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1. 发明授权

KR100610023B1 포토스피너설비의 분사불량 제어장치 失效
标题翻译：光旋转装置的注入失效控制装置
公开(公告)号：KR100610023B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020050065141
申请日：2005-07-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종화 , 박찬훈 , 전기현
IPC分类号： H01L21/027

2. 发明公开

KR1020050018478A 반도체 계측설비의 젬사진 칼라형성방법 无效
标题翻译：将半导体测量设备的SEM图像的颜色形成为易于监视的缺陷状态的方法
公开(公告)号：KR1020050018478A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：KR1020030056352
申请日：2003-08-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김장훈 , 박찬훈
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: A method for forming the color of a SEM(scanning electron microscope) image of semiconductor measuring equipment is provided to easily monitor a defective state by making the SEM image of a wafer be seen in color when a beam is injected to semiconductor measuring equipment to take a SEM picture of the wafer. CONSTITUTION: The first electron ray generated from an electron gun(10) is formed of an optimized beam state through the first column(30) to be irradiated to a sample(24). The second electron ray on which the first electron ray irradiated to the sample is reflected is formed of an optimized beam state through the second column(26). The optimized second electron ray is multi-level amplified. The amplified electron ray of each level is converted to form a SEM image of various colors.
摘要翻译：目的：提供一种形成半导体测量设备的SEM（扫描电子显微镜）图像的颜色的方法，以便当将光束注入到半导体测量设备中时，使晶片的SEM图像成为可见的方式来容易地监视缺陷状态拍摄晶片的SEM图像。构成：从电子枪（10）产生的第一电子束通过第一柱（30）由优化的束状态形成，以照射到样品（24）。照射到样品上的第一电子束被反射的第二电子线通过第二列（26）由优化的光束状态形成。优化的第二电子线是多电平放大的。将各级的放大电子束转换成各种颜色的SEM图像。

3. 发明公开

KR1020030030427A 반도체 웨이퍼 오버레이 보정방법 有权
标题翻译：校正半导体滤波器的方法
公开(公告)号：KR1020030030427A
公开(公告)日：2003-04-18
申请号：KR1020010062565
申请日：2001-10-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬훈 , 조봉수 , 강현태
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70633
摘要： PURPOSE: A method of correcting the overlay of a semiconductor wafer is provided to enhance the productivity of the semiconductor wafer by reducing the degree of overlay scattering and the number of sample recommends. CONSTITUTION: The overlay error correction value for the semiconductor wafer exposed to light by way of a stepper equipment is measured(103). The measured overlay error correction value, the variation of the stepper equipment due to the learning of input variation, and the weighted value of the pre-established plural numbers of rots are summed up to thereby produce an overlay error correction value(104). The resulting overlay error correction value is fed to the stepper, and the light exposing with respect to the next rot is subsequently made(105).
摘要翻译：目的：提供一种校正半导体晶片的覆盖层的方法，以通过降低重叠散射的程度和推荐的样品数量来提高半导体晶片的生产率。结论：测量通过步进设备暴露于光的半导体晶片的覆盖误差校正值（103）。将所测量的重叠误差校正值，由于输入变化学习引起的步进设备的变化以及预先确定的多个数的加权值相加，从而产生叠加误差校正值（104）。所得到的覆盖误差校正值被馈送到步进器，并且随后对相对于下一个腐烂进行曝光的光（105）。

4. 发明授权

KR100351049B1 웨이퍼 가열 방법 및 이를 적용한 장치 失效
标题翻译：晶圆加热方法和采用相同的装置
公开(公告)号：KR100351049B1
公开(公告)日：2002-09-09
申请号：KR1019990030350
申请日：1999-07-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬훈
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , F28D15/0233 , H01L21/67103
摘要： 웨이퍼가열방법및 이를적용한장치에관해개시된다. 개시된가열방법은: 웨이퍼에공급하기위한열을발생하는단계; 가열및 냉각에의해기체및 액체상태로상변화하는유동성열매체에상기열을전달하는단계; 상기열에의해기체상태로상변화된유동성열매체의증기를상기웨이퍼가접촉된고상의열매체에접촉시켜증기로부터의열을상기고상의열매체로전달하는단계; 상기고상의열매체에열을전달한유동성열매체의증기를액체로상변화시키는단계; 상기유동성열매체의증기로부터열을흡수한고상의열매체에의해상기웨이퍼를가열하는단계;를포함한다. 본발명에의하면, 웨이퍼가매우작은온도편차로안정적으로가열되어웨이퍼및 웨이퍼표면에형성되는감광막에대한열적충격이크게억제되고, 특히, 규칙적이고균일한온도분포로가열될수 있다.

5. 发明授权

KR100327334B1 최적의 공정 조건 설정이 가능한 리소그라피 시스템 및 그 운용 방법 有权
标题翻译：平版印刷系统能够设定最佳配方及其操作方法
公开(公告)号：KR100327334B1
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：KR1019990026854
申请日：1999-07-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬훈 , 채희선
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70483 , G03B27/32
摘要： 본발명의리소그라피시스템은스피너, 제1 컨트롤러, 스테퍼및 제2 컨트롤러를포함하는것을특징으로한다. 스피너는반도체웨이퍼상에포토레지스트막을코팅시킨다. 제1 컨트롤러는, 반도체웨이퍼가스피너내에로딩되면, 외부로부터입력되는반도체웨이퍼정보에따라최적의공정조건을설정하여상기공정조건에따라상기스피너를제어한다. 스테퍼는포토레지스트막이코팅된반도체웨이퍼를소정의광을사용하여노광한다. 그리고제2 컨트롤러는, 포토레지스트막이코팅된반도체웨이퍼가스테퍼내로로딩되면, 외부로부터입력되는반도체웨이퍼정보에따라최적의공정조건을설정하여상기공정조건에따라스테퍼를제어한다.

6. 发明公开

KR1020000025884A 보호막이 코딩된 볼 스크류를 구비하는 노광장치의 제조방버부 无效
标题翻译：制造具有涂层保护层的球螺杆的接触装置的方法
公开(公告)号：KR1020000025884A
公开(公告)日：2000-05-06
申请号：KR1019980043158
申请日：1998-10-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬훈
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an exposure device having a ball screw is provided to prevent a precis ion variation of an exposure device, prevent abrasion of screw, and prevent a particle generation caused by a pollution between a screw and a nut. CONSTITUTION: In a coupling body which includes a nut, a screw(48) connected to the nut, and a ball positioned between a groove of the nut and a groove of the screw, an exposure device includes a protective layer(50) on a surface of the screw. The protective layer is formed by using either one of a sputtering method, a laser ablation method, RF-CVD method, and ECR method. Diamond like carbon(DLC) layer is formed on the screw as the protective layer. Thereby, the method prevents abrasion of screw, and prevents a particle generation caused by a pollution between a screw and a nut.
摘要翻译：目的：提供一种制造具有滚珠丝杠的曝光装置的方法，以防止曝光装置的精度变化，防止螺丝磨损，并防止由螺钉和螺母之间的污染引起的颗粒产生。构成：在包括螺母的联接体中，连接到螺母的螺钉（48）和位于螺母的凹槽和螺钉的凹槽之间的球体，曝光装置包括保护层（50）螺丝表面。通过使用溅射法，激光烧蚀法，RF-CVD法和ECR法中的任一种形成保护层。金刚石碳（DLC）层形成在螺钉上作为保护层。因此，该方法可防止螺丝磨损，并且防止由螺钉和螺母之间的污染引起的颗粒产生。

7. 发明公开

KR1020130120969A 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：场效应晶体管及其形成方法
公开(公告)号：KR1020130120969A
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：KR1020120084943
申请日：2012-08-02
申请人： 삼성전자주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 김동원 , 정윤하 , 김대만 , 박수영 , 백록현 , 박찬훈 , 이상현
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/42392 , H01L29/1033
摘要： Provided is a field effect transistor which includes a drain region, a source region, and a channel region. Provided are a gate electrode which surrounds a part of the channel region and a gate insulation layer which is located between the channel region and the gate electrode. The cross section of the channel region in contact with the source region is smaller than the cross section of the channel region in contact with the drain region.
摘要翻译：提供了包括漏极区域，源极区域和沟道区域的场效应晶体管。提供围绕沟道区的一部分的栅电极和位于沟道区和栅电极之间的栅极绝缘层。与源极区域接触的沟道区域的截面小于与漏极区域接触的沟道区域的截面。

8. 发明公开

KR1020060065191A 포토레지스트 내의 기포 제거 및 성장 방지 장치 无效
标题翻译：消除泡沫和防止泡沫在照相机上成长的装置
公开(公告)号：KR1020060065191A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103964
申请日：2004-12-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종화 , 박찬훈 , 전기현
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： B01D19/0031 , B05C11/1002 , G03F7/16 , H01L21/6715
摘要： 반도체 웨이퍼의 표면에 분사되기 위한 포토레지스트 내에 혼재하는 기포를 제거하기 위한 기포 제거 장치가 개시되어진다. 그러한 기포 제거 장치는 포토레지스트를 공급받아 포토레지스트 공급라인으로 상기 포토레지스트를 공급하기 위한 버퍼 탱크에 장착되어지며 상기 기포에 에너지를 공급하기 위한 진동소자, 상기 진동소자에 의해 에너지를 공급받아 상기 기포가 성장하여 상기 버퍼 탱크의 상부에 축적된 경우 상기 버퍼 탱크의 상부에 축적된 기포를 외부로 배출하기 위한 드레인부, 상기 포토레지스트 공급라인의 외부에 설치되어지며 상기 포토레지스트 공급라인 내에 유입되는 포토레지스트의 온도를 조절함으로써 상기 포토레지스트 내에 혼재하는 기포의 성장을 방지하기 위한 기포 성장 방지부를 구비한다. 그리하여, 본 발명은 포토레지스트 내의 기포 제거 및 기포 성장 방지 장치를 제공함으로써, 포토레지스트 내의 기포 제거 및 기포 성장 방지를 통하여 포토레지스트 코팅을 양호하게 하고 반도체 장치의 수율을 증가시키는 효과가 있다.

포토레지스트, 버퍼탱크, 기포, 진동소자, 드레인라인, 냉각라인

9. 发明公开

KR1020060037091A 반도체 제조 장치 无效
公开(公告)号：KR1020060037091A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040086236
申请日：2004-10-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종화 , 박찬훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/162 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6715
摘要： 웨이퍼의 감광액 도포 공정에서 배출된 잔여 감광액의 역류로 인한 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치가 제공된다. 반도체 제조 장치는 웨이퍼의 감광액 도포 공정이 이루어지는 컵, 컵에 연결되어 감광액 도포 공정 후 컵에 잔존하는 감광액이 배출되는 감광액 배출 라인, 감광액 배출 라인의 측벽을 관통하여 형성되어, 감광액 배출 라인의 내측벽 및 외측벽을 따라 회전하는 컨베이어 벨트, 감광액 배출 라인 외부에서 컨베이어 벨트와 대향하는 곳에 설치되어, 컨베이어 벨트에 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐을 포함한다.
감광액 도포 공정, 컨베이어 벨트, 세정액

10. 发明授权

KR100552587B1 반도체 공정에서의 오버레이 패턴 측정 방법 有权
标题翻译：用于测量半导体处理中的覆盖图案的方法
公开(公告)号：KR100552587B1
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：KR1020000029179
申请日：2000-05-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬훈
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 기판상에 순차적으로 형성하는 막들의 정렬을 확인하기 위한 오버레이 패턴 측정 방법이 개시되어 있다. 기판상에 순차적으로 형성하는 막들의 정렬을 위한 n개 영역에 형성하는 오버레이 패턴들 중에서 제1 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인하고, 상기 제1 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 측정한 다음 제2 영역 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인한다. 계속해서, n번째 영역의 오버레이 패턴내의 측정부들을 전부 측정하여 상기 정렬을 확인한다. 따라서 오버레이 패턴을 측정할 때 기판이 라운딩되는 횟수를 최소화할 수 있다. 때문에 반도체 장치의 제조에 따른 생산성을 향상시킬 수 있다.

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