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1. 发明公开

KR1020050048054A 오버레이 계측설비 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 无效
标题翻译：重叠测量设备及其覆盖测量方法
公开(公告)号：KR1020050048054A
公开(公告)日：2005-05-24
申请号：KR1020030081874
申请日：2003-11-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김홍석 , 강현태 , 정효상
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 오버레이 계측설비 및 이를 이용한 오버레이 계측방법을 제공한다. 이때의 오버레이 계측설비는 웨이퍼 상에 형성된 각 레이어간 포토레지스트 패턴을 비교하여 패턴간의 중첩도를 계측하는 오버레이 계측장치와, 오버레이 계측장치에 온라인으로 연결되며 계측된 중첩도에 의해 오버레이 데이터를 검출한 다음 오버레이 데이터를 기준으로 보정값을 계산하고 이 보정값을 피드백하는 호스트 컴퓨터 및, 오버레이 계측장치에 온라인으로 연결되며 오버레이 계측장치가 웨이퍼 상에 형성된 다수의 샷 중 특정수의 샷을 계측할 수 있도록 소정 샘플링 플랜을 적용시켜주되 서로다른 다수의 샘플링 플랜을 구비하여 오버레이 계측장치에 적용될 샘플링 플랜을 가변적으로 변동시켜주는 오버레이 컨트롤서버를 포함한다.

2. 发明授权

KR100375559B1 공정장치의 제어방법 有权
标题翻译： 공정장치의제어방법
公开(公告)号：KR100375559B1
公开(公告)日：2003-03-10
申请号：KR1020010039371
申请日：2001-07-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전경식 , 박찬훈 , 박일석 , 조봉수 , 강현태 , 제영호
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G05B13/027
摘要： The method involves searching previous processing data having a history identical to that of the subject loaded into the processing device. A current bias correction value is predicted from several of the most recent previous correction values out of the searched previous processing data having the identical history. A current random correction value is predicted by a neural network on the basis of several most recent random correction values. The predicted current bias and random correction values are summed as a current correction value of the processing device. The neural network is made to learn for tracking a variation of the random correction value by using the error value. An independent claim is included for a method of controlling a photolithographic device.
摘要翻译：该方法涉及搜索具有与加载到处理设备中的主体的历史相同的历史的先前处理数据。从具有相同历史的搜索的先前处理数据中的几个最近的先前校正值预测当前偏差校正值。当前的随机校正值由神经网络基于几个最近的随机校正值来预测。预测的电流偏差和随机校正值被相加为处理装置的当前校正值。通过使用误差值使神经网络学习用于跟踪随机校正值的变化。包括用于控制光刻设备的方法的独立权利要求。

3. 发明公开

KR1020030003803A 공정장치의 제어방법 有权
标题翻译：在过程设备中控制的方法
公开(公告)号：KR1020030003803A
公开(公告)日：2003-01-14
申请号：KR1020010039371
申请日：2001-07-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전경식 , 박찬훈 , 박일석 , 조봉수 , 강현태 , 제영호
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G05B13/027
摘要： PURPOSE: A method for controlling in process apparatus is provided to remarkably decrease the number of sampling processes by using an adaptive least mean square neural network(ALMS-NN) algorithm which is effectively applied in a process highly depending upon the sampling process without depending upon history data. CONSTITUTION: Previous process data having the same history as a process target material loaded into the process apparatus is searched. A present bias correction value is presumed from a plurality of recent correction values among the previous process data having the same history. A present land correction value is presumed by a neural network based upon a plurality of previous land correction values among the previous process data. The bias correction value and the land correction value are added together by using the present correction value of the process apparatus. The neural network learns to tract a change of the land correction value by using an error value between an input value of the process apparatus and a measurement value of the process apparatus.
摘要翻译：目的：提供一种在处理装置中进行控制的方法，通过使用自适应最小均方神经网络（ALMS-NN）算法显着减少采样过程的数量，该算法在高度取决于采样过程的情况下有效地应用，而不依赖于历史数据构成：搜索与加载到处理装置中的过程目标材料相同历史的先前过程数据。从具有相同历史的先前处理数据中的多个最近的校正值推定出当前偏置校正值。基于先前处理数据中的多个先前的土地修正值，由神经网络推定现有的土地修正值。通过使用处理装置的当前校正值将偏置校正值和面校正值相加在一起。神经网络通过使用处理装置的输入值与处理装置的测量值之间的误差值来学习改变土地修正值。

4. 发明公开

KR1019990070778A 미스 얼라인 측정 장치용 카세트 받침대 无效
标题翻译：用于测量不对齐的盒式支架
公开(公告)号：KR1019990070778A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019980005814
申请日：1998-02-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강현태 , 박병철
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 미스-얼라인 측정 장치용 카세트 받침대가 제공된다. 본 발명에 따른 미스-얼라인 측정 장치용 카세트 받침대는 카세트 받침용 몸체와 마찰 방지대로 구성된다. 카세트 받침용 몸체에는 사진 공정이 완료된 복수개의 웨이퍼가 담긴 카세트가 로딩된다. 그리고 마찰 방지대는 상기 몸체의 상면중 상기 몸체와 상기 카세트가 접촉하는 부위에 설치되어 상기 카세트와 상기 카세트 받침용 몸체간의 마찰을 방지한다.
본 발명에 따르면, 마찰 방지대에 의해 카세트와 카세트 받침용 몸체간의 직접 접촉에 의한 마찰 및 마찰에 의한 불순물 생성을 방지할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020160079572A Smurf2의 저해제를 포함하는 세포 또는 개체의 노화를 감소시키기 위한 조성물 및 그의 용도 审中-实审
标题翻译：用于降低细胞敏感性的组合物或包含SMURF2抑制剂的主体及其用途
公开(公告)号：KR1020160079572A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020140191129
申请日：2014-12-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최고봉 , 박준태 , 강현태
IPC分类号： A61K48/00 , A61P17/00 , A61P25/28 , A61P3/10
CPC分类号： C12N15/1137 , A61K31/713 , A61K45/06 , C12N2310/11 , C12N2310/14 , C12N2320/30 , C12Y603/02 , A61K48/00 , Y10S977/907
摘要： 세포또는개체의노화수준을감소시키기위한조성물, 이를이용한세포또는개체에서노화수준을감소시키는방법, 및세포또는개체에서노화와연관된증상또는질병을예방또는치료하는방법을제공한다. 이에따르면, 세포또는개체의노화수준을효율적으로감소시키고, 노화와연관된증상또는질병을효율적으로예방또는치료할수 있다.
摘要翻译：本发明提供了用于降低细胞或受试者的衰老水平的组合物，使用该组合物降低细胞或受试者的衰老水平的方法，以及预防和治疗与或相关的症状或疾病的方法通过细胞或受试者的衰老。本发明有效地降低细胞或受试者的衰老水平，并且可以预防和治疗与衰老相关或由衰老引起的症状或疾病。

6. 发明授权

KR100834832B1 오버레이 계측설비를 이용한 패턴의 임계치수 측정방법 有权
标题翻译：使用覆盖测量装置测量图案的关键尺寸的方法
公开(公告)号：KR100834832B1
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：KR1020060119040
申请日：2006-11-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조정희 , 강현태 , 김장훈 , 전기현
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027
CPC分类号： H01L22/12 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要： A method for measuring a critical dimension of a pattern by using an overlay measuring apparatus is provided to enhance reliability of a semiconductor memory device by measuring accurately an open size of a fuse box. A scanning range of a z-axis of an overlay measuring apparatus is determined by using pattern thickness information(106). A step pitch of the overlay measuring apparatus is inputted and X and Y coordinates of a reticle to the pattern are inputted(108,110). A size of the pattern is inputted into the overlay measuring apparatus and a position of a measuring target pattern of the patterns is inputted(112,114). Thickness information of a passivation layer is inputted(116). The size of the pattern is measured and a high quality condition is inputted(118). A top region size of the pattern is measured and a position of a z-axis focus at a fuse box top region is stored(120,122). A pattern size of a succeeding lot is measured by using stored information(124). The measured pattern size of the succeeding lot is compared with the high quality condition(128).
摘要翻译：提供了一种通过使用覆盖测量装置来测量图案的临界尺寸的方法，以通过精确地测量保险丝盒的开口尺寸来增强半导体存储器件的可靠性。通过使用图案厚度信息（106）确定覆盖测量装置的z轴的扫描范围。输入覆盖测量装置的步距，并输入掩模版的X和Y坐标（108,110）。将图案的尺寸输入到重叠测量装置中，并且输入图案的测量对象图案的位置（112,114）。输入钝化层的厚度信息（116）。测量图案的尺寸并输入高质量条件（118）。测量图案的顶部区域尺寸并存储在保险丝盒顶部区域处的z轴焦点的位置（120,122）。通过使用存储的信息来测量后续批次的图案尺寸（124）。将后续批次的测量图案尺寸与高质量条件（128）进行比较。

7. 发明公开

KR1020030030427A 반도체 웨이퍼 오버레이 보정방법 有权
标题翻译：校正半导体滤波器的方法
公开(公告)号：KR1020030030427A
公开(公告)日：2003-04-18
申请号：KR1020010062565
申请日：2001-10-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬훈 , 조봉수 , 강현태
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70633
摘要： PURPOSE: A method of correcting the overlay of a semiconductor wafer is provided to enhance the productivity of the semiconductor wafer by reducing the degree of overlay scattering and the number of sample recommends. CONSTITUTION: The overlay error correction value for the semiconductor wafer exposed to light by way of a stepper equipment is measured(103). The measured overlay error correction value, the variation of the stepper equipment due to the learning of input variation, and the weighted value of the pre-established plural numbers of rots are summed up to thereby produce an overlay error correction value(104). The resulting overlay error correction value is fed to the stepper, and the light exposing with respect to the next rot is subsequently made(105).
摘要翻译：目的：提供一种校正半导体晶片的覆盖层的方法，以通过降低重叠散射的程度和推荐的样品数量来提高半导体晶片的生产率。结论：测量通过步进设备暴露于光的半导体晶片的覆盖误差校正值（103）。将所测量的重叠误差校正值，由于输入变化学习引起的步进设备的变化以及预先确定的多个数的加权值相加，从而产生叠加误差校正值（104）。所得到的覆盖误差校正值被馈送到步进器，并且随后对相对于下一个腐烂进行曝光的光（105）。

8. 发明公开

KR1020160063082A 노화 바이오마커 및 그의 용도 审中-实审
标题翻译：生物标记用于感应和使用
公开(公告)号：KR1020160063082A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140166631
申请日：2014-11-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김명순 , 이영삼 , 김용섭 , 강현태
IPC分类号： C12Q1/68 , G01N33/53
CPC分类号： C12Q1/6883 , C12Q2600/158 , C12Q1/6851 , C12Q2600/112 , G01N33/53
摘要： 노화를진단하기위한바이오마커, 이를검출하기위한노화수준진단용조성물및 키트, 이를이용한세포또는개체의노화수준진단방법, 및노화억제제를스크리닝하는방법을제공한다. 이에따르면, 노화의수준을높은정확도로정량적으로측정할수 있다. 또한, 노화수준을결정하고노화억제제를스크리닝하는데이용할수 있다.
摘要翻译：提供用于诊断衰老的生物标志物，用于诊断衰老水平的组合物和试剂盒以便检测其衰老，用于诊断细胞或使用其的个体的衰老水平的方法，以及筛选衰老抑制剂。根据本发明，可以高精度地定量测定衰老水平，本发明的生物标志物可用于筛选衰老抑制剂和测定衰老水平。

9. 发明公开

KR1020160049435A Atm 저해제를 포함하는 세포의 노화를 감소시키기 위한 조성물 및 그의 용도 审中-实审
标题翻译：用于降低包含ATM抑制剂的细胞感受的组合物及其用途
公开(公告)号：KR1020160049435A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020150091387
申请日：2015-06-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정철원 , 박준태 , 강현태 , 박상철 , 최효제 , 최고봉
IPC分类号： A61K31/382 , A61K31/5377 , A61K31/35
CPC分类号： A61K31/5377 , A61K31/00 , A61K31/517 , G01N33/502
摘要： Atm 저해제를포함하는세포의노화를감소시키기위한조성물, 포유동물에서세포의노화를감소시키는방법, 및포유동물에서세포의노화와연관된증상을치료하는방법을제공한다.
摘要翻译：提供了用于减缓细胞衰老的组合物，其含有共济失调毛细血管扩张（Atm）抑制剂。还提供了减缓哺乳动物细胞衰老的方法和用于治疗与哺乳动物细胞衰老相关的症状的方法。

10. 发明公开

KR1020080085543A 반도체 소자의 오버레이 마크 및 그 오버레이 마크를포함한 반도체 소자 失效
标题翻译：半导体器件的覆盖标记和包含相同标记的半导体器件
公开(公告)号：KR1020080085543A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：KR1020070027224
申请日：2007-03-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신장호 , 박찬훈 , 이중현 , 이석주 , 강현태 , 조정희 , 송영훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L23/544 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , G03F7/70633 , H01L2223/54453 , H01L2924/00
摘要： An overlay mark of a semiconductor device and a semiconductor device comprising the same overlay mark are provided which have three or more layers can be aligned with providing efficient space utilization, mis-registration(MR) can be measured with accuracy based on the influence of the aberrations. An overlay mark(100) comprises at least one reference mark(110,120, 130,140) in rectangular shape, in which fine pattern is formed on each side of the rectangle; and a comparative mark(115,125,135,145), provided in the same number as the reference mark and in a rectangular shape smaller than the reference mark, in which fine patterns are formed on all sides, wherein the reference mark and the comparative mark are formed on different thin layers on a semiconductor substrate to allow inspection of the alignment between respective thin layers on the semiconductor substrate, and influence due to aberrations of the patterns within a memory cell can be taken into account during mis-registration(MR) computation based on the fine patterns formed on the reference and comparative marks.
摘要翻译：提供半导体器件的覆盖标记和包括相同覆盖标记的半导体器件，其具有三层或更多层可以与提供有效的空间利用相对准，可以基于以下因素的影响来精确地测量误配准（MR）像差。覆盖标记（100）包括矩形形状的至少一个参考标记（110,120,130,140），其中在矩形的每一侧上形成精细图案; 和比较标记（115,125,135,145），其与参考标记相同的数字，并且小于参考标记的矩形，其中在所有侧面上形成精细图案，其中参考标记和比较标记形成在不同的在半导体衬底上的薄层可以考虑半导体衬底上的各个薄层之间的对准以及由于存储单元内的图案的像差引起的影响，可以基于精细的错误对准（MR）计算来考虑图案形成在参考和比较标记上。

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