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1. 发明授权

KR101919422B1 질화물 반도체 기반의 파워 변환 장치 有权
公开(公告)号：KR101919422B1
公开(公告)日：2019-02-08
申请号：KR1020120109274
申请日：2012-09-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전우철 , 이백우 , 신재광 , 오재준
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/768

2. 发明授权

KR101919421B1 반도체소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101919421B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020120089671
申请日：2012-08-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전우철 , 박영환 , 박기열 , 신재광 , 오재준 , 하종봉
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/778
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/32 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/872
摘要： 반도체소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된반도체소자는기판의제1 영역상에형성된고전자이동도트랜지스터(HEMT) 및상기기판의제2 영역상에형성된다이오드를포함할수 있다. 상기 HEMT와다이오드는전기적으로서로연결될수 있다. 상기 HEMT와다이오드는상기기판의상면측에수평방향으로이격하여구비될수 있다. 상기기판의일부상에반도체층이구비될수 있고, 상기반도체층에상기 HEMT가구비될수 있다. 상기반도체층이형성되지않은상기기판의다른일부상에상기다이오드가구비될수 있다. 상기 HEMT와다이오드는, 예컨대, 캐스코드(cascode) 타입으로연결될수 있다.

3. 发明授权

KR101813174B1 게이트로 둘러싸인 드레인을 갖는 고 전자 이동도 트랜지스터 有权
标题翻译：漏极被栅极包围的高电子迁移率晶体管
公开(公告)号：KR101813174B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020100096522
申请日：2010-10-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황인준 , 김종섭 , 최혁순 , 홍기하 , 신재광 , 오재준
IPC分类号： H01L29/778
摘要： 게이트에의해둘러싸인 HEMT에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한 HEMT는 2DEG를포함하는채널층, 상기채널층에상기 2DEG를유발시키는분극층및 상기분극층상에형성된소스, 드레인및 게이트를포함하고, 상기게이트는상기드레인을완전히둘러싼다. 상기게이트는원형또는비원형으로드레인을둘러쌀수 있다.
摘要翻译： Gt; HEMT被门包围。栅极上的本发明的实施例的HEMT包括偏振层和一个源极，漏极，和形成包括2DEG沟道层的偏振层上的栅极，从而使2DEG在沟道层，和具有漏极完全封闭。栅极可以以圆形或非圆形包围漏极。

4. 发明授权

KR101777264B1 발진기 및 상기 발진기의 동작 방법 有权
标题翻译：振荡器和操作振荡器的方法
公开(公告)号：KR101777264B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020100111000
申请日：2010-11-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최현식 , 김호정 , 신재광
IPC分类号： H03B15/00 , H01L43/00
CPC分类号： H03B15/006
摘要： 본발명은발진기및 그동작방법에관한것으로, 발진기는인가전류, 인가전압및 인가자기장중 적어도하나에따라가변적인자화방향을가지는적어도하나의자성층을포함하고, 소정의주파수를가진발진신호를생성하는발진부, 및발진부와동일한기판상에집적되고, 발진신호를차동증폭하여출력신호를제공하는출력단을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种振荡器及其操作的方法，所述振荡器是一个电流，施加的电压和施加根据至少在磁场中的一个包括具有变化的磁化方向，用于产生具有预定频率的振荡信号的至少一个磁性层并且输出级被集成在与振荡部分相同的基底上并且通过差分放大来放大振荡信号以提供输出信号。

5. 发明授权

KR101774937B1 수평 자기 이방성 물질의 자유 자성층을 포함하는 스토리지 노드, 이를 포함하는 자기 메모리 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101774937B1
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020100124440
申请日：2010-12-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김광석 , 정우인 , 신재광 , 김기원 , 이성철 , 피웅환
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要： 수평자기이방성물질의자유층을포함하는스토리지노드와이를포함하는수평자기메모리소자및 이들의제조방법에관해개시되어있다. 수평자기메모리소자의스토리지노드는하부자성층, 상기하부자성층상에형성된피닝층, 상기피닝층상에형성된, 자화방향이고정된핀드층, 상기핀드층의상부면상에형성된터널배리어및 상기터널배리어상에형성되고, 스핀전류에의해자화방향이스위칭되는자유층을포함하고, 상기자유층은수평자기이방성물질층을포함하고그 아래에형성된물질층을감싸는캡(cap) 구조를갖는다.

6. 发明授权

KR101680767B1 불순물 주입을 이용한 고출력 고 전자 이동도 트랜지스터 제조방법 有权
标题翻译：使用杂质注入制造具有高功率的高电子迁移率晶体管的方法
公开(公告)号：KR101680767B1
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020100097417
申请日：2010-10-06
申请人： 삼성전자주식회사 , 경북대학교 산학협력단
发明人： 최혁순 , 이정희 , 신재광 , 오재준 , 하종봉 , 김종섭 , 황인준 , 홍기하 , 임기식 , 김기원 , 김동석
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/0254 , H01L21/76237 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/4236 , H01L29/7787
摘要： 불순물주입을이용한고출력의고 전자이동도트랜지스터(HEMT) 제조방법에관해개시되어있다. 일실시예에의한개시된 HEMT의제조방법은기판상에제1 물질층을형성하고, 상기제1 물질층의전기적저항을높인다음, 이러한제1 물질층상에제1 물질층보다밴드갭이큰, 이격된소스패턴과드레인패턴을형성하는과정을포함한다.
摘要翻译：所述方法可以包括在衬底上形成第一材料层，增加第一材料层的电阻，以及在第一材料层上形成彼此间隔开的源图案和漏极图案，带隙为源极和漏极图案大于第一材料层的带隙。

7. 发明公开

KR1020150065005A 노멀리 오프 고전자이동도 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：正常关闭高电子移动晶体管
公开(公告)号：KR1020150065005A
公开(公告)日：2015-06-12
申请号：KR1020130150015
申请日：2013-12-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황선규 , 전우철 , 황인준 , 김준용 , 송민건 , 신재광 , 오재준
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 노멀리오프고전자이동도트랜지스터가개시된다. 개시된노멀리오프고전자이동도트랜지스터는, 제1 질화물반도체로이루어진채널층과, 상기채널층상에서제2 질화물반도체로이루어지며, 상기채널층에 2차원전자가스를유발하는채널공급층과, 상기채널공급층의양측의소스전극및 드레인전극과, 상기채널공급층상에서상기 2차원전자가스의적어도일부영역에디플리션영역을형성하는디플리션형성층과, 상기디플리션형성층상에서상기디플리션형성층과접촉하며복수의개구부가형성된게이트전극을포함한다.
摘要翻译：公开了一种常关高电子迁移率晶体管。所公开的常闭高电子晶体管包括由第一氮化物半导体构成的沟道层，在沟道层上由第二氮化物半导体构成的沟道供给层，并且在沟道层上引入2D电子气体，源电极以及形成在沟道供给层的两侧的漏电极，在沟道供给层上的2D电子气体的至少一部分区域上形成耗尽区的耗尽形成层以及与沟道供给层的接触的栅电极与耗尽层形成层并且在耗尽层上具有多个开口部分。

8. 发明公开

KR1020150051822A 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：高电子移动性晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150051822A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130133828
申请日：2013-11-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김종섭 , 황인준 , 신재광 , 오재준 , 정수진 , 황선규
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/432 , H01L29/7787
摘要： 고전자이동도트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된고전자이동도트랜지스터는채널층, 상기채널층상에형성되어 2차원전자가스(2DEG;2-Dimensional Electron Gas)를유발하는채널공급층과상기채널공급층상에형성된디플리션공급부, 상기디플리션공급부상에형성된게이트전극및 상기디플리션공급부와상기게이트전극사이에형성된장벽층을구비할수 있다. 상기게이트전극으로부터상기디플리션공급부로주입되는홀의이동을방지하여게이트순방향전류를감소시킬수 있다.
摘要翻译：公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。高电子迁移率晶体管可以包括沟道层，沟道供应层，其形成在沟道层上并诱导二维电子气（2DEG），形成在沟道供应层上的耗尽供应部分，耗尽供应部分和形成在耗尽供应部分和栅电极之间的阻挡层。可以通过防止从栅电极注入到耗尽部分的空穴的迁移来减小栅极的正向电流。

9. 发明公开

KR1020140111063A 고전자이동도 트랜지스터의 게이트전압 조절 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于控制高电子移动晶体管栅极电压的方法和装置
公开(公告)号：KR1020140111063A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：KR1020130020675
申请日：2013-02-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황선규 , 전우철 , 김준용 , 박기열 , 박영환 , 신재광 , 오재준 , 하종봉
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H03K17/063 , G01N27/025 , G01N27/08 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/7787
摘要： The present invention relates to a method for controlling a gate voltage of a high electron mobility transistor (HEMT) in high-voltage switching. A device and method for controlling a gate voltage reduce current collapse or gate leakage current by measuring a voltage (Vds) between a drain electrode and a source electrode of the high electron mobility transistor and controlling the gate voltage applied to the high electron mobility transistor depending on the measured voltage.
摘要翻译：本发明涉及一种用于控制高电压切换中的高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极电压的方法。用于控制栅极电压的装置和方法通过测量高电子迁移率晶体管的漏极和源电极之间的电压（Vds）来减小电流崩溃或栅极漏电流，并且控制施加到高电子迁移率晶体管的栅极电压依赖测量电压。

10. 发明公开

KR1020140070248A 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：高电子移动性晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140070248A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020120138512
申请日：2012-11-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전우철 , 김종섭 , 박기열 , 박영환 , 신재광 , 오재준 , 최혁순 , 황인준
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L21/02109 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/8613
摘要： Disclosed are a high electron mobility transistor and a method of manufacturing the same. The disclosed HEMT includes a channel layer; a channel supply layer which is formed on the channel layer; a source electrode and a drain electrode which are formed on the channel layer or the channel supply layer; a gate electrode which is arranged between the source electrode and the drain electrode; a first depletion forming layer which is formed between the gate electrode and the channel supply layer; and a second depletion formation layer which is formed on the channel supply layer, formed between the gate electrode and the drain electrode, and electrically connected to the source electrode.
摘要翻译：公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。所公开的HEMT包括通道层; 形成在沟道层上的沟道供给层; 形成在沟道层或沟道供给层上的源电极和漏极; 设置在源电极和漏电极之间的栅电极; 第一耗尽形成层，其形成在所述栅电极和所述沟道供给层之间; 以及第二耗尽层，其形成在所述沟道供给层上，形成在所述栅电极和所述漏极之间，并与所述源电极电连接。

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