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1. 发明授权

KR101911314B1 엑스선 검출기 有权
公开(公告)号：KR101911314B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020120033339
申请日：2012-03-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영 , 이준수 , 김선일 , 박재철 , 윤대건 , 한상욱
IPC分类号： G01T1/24 , A61B6/00 , H01L31/115
CPC分类号： G01T1/247 , H01L27/14636 , H01L27/14676
摘要： 엑스선검출기를제공한다. 본엑스선검출기는제1 영역및 제2 영역으로구성된실리콘기판, 제1 영역에배치되며엑스선을검출하는복수개의픽셀, 제2 영역에배치되며복수개의픽셀에공통의제어신호를공급하는제어패드, 제1 영역에배치되며복수개의픽셀중 그룹핑된픽셀단위로전원을공급하는전원패드를포함한다.

2. 发明公开

KR1020040063233A 플라즈마 식각을 이용한 반도체 제조 방법 失效
标题翻译：通过等离子体蚀刻工艺制备半导体的方法
公开(公告)号：KR1020040063233A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：KR1020030000581
申请日：2003-01-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현수 , 이준수 , 이중기
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor by a plasma etch process is provided to stably perform a subsequent re-growth process on an etched multilayered thin film by minimizing generation of particles on an etched surface during a dry etch process and by preventing the etched surface from being physically and electrically damaged. CONSTITUTION: A multilayered thin film is formed on a semiconductor substrate. An etch mask layer of a predetermined pattern is formed on the multilayered thin film. An electric filed is applied in a mixed gas atmosphere of HBr/BCl3/Ar/Cl2 to generate plasma so that the multilayered thin film is etched.
摘要翻译：目的：提供通过等离子体蚀刻工艺制造半导体的方法，以通过在干蚀刻工艺期间最小化蚀刻表面上的颗粒的产生并通过防止蚀刻表面来稳定地对经蚀刻的多层薄膜进行再生长处理从物理和电气损坏。构成：在半导体衬底上形成多层薄膜。在多层薄膜上形成预定图案的蚀刻掩模层。在HBr / BCl 3 / Ar / Cl 2的混合气体气氛中施加电场以产生等离子体，使得多层薄膜被蚀刻。

3. 发明公开

KR1019980067673A 반도체 이온주입설비의 가스 집기박스 无效
标题翻译：半导体离子注入设备的气箱
公开(公告)号：KR1019980067673A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003886
申请日：1997-02-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이채영 , 이준수
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 이온주입설비로부터 배출되는 공정가스를 메인덕트로 이동하기 전에 집기하도록 하는 반도체 이온주입설비의 가스 집기박스에 관한 것이다.
본 발명은 이온주입설비와 메인덕트 사이의 배관상에 설치되어 소정 공간을 형성하고 있으며, 측벽에 공정가스가 유입되는 유입구와 상측벽에 공기가 배출되는 배출구가 형성된 반도체 이온주입설비의 가스 집기박스에 있어서, 상기 측벽이 투명 재질로 제작되고, 상기 상측벽이 개폐 가능하게 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 집기박스 내부에 축적되는 공정가스에 의한 오염정도를 확인하게 되어 세정시기를 알 수 있으며, 상측벽을 개폐 가능하게 형성함으로써 세정시간을 단축하게 되는 효과가 있다.

4. 发明公开

KR1020140143930A 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：包括电容器的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140143930A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：KR1020130065699
申请日：2013-06-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조영승 , 김성의 , 김지영 , 정훈 , 김찬원 , 서종범 , 이승준 , 이준수
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/88 , H01L21/764 , H01L27/10808 , H01L27/10811 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/90
摘要： 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법에서, 상기 반도체 소자는, 기판 상에 구비되고, 제1 하부 전극, 제1 유전막 및 제1 상부 전극을 포함하는 제1 커패시터 구조물을 포함한다. 상기 기판 상에서 상기 제1 커패시터와 이웃하게 배치되고, 제2 하부 전극, 제2 유전막 및 제2 상부 전극을 포함하는 제2 커패시터 구조물을 포함한다. 상기 제1 및 제2 커패시터 구조물 사이 부위의 상부에는 에어갭이 생성되고 상기 제1 및 제2 커패시터 구조물의 하부를 지지하도록, 상기 제1 및 제2 커패시터 구조물 사이 부위의 적어도 일부를 채우는 절연 패턴을 포함한다. 상기 반도체 소자에 포함된 커패시터는 누설 전류가 감소되고 기울어지거나 쓰러지는 불량이 감소된다.
摘要翻译：在包括电容器的半导体器件及其制造方法中，半导体器件包括：第一电容器结构，其包括形成在衬底上的第一下电极，第一电介质层和第一上电极。半导体器件包括与衬底上的第一电容器相邻的第二电容器结构，并且包括第二下电极，第二电介质层和第二上电极。在第一和第二电容器结构之间的部分的上部产生气隙。绝缘图案填充在第一和第二电容器结构之间的部分的至少一部分中，以支撑第一和第二电容器结构的下部。包括在半导体器件中的电容器减少了泄漏电流和诸如倾斜或塌陷的缺陷。

5. 发明公开

KR1020120100003A 보우잉 방지막을 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 无效
标题翻译：使用耐波层制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120100003A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110018582
申请日：2011-03-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤국한 , 이철규 , 이준수 , 김종규 , 구성모 , 박기진
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/90
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device by using a bowing preventing film is provided to control bowing when forming an opening having a high aspect ratio by forming a material film with an intermediate material film and a top material film and an etching ratio lower than the etching ratio of a bottom material film. CONSTITUTION: A bottom material film(210), an intermediate material film(230), and a top material film(250) are successively formed on a substrate(100). A top opening exposing the upper surface of the bottom material film is formed by etching the intermediate material film and the top material film. A bottom opening(300b) is formed by etching the bottom material film exposed by the top opening. A bit line(113) crossing a word line(105) is formed within the intermediate material film.
摘要翻译：目的：提供一种通过使用防弓膜制造半导体器件的方法，通过形成具有中间材料膜和顶部材料膜的材料膜，并且蚀刻比低于底部材料膜的蚀刻比。构成：在基板（100）上依次形成底部材料膜（210），中间材料膜（230）和顶部材料膜（250）。通过蚀刻中间材料膜和顶部材料膜来形成暴露底部材料膜的上表面的顶部开口。通过蚀刻由顶部开口暴露的底部材料膜形成底部开口（300b）。在中间材料膜内形成与字线（105）交叉的位线（113）。

6. 发明授权

KR102076060B1 커패시터를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102076060B1
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：KR1020130065699
申请日：2013-06-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조영승 , 김성의 , 김지영 , 정훈 , 김찬원 , 서종범 , 이승준 , 이준수
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242

7. 发明授权

KR101776284B1 반도체 기억 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101776284B1
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020110019016
申请日：2011-03-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김종규 , 정상섭 , 윤국한 , 이준수 , 조성일 , 최용준
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/311 , H01L27/02 , H01L49/02
CPC分类号： H01L28/91 , H01L21/31144 , H01L27/0203 , H01L27/10817 , H01L27/10852
摘要： 반도체기억소자의제조방법을제공한다. 이방법에따르면, 기판상의하부몰드막상에, 다마신기법을이용하여하드마스크패턴을형성하고, 하드마스크패턴을식각마스크로사용하여하부몰드막을식각하여, 하드마스크패턴아래에돌출부를정의한다. 돌출부의상면보다낮은레벨에위치한하부몰드막의식각된상면상에서포터패턴을형성하고, 서포터패턴에지지된하부전극을형성한다.

8. 发明公开

KR1020170050056A 반도체 소자의 패턴 형성 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置的图案形成方法
公开(公告)号：KR1020170050056A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150151100
申请日：2015-10-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이준수 , 김홍래 , 이전일
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/02115 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L29/6656 , H01L29/66795
摘要： 본발명의기술적사상에의한반도체소자의패턴형성방법은, 피식각층이형성된기판을준비하는단계, 피식각층상에제1 밀도를갖는하부마스크층및 제1 밀도보다낮은제2 밀도를갖는상부마스크층으로구성된마스크패턴을형성하는단계, 마스크패턴의측벽에하부마스크층및 상부마스크층을덮는스페이서를형성하는단계, 마스크패턴을제거하는단계및 스페이서를식각마스크로이용하여, 피식각층을식각하는단계를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明的技术特征的半导体器件的图案形成方法，包括：准备在蚀刻层形成的基板，蚀刻具有第二密度比下部掩模层下部和第一密度的顶部的步骤对每个层掩模的第一密度通过形成由层的掩模图案，用于覆盖下部掩模层和在掩模图案的侧壁上的掩模层形成间隔，所述方法和间隔件以除去所述掩模图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述各个层的蚀刻该方法包括以下步骤：

9. 发明公开

KR1020130110957A 엑스선 검출기 审中-实审
标题翻译： X射线探测器
公开(公告)号：KR1020130110957A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120033339
申请日：2012-03-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영 , 이준수 , 김선일 , 박재철 , 윤대건 , 한상욱
IPC分类号： G01T1/24 , A61B6/00 , H01L31/115
CPC分类号： G01T1/247 , H01L27/14636 , H01L27/14676
摘要： PURPOSE: An X-ray detecting device is provided to commonly apply power to a plurality of pixels, thereby smoothly supplying power to the X-ray detecting device regardless of the number of the pixels of the X-ray detecting device. CONSTITUTION: An X-ray detecting device includes a silicon substrate (110), a plurality of pixels (120), a control pad (140), and a power pad (130). The silicon substrate is composed of a first region (112) and a second region (114). The pixels are arranged on the first region and detect X-rays. The control pad is arranged on the second region and supplies common control signals to the pixels. The power pad is arranged on the first region and supplies power to the grouped pixels.
摘要翻译：目的：提供一种X射线检测装置，其通常对多个像素施加电力，从而平均地向X射线检测装置供电，而与X射线检测装置的像素数无关。构成：X射线检测装置包括硅衬底（110），多个像素（120），控制焊盘（140）和电源焊盘（130）。硅衬底由第一区域（112）和第二区域（114）组成。像素布置在第一区域上并检测X射线。控制板布置在第二区域上，并向像素提供公共控制信号。功率垫布置在第一区域上，并为分组的像素供电。

10. 发明授权

KR101310231B1 저음 증강 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于增强低音的装置和方法
公开(公告)号：KR101310231B1
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020070005670
申请日：2007-01-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이준수 , 카토나오유키
IPC分类号： H04R3/00
CPC分类号： H04R3/04 , G10H1/06
摘要： 소형 스피커로 신호를 재생할 때 저음역의 배음을 생성하여 저음을 증강하는 저음 증강 장치 및 방법이 개시되어 있다. 본 발명은 저음 증강 방법에 있어서, 입력 신호의 저역 성분을 추출하는 과정, 그 추출된 저역 성분의 배음들을 생성하는 과정, 생성된 배음 신호들을 상기 입력 신호와 합성하는 과정을 포함하며, 상기 배음 생성 과정은 배음 성분의 진폭 레벨의 다이나믹 레인지가 소정 비율로 압축되는 것임을 특징으로 한다.

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