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1. 发明授权

KR101215429B1 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 有权
标题翻译：稀释剂组合物用于去除光刻胶
公开(公告)号：KR101215429B1
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：KR1020030073134
申请日：2003-10-20
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 윤석일 , 전우식 , 박희진
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 본발명은포토레지스트제거용씬너조성물에관한것으로, 특히 a) 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 10 내지 98 중량부; b) 에틸락테이트 1 내지 70 중량부; c) 케톤 1 내지 70 중량부; 및 d) 폴리에틸렌옥사이드계축합물 0.001 내지 1 중량부를포함하는포토레지스트제거용씬너조성물에관한것이다. 본발명의포토레지스트제거용씬너조성물은액정디스플레이디바이스에사용되는글라스기판및 반도체제조에사용되는웨이퍼의가장자리와후면부위에사용되어불필요하게부착되어진포토레지스트를단시간에효율적으로제거할수 있을뿐만아니라, 인체에대한안정성이높으며, 계면의단차를줄여다양한공정에적용가능하고, 액정디스플레이디바이스및 반도체제조공정을간편화하여경제적으로생산수율을향상시킬수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于去除光刻胶的较薄组合物，特别是a）10至98重量份丙二醇单乙醚乙酸酯; b）1至70重量份的乳酸乙酯; c）1至70重量份的酮; d）0.001〜1重量份的聚环氧乙烷类缩合物。光致抗蚀剂去除较薄的本发明的组合物不仅能有效地去除玻璃基板和光致抗蚀剂的边缘被附连在所述晶片的在很短的时间周期在半导体制造中使用的用于在一个液晶显示装置的背面，对人体不必要地使用并且，通过减小界面的台阶高度并简化液晶显示装置和半导体的制造工艺，从而可以将本发明应用于各种工艺，从而经济地提高生产成品率。

2. 发明公开

KR1020060045957A 레지스트 제거용 조성물 有权
标题翻译：用于去除（照片）电阻的组合物
公开(公告)号：KR1020060045957A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：KR1020050038213
申请日：2005-05-07
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 윤석일 , 김성배 , 정종현 , 박희진 , 장석창 , 신성건 , 김위용 , 허순범 , 김병욱
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 본 발명은 전자회로 또는 표시소자를 패턴하는 레지스트(resist) 제거용 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아민, 용제 및 부식방지제를 포함하며, 상기 부식방지제가 트리아졸류 화합물, 머캅토류 화합물, 하이드록실기를 갖는 벤젠류 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상임을 특징으로 하는 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 레지스트 제거력이 매우 우수하고, 패턴된 금속배선의 부식을 최소화 할 수 있는 장점이 있다.
레지스트 제거용 조성물, 부식방지제

3. 发明公开

KR1020060005111A 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 有权
标题翻译：用于去除感光树脂的薄膜组合物
公开(公告)号：KR1020060005111A
公开(公告)日：2006-01-17
申请号：KR1020040053983
申请日：2004-07-12
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 윤석일 , 박희진 , 김병욱
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 본 발명은 포토레지스트 제거용 씬너 조성물에 관한 것으로, 특히 a) 알킬 에타노에이트, b) 알킬 아마이드, 및 c) 케톤을 포함하는 포토레지스트 제거용 씬너 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 포토레지스트 제거용 씬너 조성물은 액정 디스플레이 디바이스에 사용되는 글라스 기판 및 반도체 제조에 사용되는 웨이퍼의 가장자리와 후면 부위에 사용되어 불필요하게 부착되어진 포토레지스트를 단시간에 효율적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 공정, 특히 Spin-less PR 공정에 적용이 가능하고, 제조공정을 간편화하여 경제적으로 생산수율을 향상시킬 수 있다.
씬너 조성물, 알킬 에타노에이트, 알킬 아마이드, 케톤

4. 发明公开

KR1020050037972A 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 无效
公开(公告)号：KR1020050037972A
公开(公告)日：2005-04-25
申请号：KR1020040083706
申请日：2004-10-19
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 윤석일 , 전우식 , 박희진
IPC分类号： G03F7/32
CPC分类号： G03F7/422 , G03F7/168
摘要： 본 발명은 포토레지스트 제거용 씬너 조성물에 관한 것으로, 특히 a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 아세테이트 100 중량부 및 b) 폴리에틸렌 옥사이드계 축합물 0.001 내지 1 중량부를 포함하는 포토레지스트 제거용 씬너 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 포토레지스트 제거용 씬너 조성물은 액정 디스플레이 디바이스에 사용되는 글라스 기판 및 반도체 제조에 사용되는 웨이퍼의 가장자리와 후면 부위에 사용되어 불필요하게 부착되어진 포토레지스트를 단시간에 효율적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 인체에 대한 안정성이 높으며, 계면의 단차를 줄여 다양한 공정에 적용 가능하고, 액정 디스플레이 디바이스 및 반도체 제조공정을 간편화하여 경제적으로 생산수율을 향상시킬 수 있다.

5. 发明公开

KR1020050014955A 감광성 수지 조성물을 제거하기 위한 씬너 조성물 有权
标题翻译：用于在短时间内去除光电子元件的薄膜组合物，去除薄膜，并减少界面的厚度差异
公开(公告)号：KR1020050014955A
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：KR1020030053380
申请日：2003-08-01
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 윤석일 , 전우식 , 박희진
IPC分类号： G03F7/32
摘要： PURPOSE: A thinner composition is provided to remove a color resist in a short time efficiently from the edges and the back side of a big color glass substrate for a liquid crystal display device, which removes thin residual membrane and reduces a thickness difference of an interface. CONSTITUTION: The thinner composition comprises: 10-90pts.wt. of alkyl amide selected from N-methyl acetamide, dimethyl formamide, and dimethyl acetamide; 10-90pts.wt. of ketone selected from acetone, methyl isopropyl ketone, methyl n-propyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, and cycloheptanone; and 0.001-1pts.wt. of perfluoroalkyl amine oxide having a C5-C30 alkyl group.
摘要翻译：目的：提供更薄的组合物，用于从用于液晶显示装置的大型彩色玻璃基板的边缘和背面有效地短时间地除去抗蚀剂，从而去除薄的残留膜并减小界面的厚度差异。构成：较薄的组成包括：10-90pts.wt。的选自N-甲基乙酰胺，二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺的烷基酰胺; 10-90pts.wt。选自丙酮，甲基异丙基酮，甲基正丙基酮，甲基乙基酮，甲基异丁基酮，二异丁基酮，环戊酮，环己酮和环庚酮的酮; 和0.001-1pts.wt。的具有C 5 -C 30烷基的全氟烷基氧化胺。

6. 发明公开

KR1020040104161A 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 有权
标题翻译：含有丙烯醇单硬脂酸酯，乙醇酸乙酯和环糊精的薄膜组合物用于剥离光刻胶
公开(公告)号：KR1020040104161A
公开(公告)日：2004-12-10
申请号：KR1020030035683
申请日：2003-06-03
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 윤석일 , 전우식 , 박희진
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/168 , G03F7/422
摘要： PURPOSE: Provided is a thinner composition for stripping photoresist, which strips photoresist in a short time with high efficiency during a manufacturing process of a semiconductor device or LCD device, while preventing interfacial infiltration into the photoresist at edges of a substrate. CONSTITUTION: The thinner composition for stripping photoresist comprises: (a) 10-90 parts by weight of a propyleneglycol monoalkyl ether; (b) 10-70 parts by weight of an alkyl ethanoate; and 1-70 parts by weight of a cycloketone. The thinner composition may further comprise at least one selected from the group consisting of: (d) 0.001-1 part by weight of an acrylic copolymer and (e) 0.001-1 parts by weight of a polyethylene oxide-based condensation product.
摘要翻译：目的：提供用于剥离光致抗蚀剂的较薄组合物，其在半导体器件或LCD器件的制造过程中以高效率在短时间内剥离光致抗蚀剂，同时防止在基底的边缘处的光致抗蚀剂的界面渗透。构成：用于剥离光刻胶的较薄组合物包括：（a）10-90重量份的丙二醇单烷基醚; （b）10-70重量份烷基乙酸酯; 和1-70重量份的环酮。更薄的组合物还可以包含选自以下的至少一种：（d）0.001-1重量份的丙烯酸共聚物和（e）0.001-1重量份的聚环氧乙烷缩合产物。

7. 发明授权

KR101251594B1 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물 有权
标题翻译：化学洗涤组合物用于去除耐腐蚀剥离器
公开(公告)号：KR101251594B1
公开(公告)日：2013-04-08
申请号：KR1020060026545
申请日：2006-03-23
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김성배 , 박희진 , 윤석일 , 김병욱 , 신성건
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/50 , C11D7/26 , G03F7/40
摘要： 본 발명은 레지스트 스트리퍼 세정용 케미칼 린스 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 a) 유기 아민류 화합물 0.05 내지10 중량%, b) 유기 용제 0.05 내지30 중량%, c) 트리아졸계 부식방지제 0.005 내지 5 중량%, d) 하이드록시페놀류, 알킬 갈레이트류 및 환원제류로 이루어진 군에서 선택되는 부식방지제 0.005 내지 5 중량%, 및 e) 잔량의 물을 포함하여, 우수한 세정력을 가지면서 동시에 금속막질의 부식을 방지하고, 종래 세정 공정에 사용되오던 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜 등의 인화성 물질인 알코올류를 대체 가능하며, 효과적으로 기판으로부터 스트리퍼 등의 유기 이물 및 먼지등의 무기이물을 세정할 수 있다.
스트리퍼, 이물질, 케미칼 린스 조성물

8. 发明授权

KR101213144B1 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 有权
标题翻译：用于去除感光树脂的薄膜组合物
公开(公告)号：KR101213144B1
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020030073105
申请日：2003-10-20
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 윤석일 , 전우식 , 박희진
IPC分类号： G03F7/32
摘要： 본발명은포토레지스트제거용씬너조성물에관한것으로, 특히 a) 디에틸렌글리콜에틸에테르 30 내지 90 중량부; b) 부틸아세테이트 1 내지 70 중량부; c) 폴리에틸렌옥사이드계축합물 0.001 내지 1 중량부; 및 d) 플루오리네이티드아크릴릭코폴리머 0.001 내지 0.1 중량부을포함하는포토레지스트제거용씬너조성물에관한것이다. 본발명의포토레지스트제거용씬너조성물은액정디스플레이디바이스에사용되는글라스기판및 반도체제조에사용되는웨이퍼의가장자리와후면부위에사용되어불필요하게부착되어진포토레지스트를단시간에효율적으로제거할수 있을뿐만아니라, 인체에대한안정성이높으며, 계면의단차를줄여다양한공정에적용가능하고, 액정디스플레이디바이스및 반도체제조공정을간편화하여경제적으로생산수율을향상시킬수 있다.

9. 发明公开

KR1020070096330A 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물 有权
标题翻译：化学洗涤组合物用于去除耐腐蚀剥离器
公开(公告)号：KR1020070096330A
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020060026545
申请日：2006-03-23
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김성배 , 박희진 , 윤석일 , 김병욱 , 신성건
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/50 , C11D7/26 , G03F7/40
CPC分类号： C11D7/3209 , C11D7/261 , C11D7/3281 , C11D7/5004 , G03F7/40
摘要： A chemical rinse composition for cleaning a resist stripper is provided to improve cleaning power, to prevent the corrosion of a metal film and to remove the organic and inorganic impurities from a substrate. A chemical rinse composition comprises 0.05-10 wt% of an organic amine compound; 0.05-30 wt% of an organic solvent; 0.005-5 wt% of a triazole-based corrosion inhibitor; 0.005-5 wt% of a corrosion inhibitor selected from the group consisting of a hydroxyphenol corrosion inhibitor, an alkyl gallate corrosion inhibitor and a reducing agent; and the balance of water. Preferably the organic solvent is at least one glycol ether compound selected from ethylene glycol methyl ether, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol butyl ether, diethylene glycol methyl ether, diethylene glycol ethyl ether, diethylene glycol butyl ether, and diethylene glycol propyl ether.
摘要翻译：提供用于清洁抗蚀剂剥离器的化学漂洗组合物以提高清洁能力，防止金属膜的腐蚀和从基底去除有机和无机杂质。化学漂洗组合物包含0.05-10重量％的有机胺化合物; 0.05-30重量％的有机溶剂; 0.005-5重量％的三唑类缓蚀剂; 0.005-5重量％的腐蚀抑制剂，选自羟基苯酚腐蚀抑制剂，没食子酸没食子酸烷酯缓蚀剂和还原剂; 和水的平衡。优选有机溶剂是选自乙二醇甲醚，乙二醇乙醚，乙二醇丁醚，二甘醇甲醚，二乙二醇乙醚，二乙二醇丁醚和二乙二醇丙醚中的至少一种二醇醚化合物。

10. 发明公开

KR1020070013777A 포토레지스트 제거용 씬너 조성물 无效
标题翻译：用于去除光电子的薄膜组合物
公开(公告)号：KR1020070013777A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：KR1020050068387
申请日：2005-07-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박희진 , 신성건 , 윤석일 , 김병욱
IPC分类号： G03F7/42
摘要： A thinner composition for removing photoresist used in manufacturing semiconductor or liquid crystal display is provided to efficiently and rapidly remove photoresist adhered in undesired portions of a substrate regardless of kinds of photoresist by comprising alkyl ethanoate and fluorinated acrylic copolymer. The composition principally comprises (a) alkyl ethanoate and (b) fluorinated acrylic copolymer in amount of 0.001 to 1.0wt. parts relative to 100wt. parts of alkyl ethanoate. The fluorinated acrylic copolymer has weight average molecular weight of 1,000 to 10,000. The alkyl ethanoate is selected from a group consisting of methyl ethanoate, ethyl ethanoate, isopropyl ethanoate, normal propyl ethanoate and butyl ethanoate.
摘要翻译：提供了用于去除用于制造半导体或液晶显示器中的光致抗蚀剂的较薄组合物，用于通过包括烷基乙酸酯和氟化丙烯酸共聚物来有效且快速地除去粘附在基板的不希望的部分中的光致抗蚀剂，不管种类的光致抗组合物主要包含（a）烷基乙酸酯和（b）含量为0.001至1.0重量％的氟化丙烯酸共聚物。零件相对于100wt。部分烷基乙酸酯。氟化丙烯酸共聚物的重均分子量为1,000〜10,000。乙酸烷基酯选自乙酸甲酯，乙酸乙酯，乙酸异丙酯，乙酸正丙酯和乙酸丁酯。

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