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1. 发明授权

KR101706388B1 어플리케이션 서비스 제공 방법, 장치 및 이를 제공하는 시스템 有权
标题翻译：提供应用服务及其系统的方法和装置
公开(公告)号：KR101706388B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020100085092
申请日：2010-08-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병수 , 신진현 , 신연식
IPC分类号： G06F9/50 , H04L29/08 , G06Q50/10 , H04L29/06
CPC分类号： H04L67/025 , G06F9/5055 , H04L67/303 , H04L67/306 , H04L67/42
摘要： 본발명은어플리케이션(Application) 서비스제공시스템에있어서, 다수의어플리케이션을관리하며, 서비스제공시 클라이언트에대한적절성(suitability) 여부를판단하여확인된클라이언트에의해요청된어플리케이션을제공하는서비스서버와, 무선네트워크를통해상기서비스서버와통신을수행하며, 디바이스식별자를운영체제내에정의하고, 이에대응되는프로파일(profile)을통해상기서비스서버에어플리케이션서비스제공을요청하는클라이언트와, 무선네트워크를통해상기클라이언트와연결되어, 상기클라이언트의요청에의하여어플리케이션을표시하는적어도하나이상의단말기를포함함을특징으로한다.
摘要翻译：一种应用服务提供系统，包括：服务服务器，用于管理多个应用，确定在提供服务时客户端的适用性，以及提供客户请求的应用; 所述客户机通过无线网络与所述服务服务器进行通信，在操作系统中定义设备标识符，以及请求所述服务服务器通过与所述设备标识符相对应的简档来提供应用服务; 以及响应于客户端的请求而显示应用的至少一个终端。

2. 发明公开

KR1020120053799A 반도체 장치 및 반도체 장치의 형성 방법 无效
标题翻译：一种半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020120053799A
公开(公告)日：2012-05-29
申请号：KR1020100115105
申请日：2010-11-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영호 , 김건수 , 백현철 , 신진현 , 최승욱
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/76816 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/76885 , H01L21/76897
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a formation method thereof are provided to improve reliability by easily discharging mobile atoms infiltrated within thin films to outside through a contact mold layer. CONSTITUTION: A contact mold layer(120) is formed on a substrate. A wiring mold layer including grooves which are extended to a first direction is formed on the contact mold layer. The grooves expose the contact mold layer. The wiring mold layer comprises materials having etching selection ratio about the contact mold layer. A hole connected with each groove is formed within the contact mold layer by etching a part of the contact mold layer which is exposed by the each groove. A capping layer is formed on the upper side of a wiring.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其形成方法，以通过容易地将通过接触模制层将薄膜内的移动原子渗透到外部来提高可靠性。构成：在基板上形成接触模层（120）。在接触模层上形成包括沿第一方向延伸的槽的布线模层。凹槽暴露接触模具层。布线模层具有围绕接触模层的蚀刻选择比的材料。通过蚀刻由每个凹槽暴露的接触模制层的一部分，在接触模具层内形成与每个凹槽连接的孔。覆盖层形成在布线的上侧。

3. 发明授权

KR101063933B1 모바일 애드 혹 네트워크 환경에서 데이터 패킷의재전송을 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于在移动自组织网络环境中重传数据分组的设备和方法
公开(公告)号：KR101063933B1
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：KR1020040018890
申请日：2004-03-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조성연 , 신진현 , 문병인
IPC分类号： H04L1/16
摘要： 본 발명은 데이터 패킷의 재전송을 위한 장치 및 방법에 관한 발명으로서, 모바일 애드 혹 네트워크 환경에 있어서, 본 발명의 실시에 따른 패킷 재전송을 요청하는 방법은 주기적으로 브로드캐스트되는 제1 패킷을 수신하는 단계와, 상기 제1 패킷으로부터 어플리케이션 프로그램에 의해 발생된 데이터를 포함하는 제2 패킷에 대한 패킷 전송 정보를 추출하는 단계와, 상기 패킷 전송 정보로부터 상기 제2 패킷의 손실 여부를 판단하는 단계와, 상기 제2 패킷이 손실되었다고 판단된 경우, 상기 제2 패킷의 재전송을 요청하는 요청 패킷을 브로드캐스트하는 단계를 포함한다.
모바일 애드 혹 네트워크(mobile add hoc network), 패킷 손실(packet loss), 브로드캐스트 데이터 패킷(broadcast data packet)
摘要翻译：根据涉及用于数据分组的重传，移动ad hoc网络环境中，用于根据本发明的一个实施例请求包重发的方法的装置和方法的发明，本发明包括被周期性地广播接收第一分组的步骤从第一分组中提取包括由应用程序产生的数据的第二分组的分组传输信息，根据分组传输信息确定第二分组是否丢失，并且如果确定第二分组丢失，则广播请求重传第二分组的请求分组。

4. 发明公开

KR1020050119912A 저항 소자를 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：具有电阻元件的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050119912A
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：KR1020040045057
申请日：2004-06-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신진현
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11541 , H01L21/28273 , H01L21/823437 , H01L27/11543
摘要： 저항 소자를 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 셀 어레이 영역에 차례로 적층된 부유 게이트 전극, 게이트 층간절연막 패턴 및 제어 게이트 전극을 포함하는 셀 게이트 패턴들을 형성하고, 주변회로 영역의 소정영역에 하부 전극 패턴을 구비하는 주변회로 게이트 패턴을 형성하고, 저항 영역에 저항 패턴을 구비하는 저항 소자를 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 저항 소자를 형성하는 단계는 상기 부유 게이트 전극을 형성하는 단계를 이용하여 상기 저항 패턴을 형성한 후, 상기 저항 패턴의 불순물 농도를 증가시키기 위해 소정의 불순물 주입 공정을 추가적으로 실시하는 단계를 포함한다.

5. 发明公开

KR1020050111194A 모바일 애드 혹 네트워크에서의 데이터 전송 방법 및 이를이용한 네트워크 장치 有权
标题翻译：使用移动通信网络传输数据的方法和使用该网络的网络设备
公开(公告)号：KR1020050111194A
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：KR1020040036402
申请日：2004-05-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신진현
IPC分类号： H04L12/56
CPC分类号： H04L1/188 , H04L47/10 , H04L47/14 , H04L47/263 , H04L47/27 , H04W28/08 , H04W28/18 , H04W84/18
摘要： 본 발명은 데이터 전송 방법 및 이를 이용한 네트워크 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 중복 응답 패킷의 수신에 따라 혼잡윈도우의 크기를 조절하여 데이터 전송량을 조절하는 모바일 애드 혹 네트워크에서의 데이터 전송 방법 및 이를 이용한 네트워크 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 데이터 전송 방법은 전송되는 각 데이터 패킷의 시퀀스 넘버와 각 데이터 패킷 전송시의 혼잡윈도우 크기를 맵핑하는 단계와, 전송된 데이터 패킷들 중 손실된 데이터 패킷의 유무를 판단하는 단계, 및 손실된 데이터 패킷이 존재하는 경우 손실된 데이터 패킷을 재전송하고, 혼잡윈도우의 크기를 손실된 데이터 패킷의 시퀀스 넘버에 맵핑된 혼잡윈도우의 크기로 조절하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 무선 애드혹 네트워크에서의 데이터 전송율을 높일 수 있다.

6. 发明公开

KR1020050037298A 모바일 애드 혹 네트워크 환경에서 최적의 전송율을 찾기위한 조절 방법 有权
标题翻译：在移动通信网络电路中获取最佳速率控制的方法
公开(公告)号：KR1020050037298A
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：KR1020030072784
申请日：2003-10-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신진현 , 문병인 , 조성연 , 유혁 , 유시환 , 최진희
IPC分类号： H04B7/26
CPC分类号： H04W28/22 , H04L47/14 , H04L47/193 , H04L47/225 , H04L47/283 , H04L47/29 , H04W84/18
摘要： 본 발명은 모바일 애드 혹 네트워크 환경에서 최적의 전송율을 찾기 위한 조절 방법에 관한 것으로, 현재전송율(cur_bw)과 이전전송율(base_bw)의 차이값(Diff)을 계산하는 제 1단계; 상기 이전전송율의 표준편차(basebw_var)를 계산하여 상한임계값(upper threshold)과 하한임계값(lower threshold)을 설정하는 제 2단계; 상기 차이값과 상기 상하한 임계값의 크기를 비교한 결과에 따라, 상기 이전전송율을 상기 현재전송율로 업데이트하는 제 3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

7. 发明授权

KR100481860B1 비휘발성 메모리 장치의 게이트 구조체 및 그 형성 방법 失效
标题翻译：非易失性存储器件的栅极结构及其形成方法
公开(公告)号：KR100481860B1
公开(公告)日：2005-04-11
申请号：KR1020020054460
申请日：2002-09-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤재선 , 신진현
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L29/66825 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/42324
摘要： 비휘발성 메모리 장치의 트랜지스터 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 트랜지스터의 형성 방법은 반도체기판 상에 게이트 패턴을 형성한 후, 게이트 패턴을 포함하는 반도체기판의 전면에 확산 방지막을 형성하는 단계를 포함한다. 이후, 확산 방지막을 이방성 식각하여 게이트 패턴의 측면에 확산 방지 스페이서를 형성한다. 이때, 게이트 패턴은 차례로 적층된 게이트 산화막, 부유 게이트, 게이트 층간절연막 패턴 및 제어 게이트로 이루어진다. 이후, 확산 방지 스페이서가 형성된 반도체기판에 대해 열산화 공정을 실시한다. 이에 따라, 부유 게이트의 하부 모서리는 열산화되어 라운드된 프로파일을 갖고, 결과적으로 막의 가장자리에서의 두께와 중앙에서의 두께의 차이는 게이트 층간절연막 패턴보다 게이트 산화막의 경우가 더 크게 된다.

8. 发明公开

KR1020040092392A 모바일 애드 혹 네트워크 환경에서 데이터 패킷의재전송을 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于重新移动移动通信网络环境中的数据分组的装置和方法
公开(公告)号：KR1020040092392A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：KR1020040018890
申请日：2004-03-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조성연 , 신진현 , 문병인
IPC分类号： H04L1/16
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for retransmitting a data packet under mobile ad hoc network environment are provided to obtain reliability and broadcast efficiency by minimizing influence of packet collision and transferring stably broadcast packets. CONSTITUTION: A transmission/reception module(1440) is used for receiving or transmitting the packet transmission information, the packet loss identification information, and wireless packets. A packet processing module(1420,1430) is used for receiving the wireless packets from the transmission/reception module and generating an event corresponding to the packet loss identification information or generating packets to be transmitted according to a broadcasting method. A storage module(1410) is used for storing the routing information about nodes adjacent to the packet transmission information. A control module(1400) is used for performing a data transmission process between an application program and a packet processing module and processing an event process corresponding to the event.
摘要翻译：目的：提供一种在移动自组织网络环境下重传数据分组的装置和方法，通过最小化分组冲突的影响和传输稳定的广播分组来获得可靠性和广播效率。构成：发送/接收模块（1440）用于接收或发送分组传输信息，分组丢失识别信息和无线分组。分组处理模块（1420,1430）用于从发送/接收模块接收无线分组，并且根据广播方法产生与分组丢失识别信息对应的事件或生成要发送的分组。存储模块（1410）用于存储关于与分组传输信息相邻的节点的路由信息。控制模块（1400）用于执行应用程序和分组处理模块之间的数据传输处理，并处理与事件相对应的事件处理。

9. 发明公开

KR1019980084529A 불휘발성 메모리 장치의 제조방법 无效
公开(公告)号：KR1019980084529A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970020354
申请日：1997-05-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장동수 , 신진현 , 맹경무 , 최정달
IPC分类号： H01L27/112
摘要： 불휘발성 메모리 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 제1 도전형의 반도체 기판의 상부에 터널 산화막을 형성한 후, 그 위에 부유 게이트, 층간 절연막 및 제어 게이트로 이루어진 셀 게이트를 형성한다. 상기 셀 게이트를 이온 주입 마스크로 이용하여 제2 도전형의 불순물을 이온 주입함으로써 상기 셀 게이트 양측의 기판 표면에 저농도의 소오스/드레인 영역을 형성한다. 상기 저농도의 소오스/드레인 영역이 형성된 결과물의 상부에 제1 절연막을 형성한 후, 상기 제1 절연막의 측벽에 제1 도전층으로 이루어진 스페이서를 형성한다. 상기 제1 도전층 스페이서를 이온 주입 마스크로 이용하여 제2 도전형의 불순물을 이온 주입함으로써 상기 제1 도전층 스페이서 양측의 기판 표면에 고농도의 소오스/드레인 영역을 형성한다. 상기 고농도의 소오스/드레인 영역이 형성된 결과물의 상부에 제2 도전층을 형성한다. 종래의 셀 게이트의 측벽에 형성되는 절연 스페이서 없이 LDD 구조를 갖는 셀 트랜지스를 용이하게 형성할 수 있다.

10. 发明公开

KR1020150136387A 반도체 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150136387A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：KR1020140063824
申请日：2014-05-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송민성 , 신진현 , 심재황 , 임준성 , 최봉현
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/3086 , H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/76224 , H01L21/768 , H01L21/0274
摘要： 트리플패터닝공정을이용하는반도체소자의제조방법을개시한다. 피식각막위에형성된폴리머함유패턴의측벽및 상면을덮는다공성막을형성한다. 다공성막을통해폴리머함유패턴까지분해가스를공급하여폴리머함유패턴의일부를분해하여축소된폴리머함유패턴및 보이드(void)를형성한다. 다공성막의일부를제거하여축소된폴리머함유패턴으로부터이격된다공성스페이서패턴을형성한다. 축소된폴리머함유패턴및 다공성스페이서패턴을식각마스크로이용하여피식각막을식각한다.
摘要翻译：本发明公开了一种通过三重图案化工艺制造半导体器件的方法。形成覆盖在蚀刻对象层上形成的含聚合物的图案的上表面和侧壁的多孔层。通过向多孔层供给含聚合物的图案来分解含有聚合物的图案的一部分。因此，形成了含有还原聚合物的图案和空隙。通过除去多孔层的一部分来形成与含还原聚合物图案分离的多孔隔离物图案。通过使用还原聚合物的图案和多孔空间图案作为蚀刻掩模来蚀刻蚀刻对象层。

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