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1. 发明公开

KR1020070060173A 감광막 현상 장치 无效
标题翻译：用于开发耐光胶片的装置
公开(公告)号：KR1020070060173A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020050119149
申请日：2005-12-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 변성환
IPC分类号： H01L21/027
摘要： An apparatus for developing a photoresist layer is provided to secure easily the uniformity of CD(Critical Dimension) of a pattern and to improve the reliability by using a plurality of developer supply nozzles and a plurality of driving units capable of controlling discretely spray angles of the developer supply nozzles. A photoresist layer developing apparatus includes a chuck, a developer supply unit, a plurality of developer supply nozzles, and a plurality of driving units. The chuck is used for supporting and rotating a semiconductor substrate with a photoresist layer. The developer supply unit is used for supplying a developer to the substrate. The plurality of developer supply nozzles(120) are connected with the developer supply unit and arranged at upper portions of the substrate. The plurality of driving units are used for controlling discretely the spray angles of the developer supply nozzles.
摘要翻译：提供用于显影光致抗蚀剂层的装置，以容易地确保图案的CD（临界尺寸）的均匀性，并且通过使用多个显影剂供应喷嘴和能够控制离散喷射角度的多个驱动单元来提高可靠性显影剂供应喷嘴。光致抗蚀剂层显影装置包括卡盘，显影剂供应单元，多个显影剂供应喷嘴和多个驱动单元。卡盘用于支撑和旋转具有光致抗蚀剂层的半导体衬底。显影剂供应单元用于向显影剂供应显影剂。多个显影剂供应喷嘴（120）与显影剂供应单元连接并且布置在基板的上部。多个驱动单元用于离散地控制显影剂供应喷嘴的喷射角度。

2. 发明公开

KR1020040081865A 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 失效
标题翻译：使用该方法形成微细图案的半导体器件的制造方法和获得具有100NM以下的CD（关键尺寸）的精细光电子图案
公开(公告)号：KR1020040081865A
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：KR1020030016434
申请日：2003-03-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 변성환 , 이대엽 , 김봉철
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , Y10S438/949
摘要： PURPOSE: A method for forming a fine pattern and a manufacturing method of a semiconductor device using the same are provided to overcome resolution limit and to obtain a fine photoresist pattern having CD(Critical Dimension) of 100§^ and below. CONSTITUTION: A mask layer is formed on a substrate(100) having an insulating layer(120). The first mask pattern with a space of the first size is formed by patterning the mask layer, wherein the first size is larger than a predetermined size(DL). The second mask pattern with a space of the second size smaller than the first size is formed by annealing the first mask pattern. A polymer layer is formed on the second mask pattern. The third mask pattern(146) with same space as the predetermined size is formed by reacting the second mask pattern to the polymer layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成精细图案的方法和使用其的半导体器件的制造方法以克服分辨率极限，并获得具有100（s）及以下的CD（临界尺寸）的精细光致抗蚀剂图案。构成：在具有绝缘层（120）的基板（100）上形成掩模层。具有第一尺寸的空间的第一掩模图案通过对掩模层进行图案化而形成，其中第一尺寸大于预定尺寸（DL）。通过退火第一掩模图案形成具有小于第一尺寸的第二尺寸的空间的第二掩模图案。聚合物层形成在第二掩模图案上。通过使第二掩模图案与聚合物层反应而形成具有与预定尺寸相同的空间的第三掩模图案（146）。

3. 发明授权

KR100706813B1 반도체 장치의 패턴 배치 방법 失效
标题翻译：半导体器件图案的排列方法
公开(公告)号：KR100706813B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020060013856
申请日：2006-02-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인성 , 서성수 , 이석주 , 변성환 , 김상욱
IPC分类号： H01L21/027

4. 发明公开

KR1020040057468A 레티클 스테이지 및 이를 포함하는 노광 장치 无效
标题翻译：反应阶段和曝光装置，包括它们
公开(公告)号：KR1020040057468A
公开(公告)日：2004-07-02
申请号：KR1020020084216
申请日：2002-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배용국 , 변성환 , 심우석
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A reticle stage and an exposure apparatus including the same are provided to prevent the light passed through a reticle from being scattered and refracted to a photoresist pattern due to the reflection of an inner wall of the reticle stage by forming the reticle stage using beam penetration material and forming a tilted surface on the inner wall. CONSTITUTION: A reticle(180) is used for selectively supplying light to a substrate. A reticle stage(150) includes a plate(100) made of beam penetration material for supporting the reticle. The plate has an opening portion(110) and an inner wall(130b). The reticle stage further includes a light shielding layer(120) on the first surface of the plate for blocking unwanted light. The size of the opening portion is smaller than the reticle. Preferably, the inner wall has a tilted surface.
摘要翻译：目的：提供一种掩模版台和包括该掩模版的曝光设备，以防止由于通过使用光束形成标线片台而使标线片平台的内壁反射而使通过标线的光被散射并折射到光刻胶图案穿透材料并在内壁上形成倾斜表面。构成：将掩模版（180）用于向衬底选择性地提供光。标线片台（150）包括由用于支撑掩模版的光束穿透材料制成的板（100）。该板具有开口部分（110）和内壁（130b）。标线片台还包括在该板的第一表面上的遮光层（120），用于阻挡不需要的光。开口部的尺寸比掩模版小。优选地，内壁具有倾斜表面。

5. 发明公开

KR1020040004930A 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 전면 노광 장치 无效
标题翻译：用于制作光刻图案和布局曝光装置的方法
公开(公告)号：KR1020040004930A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：KR1020020039163
申请日：2002-07-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이대엽 , 변성환
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a photoresist pattern and a blanket exposure apparatus is provided to uniformly form a photoresist layer only on the sidewall of the opening of the photoresist pattern by exposing the front surface of the photoresist pattern including the photoresist layer. CONSTITUTION: The first photoresist material is formed on a substrate(50) to form the first photoresist layer. The first photoresist layer is selectively removed to form the first opening of the first line width. The first photoresist pattern is formed in which the substrate is exposed. The second photoresist material is continuously formed on the sidewall and the bottom of the first photoresist pattern and the first opening to form the second photoresist layer. An exposure process is performed on the front surface of the second photoresist layer. The exposed second photoresist layer is eliminated so that the second photoresist layer exists only on the sidewall of the first photoresist pattern and the second photoresist pattern(60b) including the second opening of the second line width is formed.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造光致抗蚀剂图案和橡皮布曝光设备的方法，以通过暴露包含光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂图案的前表面来均匀地在光致抗蚀剂图案的开口的侧壁上形成光致抗蚀剂层。构成：第一光致抗蚀剂材料形成在基板（50）上以形成第一光致抗蚀剂层。选择性地去除第一光致抗蚀剂层以形成第一线宽度的第一开口。形成第一光致抗蚀剂图案，其中衬底被暴露。第二光致抗蚀剂材料连续地形成在第一光致抗蚀剂图案和第一开口的侧壁和底部上以形成第二光致抗蚀剂层。在第二光致抗蚀剂层的前表面上进行曝光处理。消除曝光的第二光致抗蚀剂层，使得第二光致抗蚀剂层仅存在于第一光致抗蚀剂图案的侧壁上，并且形成包括第二线宽度的第二开口的第二光致抗蚀剂图案（60b）。

6. 发明授权

KR100489660B1 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 失效
标题翻译：用于形成纳米图案的方法和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100489660B1
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020030016434
申请日：2003-03-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 변성환 , 이대엽 , 김봉철
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , Y10S438/949
摘要： 나노급의 미세 패턴을 형성하기 위한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 패턴이 형성될 대상물 상에 마스크 막을 형성하고, 마스크 막을 패터닝하여 설정 사이즈보다 큰 제1 사이즈의 스페이스를 갖는 제1 마스크 패턴을 형성한 다음, 제1 마스크 패턴을 열처리하여 제1 사이즈보다 작은 제2 사이즈의 스페이스를 갖는 제2 마스크 패턴을 형성한다. 이어서, 제2 마스크 패턴 상에 폴리머막을 형성하고 폴리머막과 제2 마스크 패턴을 반응시켜, 설정 사이즈에 일치하는 스페이스를 갖는 제3 마스크 패턴을 형성한다. 현재의 노광 장비에 의한 해상도 한계를 극복할 수 있으며, 약 100nm 이하의 임계 치수를 갖는 초고집적도의 반도체 장치를 생산할 수 있다.

7. 发明公开

KR1020140019498A 서지에 의한 손상을 방지할 수 있는 휴대 단말 无效
标题翻译：移动终端可以防止其受到损坏
公开(公告)号：KR1020140019498A
公开(公告)日：2014-02-17
申请号：KR1020120085528
申请日：2012-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신경동 , 변성환 , 장미애 , 조재식
IPC分类号： H02H9/04 , H02J7/00
CPC分类号： H02J7/0029 , H01F27/343
摘要： The present invention relates to a portable terminal capable of preventing damage due to surge. The portable terminal according to the present invention includes: an external device interface unit; a charging unit which charges the battery of the portable terminal with a voltage inputted from the external device interface unit; and a momentary overvoltage preventing unit which is connected between the external device interface unit and the charging unit and prevents a momentary overvoltage from being inputted from the external device interface unit to the charging unit. [Reference numerals] (120) Battery; (140) Charging unit; (AA,BB) Overvoltage
摘要翻译：本发明涉及一种能够防止浪涌引起的损坏的便携式终端。根据本发明的便携式终端包括：外部设备接口单元; 充电单元，其利用从外部设备接口单元输入的电压对便携式终端的电池充电; 以及瞬时过电压防止单元，其连接在外部设备接口单元和充电单元之间，并且防止瞬时过电压从外部设备接口单元输入到充电单元。（附图标记）（120）电池; （140）充电单元; （AA，BB）过电压

8. 发明公开

KR1020050068546A 오염 지표가 형성된 포토마스크 无效
标题翻译：具有缺陷指示器的照片
公开(公告)号：KR1020050068546A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030100086
申请日：2003-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 변성환 , 심우석
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 오염 지표가 형성된 포토마스크에 관한 것으로서, ArF 엑시머 레이저를 이용하는 노광 공정에서 일정량 이상의 노광이 진행되었을 경우에 포토마스크에 발생되는 헤이즈 결함을 방지하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 포토마스크는 일정량 이상이 노광되면 색깔이나 굴절률 등의 성질이 변하는 폴리머와 같은 물질을 이용하여 마스크 주변 영역에 오염 지표를 형성한다. 따라서, 헤이즈 결함이 발생하기 전에 이를 예고하고 효율적으로 방지할 수 있다.

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