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1. 发明专利

KR102222902B1 KR102222902B1 - Plasma apparatus and method of fabricating semiconductor device using the same 有权
公开(公告)号：KR102222902B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140056641A
申请日：2014-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김무진 , 김봉석 , 구덕자 , 우제헌 , 이언주
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32706
摘要： 플라즈마 장비는, 내부 공간을 갖는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 배치되고 기판이 로딩되는 상면을 갖는 척, 상기 공정 챔버 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 척의 상부에 플라즈마를 생성시키기 위한 플라즈마 생성 유닛, 및 상기 척에 DC 펄스 신호를 인가하는 DC 파워 생성기를 포함한다. 상기 직류 펄스 신호의 주기는, 네거티브 펄스를 인가하는 네거티브 펄스 구간, 포지티브 펄스를 인가하는 포지티브 펄스 구간, 및 상기 네거티브 펄스 및 포지티브 펄스가 턴-오프 되는 펄스-오프 구간을 포함한다. 상기 포지티브 펄스 구간은 상기 네거티브 펄스 구간 및 상기 펄스-오프 구간 사이에 있다.

2. 发明授权

KR102222902B1 플라즈마 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102222902B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140056641
申请日：2014-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김무진 , 김봉석 , 구덕자 , 우제헌 , 이언주
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
摘要： 플라즈마장비는, 내부공간을갖는공정챔버, 상기공정챔버내에배치되고기판이로딩되는상면을갖는척, 상기공정챔버내부로공정가스를공급하는가스공급유닛, 상기척의상부에플라즈마를생성시키기위한플라즈마생성유닛, 및상기척에 DC 펄스신호를인가하는 DC 파워생성기를포함한다. 상기직류펄스신호의주기는, 네거티브펄스를인가하는네거티브펄스구간, 포지티브펄스를인가하는포지티브펄스구간, 및상기네거티브펄스및 포지티브펄스가턴-오프되는펄스-오프구간을포함한다. 상기포지티브펄스구간은상기네거티브펄스구간및 상기펄스-오프구간사이에있다.

3. 发明公开

KR1020170127724A 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：等离子处理设备
公开(公告)号：KR1020170127724A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020160058189
申请日：2016-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이준수 , 우제헌 , 김응수 , 김학영 , 정상민
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01J37/3299 , H01J2237/334
摘要： 본발명의기술적사상은플라즈마가처리되는공간을제공하는공정챔버, 상기공정챔버내에구비되며, 웨이퍼가탑재되는하부전극, 상기공정챔버내에구비되며, 상기하부전극과마주보는상부전극, 상기상부전극과상기하부전극사이로공정가스를공급하는가스공급부, 상기하부전극에탑재된상기웨이퍼의가장자리를둘러싸도록상기하부전극상에배치되는포커스링, 상기포커스링의하측에배치되고소정간격으로서로이격된제1 몸체들로이루어진엣지링, 상기제1 몸체들내부에설치된복수개의히터들, 및상기히터들각각의구동을제어하는히터제어기를포함하는플라즈마처리장치를제공한다.
摘要翻译：本发明的技术思想是提供一种用于提供处理等离子体的空间的处理室，设置在其上安装晶片的处理室中的下电极，设置在处理室中的上电极，并且，在下部电极上以包围搭载于下部电极上的晶片的边缘的方式配置有聚焦环，聚焦环配置在聚焦环的下侧，由第一主体形成的边缘环，设置在第一主体中的多个加热器以及用于控制每个加热器的驱动的加热器控制器。

4. 发明公开

KR1020170075887A 플라즈마 처리 장치, 그의 플라즈마 처리 방법, 및 플라즈마 식각 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体处理设备，其等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020170075887A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150185181
申请日：2015-12-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오세진 , 우제헌 , 조충호 , 성덕용 , 양장규 , 정재철
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32128 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32963 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31138 , H01L21/67069
摘要： 본발명은플라즈마처리장치, 그의플라즈마처리방법및 플라즈마식각방법을개시한다. 그의장치는, 소스전극과, 소스고주파파워생성부와, 소스고주파파워출력부와, 소스파워출력매니징회로부를포함한다. 소스파워출력매니징회로부는연속파 소스고주파파워의진폭에따른플라즈마에근거하여펄스소스고주파파워의진폭과듀티사이클을결정한다.
摘要翻译：本发明公开了一种等离子体处理装置，其等离子体处理方法以及等离子体蚀刻方法。该装置包括源电极，源高频发电单元，源高频功率输出单元和源功率输出管理电路单元。源功率输出管理电路部分根据连续波源高频功率的幅度确定基于等离子体的脉冲源高频功率的幅度和占空比。

5. 发明公开

KR1020150129942A 플라즈마 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体装置和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150129942A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020140056641
申请日：2014-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김무진 , 김봉석 , 구덕자 , 우제헌 , 이언주
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32706
摘要： 플라즈마장비는, 내부공간을갖는공정챔버, 상기공정챔버내에배치되고기판이로딩되는상면을갖는척, 상기공정챔버내부로공정가스를공급하는가스공급유닛, 상기척의상부에플라즈마를생성시키기위한플라즈마생성유닛, 및상기척에 DC 펄스신호를인가하는 DC 파워생성기를포함한다. 상기직류펄스신호의주기는, 네거티브펄스를인가하는네거티브펄스구간, 포지티브펄스를인가하는포지티브펄스구간, 및상기네거티브펄스및 포지티브펄스가턴-오프되는펄스-오프구간을포함한다. 상기포지티브펄스구간은상기네거티브펄스구간및 상기펄스-오프구간사이에있다.
摘要翻译：等离子体装置包括：处理室，包括内部空间; 布置在处理室中的卡盘，包括用于加载基板的顶侧; 向处理室供给处理气体的气体供给单元; 等离子体发生单元，其在卡盘的上侧产生等离子体; 以及将DC脉冲信号施加到卡盘的直流发电机。直流脉冲信号的周期包括施加负脉冲的负脉冲部分; 正脉冲部分应用正脉冲; 以及关断负脉冲和正脉冲的脉冲截止部分。正脉冲部分位于负脉冲部分和脉冲关断部分之间。

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