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1. 发明公开

KR1020170030357A 반도체 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170030357A
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020150127841
申请日：2015-09-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박세준 , 윤장근 , 황성민 , 문안식 , 샤즈리앙
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 반도체소자는, 기판상면에수직한제1 방향으로연장되는반도체패턴과, 상기반도체패턴상에상기반도체패턴과상기제1 방향으로이격되도록구비되는채널패턴과, 상기반도체패턴및 채널패턴사이에서상기반도체패턴및 채널패턴을전기적으로연결시키는연결구조물과, 상기반도체패턴을둘러싸면서상기기판상면에평행한제2 방향을따라연장되는제1 게이트와, 상기채널패턴을둘러싸면서상기제2 방향을따라연장되는복수의제2 게이트들및 상기채널패턴및 제2 게이트사이에구비되고, 터널절연막패턴, 전하저장막패턴및 블로킹패턴을포함하는정보저장구조물을포함한다. 상기연결구조물에의해상기채널패턴및 반도체패턴이전기적으로연결될수 있다.
摘要翻译：一种半导体器件包括：半导体图案，在垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸;沟道图案，形成在半导体图案上以沿着第一方向与半导体图案间隔开; 连接结构，用于电连接所述半导体图案和所述沟道图案;第一栅极，围绕所述半导体图案并且沿平行于所述衬底的所述顶表面的第二方向延伸; 以及信息存储结构，设置在沟道图案和第二栅极之间并且包括隧道绝缘膜图案，电荷存储膜图案和阻挡图案。沟道图案和半导体图案可以通过连接结构电连接。

2. 发明公开

KR1020060083339A 노즐 및 이를 가지는 플라즈마 처리 장치 无效
标题翻译：喷嘴和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020060083339A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050003846
申请日：2005-01-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문안식 , 홍주표
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/45565 , H01J37/3244
摘要： 본 발명은 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 적어도 두개의 혼합된 소스가스들을 분사하는 노즐들을 가진다. 각각의 상기 노즐은 하나의 통로가 형성되며 가스공급부로부터 소스가스들을 공급받는 단일부와 상기 단일부로부터 연장되며 복수의 통로들이 형성된 복합부를 가진다.
HDP-CVD, 노즐, 증착, 플라즈마

3. 发明公开

KR1020040003284A 웨이퍼 냉각 기체용 아크 방지체 无效
标题翻译：防止冷却气体的ARC防结构
公开(公告)号：KR1020040003284A
公开(公告)日：2004-01-13
申请号：KR1020020037943
申请日：2002-07-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문안식 , 최규상 , 양윤식 , 김진만
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: An arc preventing structure for wafer cooling gas is provided to be capable of securely preventing the generation of plasma arc phenomenon by prolonging the moving path of the wafer cooling gas. CONSTITUTION: An arc preventing structure(100) is located at the inner portion of a wafer cooling gas moving path. At this time, the arc preventing structure includes a body part(101) inserted in the moving path. At the time, a plurality of groove(102) are formed at the peripheral portion of the body part. Preferably, each groove is used for smoothly inducing the flow of wafer cooling gas in order to prevent arc phenomenon from being generated at the inner portion of the moving path. Preferably, the groove is formed into a spiral type structure.
摘要翻译：目的：提供一种用于晶片冷却气体的防弧结构，通过延长晶片冷却气体的移动路径，能够可靠地防止等离子体电弧现象的产生。构成：防弧结构（100）位于晶片冷却气体移动路径的内部。此时，防弧结构包括插入移动路径的主体部（101）。此时，在主体部的周边部形成有多个槽102。优选地，每个凹槽用于平滑地引导晶片冷却气体的流动，以防止在移动路径的内部部分产生电弧现象。优选地，所述槽形成为螺旋型结构。

4. 发明公开

KR1020170054855A 3차원 반도체 메모리 소자 및 그의 형성 방법 审中-实审
标题翻译：三维半导体存储器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020170054855A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：KR1020150157520
申请日：2015-11-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박세준 , 윤장근 , 황성민 , 문안식 , 샤즈리앙
IPC分类号： H01L27/115
摘要： 3차원반도체메모리소자및 그의형성방법이제공된다. 상기 3차원반도체메모리소자는기판상에위치하는제 1 게이트패턴; 상기제 1 게이트패턴의상부면상에위치하는제 2 게이트패턴; 상기제 1 게이트패턴의측면상에위치하고, 상기제 1 게이트패턴의상부면과상기제 2 게이트패턴의하부면사이로연장하는제 1 배리어패턴; 상기제 1 배리어패턴의측면상에위치하는제 1 유전패턴; 상기제 2 게이트패턴의측면상에위치하고, 상기제 1 배리어패턴의상부면과상기제 2 게이트패턴의하부면사이로연장하는제 2 배리어패턴; 및상기제 2 배리어패턴의측면상에위치하고, 상기제 1 배리어패턴의상부면과상기제 2 배리어패턴의하부면사이로연장하는제 2 유전패턴을포함한다. 상기제 2 유전패턴은상기제 1 유전패턴의상부면상으로연장한다.
摘要翻译：提供了一种三维半导体存储器件及其形成方法。该三维半导体存储器件包括位于衬底上的第一栅极图案; 位于第一栅极图案的上表面上的第二栅极图案; 第一阻挡图案，位于第一栅极图案的一侧并且在第一栅极图案的顶表面和第二栅极图案的底表面之间延伸; 定位在第一阻挡图案的一侧上的第一电介质图案; 第二阻挡图案，位于第二栅极图案的一侧并且在第一阻挡图案的上表面和第二栅极图案的下表面之间延伸; 以及第二电介质图案，位于第二阻挡图案的一侧并且在第一阻挡图案的上表面和第二阻挡图案的下表面之间延伸。第二电介质图案在第一电介质图案的上表面上延伸。

5. 发明公开

KR1020170018996A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170018996A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150112377
申请日：2015-08-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황성민 , 윤장근 , 문안식 , 박세준 , 샤즈리앙 , 임준성
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573
摘要： 본발명의실시예에따른반도체장치는, 기판상에수직하게적층되는게이트전극들을포함하는게이트적층물, 게이트적층물을관통하여기판에수직하게연장되며, 채널영역이배치되는채널홀들, 채널홀들중 일부의상단에배치되며제1 도전형불순물을포함하는제1 채널패드들, 및채널홀들중 일부의상단에배치되며제2 도전형불순물을포함하는제2 채널패드들을포함한다.
摘要翻译：半导体器件包括栅极堆叠，其包括垂直堆叠在衬底上的栅电极。通道孔穿过栅极堆叠，以垂直于衬底延伸。每个通道孔包括通道区域。第一通道焊盘各自设置在与衬底相对的相应通道孔的端部。每个第一通道焊盘包括至少一种第一导电型杂质。第二通道焊盘各自设置在与衬底相对的相应通道孔的端部。每个第二通道焊盘包括至少一种第二导电型杂质。

6. 发明公开

KR1020050042436A 플라즈마 처리 장치에 사용되는 분사관 및 이를 가지는 플라즈마 화학 기상 증착 장치 失效
标题翻译：等离子体化学蒸气沉积装置，等离子体处理装置中使用的喷嘴和喷射管
公开(公告)号：KR1020050042436A
公开(公告)日：2005-05-09
申请号：KR1020040025097
申请日：2004-04-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문안식 , 양윤식 , 한재현 , 홍주표 , 채승기 , 이인철 , 이종구 , 김대현
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/45563
摘要： 본 발명은 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 적어도 두개의 혼합된 소스가스들을 분사하는 노즐들을 가진다. 각각의 상기 노즐은 하나의 통공이 형성되며 가스공급부로부터 소스가스들을 공급받는 단일부와 상기 단일부로부터 연장되며 하나 또는 복수의 통공들이 형성된 복합부를 가진다.

7. 发明公开

KR1020170054651A 수직형 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：垂直型存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170054651A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：KR1020150157066
申请日：2015-11-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤장근 , 샤즈리앙 , 문안식 , 박세준 , 임준성 , 황성민
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/1157 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/11565 , H01L27/11582
摘要： 수직형메모리장치는기판상면에수직한제1 방향으로연장된채널, 상기기판상면으로부터상기제1 방향으로연장되며상기채널보다큰 폭을갖는더미(dummy) 채널, 상기기판상에상기제1 방향을따라서로이격된복수개의층들에각각형성되어상기채널및 상기더미채널의외측벽들을둘러싸는복수개의게이트전극들, 및상기복수개의게이트전극들중에서최하층에형성된제1 게이트전극과상기기판상면사이에형성된지지패턴을포함할수 있으며, 상기채널및 상기더미채널은상기제1 게이트전극과상기기판사이에서서로접촉하여연결될수 있다.
摘要翻译：垂直存储器件包括在垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸的沟道，从衬底的上表面沿第一方向延伸且宽度大于沟道的虚拟沟道，多个栅电极，形成在彼此间隔开的多个层上以包围沟道和虚设沟道的外壁，多个栅电极形成在形成在最下层上的第一栅电极和衬底的上表面之间，并且沟道和虚拟沟道可以在第一栅电极和衬底之间彼此接触地彼此连接。

8. 发明公开

KR1020080075734A 공정 챔버 无效
标题翻译：过程室
公开(公告)号：KR1020080075734A
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020070015032
申请日：2007-02-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박재경 , 박영규 , 이원순 , 허노현 , 김병동 , 문안식
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/687
CPC分类号： H01J37/32715 , H01L21/68721
摘要： A process chamber is provided to compensate for a distortion of a sheath boundary by horizontally forming the sheath boundary on a surface of a substrate. A process chamber includes a plate(100) and an upper ring(104). The plate is placed on a substrate. The upper ring is installed around the plate and has a main surface. A relative height between the main surface of the upper ring and a main surface of the plate is changed. The plate is fixed, while a height of the upper ring is adjustable. A ring lift pin(106) is connected to a lower portion of the upper ring to support the upper ring. The ring lift pin elevates the upper ring in upward and downward directions. At least two lift pins are connected to the upper ring. The lift pins are connected to the upper ring with a constant distance from each other.
摘要翻译：提供处理室以通过在基板的表面上水平地形成护套边界来补偿护套边界的变形。处理室包括板（100）和上环（104）。将板放置在基板上。上环安装在板上并具有主表面。改变上环的主表面和板的主表面之间的相对高度。板固定，上环的高度可调。环提升销（106）连接到上环的下部以支撑上环。环形提升销沿上下方向提升上环。至少两个提升销连接到上环。升降销以相互间隔一定的距离连接到上环。

9. 发明授权

KR100578138B1 플라즈마 처리 장치에 사용되는 분사관 및 이를 가지는 플라즈마 화학 기상 증착 장치 失效
标题翻译：等离子体处理装置中使用的注射管和注射管等离子体化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR100578138B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040025097
申请日：2004-04-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문안식 , 양윤식 , 한재현 , 홍주표 , 채승기 , 이인철 , 이종구 , 김대현
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 적어도 두개의 혼합된 소스가스들을 분사하는 노즐들을 가진다. 각각의 상기 노즐은 하나의 통공이 형성되며 가스공급부로부터 소스가스들을 공급받는 단일부와 상기 단일부로부터 연장되며 하나 또는 복수의 통공들이 형성된 복합부를 가진다.
HDP-CVD, 노즐, 증착, 플라즈마

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