripper and water. The cleaning liquid for a liquid crystal display comprises (a) ultrapure water, and (b) carboxylic acid or a derivative thereof. The cleaning liquid has a pH of from 3 to 3.5. In particular, the carboxylic acid or the derivative thereof is preferably formic acid(HCOOH), acetic acid(CH3COOH), propionic acid(CH3CH2COOH) or butyric acid(CH3CH2CH2COOH), and is more preferably acetic acid. The cleaning liquid is generally employed to clean a stripper of the liquid crystal display.
摘要翻译：提供一种清洁液体和使用其的液晶显示器的清洗方法，以消除包括剥离器的有机残留物，而不会有金属布线的任何腐蚀，并降低额外用于预防任何不利影响的化学品的成本通过汽提塔和水的反应。用于液晶显示器的清洁液包括（a）超纯水，和（b）羧酸或其衍生物。清洗液的pH值为3〜3.5。特别地，羧酸或其衍生物优选为甲酸（HCOOH），乙酸（CH 3 COOH），丙酸（CH 3 CH 2 COOH）或丁酸（CH 3 CH 2 CH 2 COOH），更优选为乙酸。清洗液通常用于清洗液晶显示器的汽提器。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式