会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 8. 发明公开
    • 반도체 소자 제조 방법
    • 半导体器件的制造方法
    • KR1020170004792A
    • 2017-01-11
    • KR1020150109498
    • 2015-08-03
    • 삼성전자주식회사
    • 김봉철한은수이동석
    • H01L21/027H01L21/033H01L21/28
    • H01L21/3086H01L21/0337H01L21/32139H01L21/823431H01L27/10879H01L27/10897
    • 반도체소자제조방법이제공된다. 반도체소자의제조방법은, 제1 막상에제1 마스크패턴및 제2 마스크패턴을형성하고, 상기제1 막상에, 상기제2 마스크패턴을덮는블록마스크를형성하고, 상기제1 마스크패턴의측벽상에, 제1 스페이서를형성하고, 상기제1 마스크패턴및 상기블록마스크를제거하여, 상기제2 마스크패턴을노출시키고, 상기제1 스페이서및 상기제2 마스크패턴을식각마스크로상기제1 막을식각하여, 제3 마스크패턴및 제4 마스크패턴을각각형성하고, 상기제3 마스크패턴의측벽및 상기제4 마스크패턴의측벽상에, 제2 스페이서및 제3 스페이서를각각형성하는것을포함한다.
    • 提供了一种制造半导体器件的方法,其包括在第一层上形成第一掩模图案和第二掩模图案,形成覆盖第一层上的第二掩模图案的块掩模,在第一层的侧壁上形成第一间隔物 第一掩模图案,通过去除第一掩模图案和块掩模曝光第二掩模图案,通过使用第一间隔物和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻第一层来形成第三掩模图案和第四掩模图案, 以及分别在第三掩模图案的侧壁和第四掩模图案的侧壁上形成第二间隔物和第三间隔物。