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1. 发明授权

KR101825493B1 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 有权
标题翻译：用于电极的蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管阵列面板的方法
公开(公告)号：KR101825493B1
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020100036364
申请日：2010-04-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 이태형 , 송용성 , 박충우 , 오종현
IPC分类号： C09K13/10
CPC分类号： C09K13/10 , C23F1/10 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/4908
摘要： 본발명은표시장치의금속배선을식각하기위한식각액에관한것으로, 본발명에따른금속배선식각액은과산화수소, 산화제, 불소화합물, 킬레이트제, 질산계화합물, 붕소계화합물, 첨가제및 잔량의물을포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及用于蚀刻金属布线的蚀刻剂，并且根据本发明的金属布线蚀刻剂包括约5重量％至约15重量％的过氧化氢，约0.5重量％至约5重量％的氧化剂，约0.1重量％至约1重量％的氟化物基化合物，约0.5重量％至约5重量％的硝酸盐基化合物和约0.05重量％至约1重量％的硼基化合物。

2. 发明公开

KR1020090095181A 금속배선 형성용 식각액 조성물, 이 조성물을 이용한도전막의 패터닝 방법 및 평판 표시 장치의 제조방법 无效
标题翻译：用于图案金属层的蚀刻组合物，使用其形成导电层的方法和使用其制造平板显示器的方法
公开(公告)号：KR1020090095181A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：KR1020080020352
申请日：2008-03-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 김봉균 , 박홍식 , 정종현 , 홍선영 , 이지선 , 이병진 , 백귀종 , 이태형 , 송용성
IPC分类号： C23F1/16
CPC分类号： C09K13/06 , H01L29/458 , H01L29/4908 , C23F1/16 , C23F1/02 , C23F1/20 , C23F1/26 , H01L21/302
摘要： An etchant composite for forming a metal wiring and a method for patterning a conductive film and for manufacturing a flat panel display using the etchant composite are provided to extend the lifetime of etchant by lowering the vocalization of the oxidizer. A manufacturing method of a flat panel display using the etchant composite for forming a metal wiring comprises a substrate(100). A gate wiring and a gate electrode(110) are formed by forming a first conductive film on the substrate and patterning. A semiconductor layer is formed on the top of the substrate in which the gate wiring is formed. After forming a second conductive film on the semiconductor layer and patterning, and then a source electrode(140a) and a drain electrode(140b) are formed. A protective layer(150) has a contact hole(CNT) exposing one part of the drain electrode is built up. A third conductive film is electrically connected with the drain electrode through a contact hole and located on the protective layer. The third conductive film is patterned to form a pixel electrode(160).
摘要翻译：提供用于形成金属布线的蚀刻剂复合材料和用于图案化导电膜并用于使用蚀刻剂复合材料制造平板显示器的方法，以通过降低氧化剂的发声来延长蚀刻剂的使用寿命。使用蚀刻剂复合材料形成金属布线的平板显示器的制造方法包括基板（100）。通过在衬底上形成第一导电膜并进行构图，形成栅极布线和栅电极（110）。在形成栅极布线的基板的顶部上形成半导体层。在半导体层上形成第二导电膜并构图后，形成源电极（140a）和漏电极（140b）。保护层（150）具有暴露一部分漏电极的接触孔（CNT）。第三导电膜通过接触孔与漏极电连接并位于保护层上。图案化第三导电膜以形成像素电极（160）。

3. 发明公开

KR1020090112971A 식각액 조성물, 이를 사용한 금속 패턴의 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：蚀刻组合物，形成金属图案的方法和使用其制造薄膜晶体管阵列的方法
公开(公告)号：KR1020090112971A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020080038784
申请日：2008-04-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 정종현 , 홍선영 , 김봉균 , 최영주 , 서남석 , 이태형 , 송용성 , 하현
IPC分类号： C09K13/08
摘要： PURPOSE: An etchant composition is provided to maintain adhesive force between an insulating substrate and photosensitive pattern and to make etch profile good through simplification of a process. CONSTITUTION: An etchant composition includes phosphoric acid 80 ~ 90 weight%, sulfuric acid 0.1 ~ 5 weight%, and ammonium fluoride 0.1 ~ 2 weight%. A method for forming metal pattern comprises the steps of: forming a photosensitive pattern which partially exposes the insulating substrate on the insulating substrate(110); forming a trench on the insulating substrate by etching a part of exposed insulating substrate. The seed layer including a first seed layer located on the photosensitive pattern and a second seed layer located on the trench; removing the photosensitive pattern and the first seed layer by lift off the photosensitive pattern; and forming a wiring layer(124c) on the second seed layer with an electroless plating method.
摘要翻译：目的：提供蚀刻剂组合物以保持绝缘基板和感光图案之间的粘合力，并且通过简化工艺使蚀刻轮廓良好。构成：蚀刻剂组成包括磷酸80〜90重量％，硫酸0.1〜5重量％，氟化铵0.1〜2重量％。一种用于形成金属图案的方法包括以下步骤：形成在绝缘基板（110）上部分地暴露绝缘基板的感光图案; 通过蚀刻暴露的绝缘基板的一部分在绝缘基板上形成沟槽。种子层包括位于感光图案上的第一种子层和位于沟槽上的第二种子层; 通过剥离感光图案去除感光图案和第一种子层; 以及通过化学镀方法在所述第二籽晶层上形成布线层（124c）。

4. 发明授权

KR101527160B1 식각액 조성물, 이를 사용한 금속 패턴의 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：蚀刻组合物，形成金属图案的方法和使用其制造薄膜晶体管阵列的方法
公开(公告)号：KR101527160B1
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020080038784
申请日：2008-04-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 정종현 , 홍선영 , 김봉균 , 최영주 , 서남석 , 이태형 , 송용성 , 하현
IPC分类号： C09K13/08
摘要： 본발명은인산 80 내지 90 중량%, 황산 0.1 내지 5 중량%, 불화암모늄 0.1 내지 2 중량% 및전체조성물의총 중량이 100 중량%가되도록하는물을포함하는식각액조성물, 이를사용한금속패턴의형성방법및 박막트랜지스터표시판의제조방법에관한것이다.

5. 发明公开

KR1020110116761A 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：电极蚀刻及使用其制造薄膜晶体管阵列板的方法
公开(公告)号：KR1020110116761A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036364
申请日：2010-04-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 이태형 , 송용성 , 박충우 , 오종현
IPC分类号： C09K13/10
CPC分类号： C09K13/10 , C23F1/10 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/4908
摘要： 본 발명은 표시장치의 금속 배선을 식각하기 위한 식각액에 관한 것으로, 본 발명에 따른 금속 배선 식각액은 과산화수소, 산화제, 불소 화합물, 킬레이트제, 질산계 화합물, 붕소계 화합물, 첨가제 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

6. 发明公开

KR1020110085254A 금속 배선용 식각액조성물 및 상기 식각액을 사용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 无效
标题翻译：金属接线用金属及使用其制造薄膜晶体管阵列的方法
公开(公告)号：KR1020110085254A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100004930
申请日：2010-01-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 이태형 , 송용성 , 박충우 , 이창호
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44
摘要： PURPOSE: An etchant composition for metal wiring is provided to etch a multi-layered film including copper in one time and to obtain an etch rate suitable for a processing, proper etching amount and proper taper inclination angle. CONSTITUTION: An etchant composition for metal wiring comprises 5-25 weight% of peroxides, 0.5-5 weight% of oxidizing agents, 0.1-1 weight% of fluoride-based compound and 1-10 weight% of glycohols. The peroxides comprise ammonium persulfates, sodium persulfates, potassium persulfates or mixture thereof. The oxidizing agent comprises potassium hydrogen sulfate, sodium nitrate, ammonium sulfate, sodium sulfate, sodium hydrogen sulfate or mixture thereof.
摘要翻译：目的：提供用于金属布线的蚀刻剂组合物以一次性蚀刻包括铜的多层膜，并获得适合于加工，适当蚀刻量和适当的锥形倾斜角的蚀刻速率。构成：用于金属布线的蚀刻剂组合物包括5-25重量％的过氧化物，0.5-5重量％的氧化剂，0.1-1重量％的氟化物基化合物和1-10重量％的醇。过氧化物包括过硫酸铵，过硫酸钠，过硫酸钾或其混合物。氧化剂包括硫酸氢钾，硝酸钠，硫酸铵，硫酸钠，硫酸氢钠或其混合物。

7. 发明公开

KR1020160057374A 표시 장치 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160057374A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：KR1020160058353
申请日：2016-05-12
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김연태 , 공향식 , 노남석 , 박홍식 , 정창오 , 주진호 , 이병진 , 채경태 , 양지성
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13625
摘要： 표시장치는기판과, 상기기판상에제공된화소, 및상기기판과상기화소사이에제공된컬러필터부를포함한다. 상기컬러필터부는상기화소에대응하는컬러필터와상기컬러필터의적어도일측에제공된블랙매트릭스를포함한다. 상기화소는상기기판상에공동을정의하는커버층과, 상기공동내에제공된영상표시층, 및상기영상표시층에전계를제공하는제1 전극및 제2 전극을포함한다. 상기공동은희생층을형성하고상기희생층을습식식각하여제거함으로써형성된다.
摘要翻译：显示装置包括基板，设置在基板上的像素以及设置在基板和像素之间的滤色器部。滤色器部分包括对应于像素的滤色器和设置在滤色器的至少一侧上的黑矩阵。像素包括在基板上限定腔体的覆盖层，设置在腔体中的图像显示层以及用于向图像显示层提供电场的第一电极和第二电极。通过形成牺牲层并且湿蚀刻牺牲层来形成空腔。

8. 发明授权

KR101520921B1 식각액 조성물, 이를 사용한 금속 패턴의 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101520921B1
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：KR1020080110435
申请日：2008-11-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최영주 , 김봉균 , 이병진 , 정종현 , 홍선영 , 서남석 , 박홍식 , 김기섭 , 이승용 , 이준우 , 박영철 , 진영준 , 양승재 , 이현규 , 장상훈 , 임민기
IPC分类号： C09K13/06 , G03F7/32
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/06 , C23F1/18 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
摘要： 본발명은인산 40 내지 65 중량%, 질산 2 내지 5 중량%, 초산 2 내지 20 중량%, 인산염을포함하는화합물 0.1 내지 2 중량%, 아미노기와카르복실기를동시에함유하는화합물 0.1 내지 2 중량% 및전체조성물의총 중량이 100 중량%가되도록하는물을포함하는식각액조성물, 이를사용한금속패턴의형성방법및 박막트랜지스터표시판의제조방법에관한것이다.

9. 发明公开

KR1020150045238A 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：触摸屏面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150045238A
公开(公告)日：2015-04-28
申请号：KR1020130124695
申请日：2013-10-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이병진 , 배주한 , 전병규 , 강성구 , 김진환 , 박희웅 , 임지훈
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111 , G06F2203/04112 , H03K2217/96075 , H03K2217/960755 , G06F3/041 , H01B5/14
摘要： 터치스크린패널은터치기판, 제1 감지전극들, 제2 감지전극들, 및외곽배선들을포함한다. 상기터치기판은터치활성영역및 터치비활성영역을포함한다. 상기제1 감지전극들및 상기제2 감지전극들은상기터치활성영역에배치되고서로절연되도록교차한다. 상기제1 감지전극들각각은제1 감지금속막및 제1 투명감지전극막을포함한다. 상기제2 감지전극들각각은제2 감지금속막및 제2 투명감지전극막을포함한다. 상기외곽배선들각각은제1 외곽금속막, 투명외곽전극막및 제2 외곽금속막을포함한다. 상기제1 감지금속막, 상기제2 감지금속막및 제1 외곽금속막은서로동일한층상에배치되고, 상기제1 투명감지전극막, 상기제2 투명감지전극막및 상기투명외곽전극막은서로동일한층상에배치된다.
摘要翻译：触摸屏面板包括触摸基板，第一感测电极，第二感测电极和外线。触摸基板包括触摸有源区域和触摸非有源区域。第一感测电极和第二感测电极设置在触摸有源区域中并彼此交叉以彼此绝缘。每个第一感测电极包括第一感测金属层和第一透明感测电极层。每个第二感测电极包括第二感测金属层和第二透明感测电极层。每条外线包括第一外金属层，透明外电极层和第二外金属层。第一感测金属层，第二感测金属层和第一外部金属层设置在同一层上，并且第一透明感测电极层，第二透明感测电极层和透明外部电极层设置在同一层

10. 发明公开

KR1020100127051A 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其方法
公开(公告)号：KR1020100127051A
公开(公告)日：2010-12-03
申请号：KR1020090045556
申请日：2009-05-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최영주 , 박홍식 , 정종현 , 홍선영 , 김봉균 , 이병진 , 이왕우 , 서남석
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A thin film transistor substrate and a manufacturing method thereof are provided to omit an additional etching process by etching a conductive layer for a pixel electrode and an oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A gate line(22) including a gate electrode(26) is formed on a substrate(10). An oxide semiconductor layer pattern(42) is formed on a transistor region and a pixel electrode forming region. A data line is formed on the oxide semiconductor layer pattern. A protection pattern(55,56) for the oxide semiconductor layer is formed between a source electrode and the oxide semiconductor layer pattern and between a drain electrode and the oxide semiconductor layer pattern. A pixel electrode(82) is electrically connected to the drain electrode.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法，通过蚀刻用于像素电极和氧化物半导体层的导电层来省略额外的蚀刻工艺。构成：在基板（10）上形成包括栅电极（26）的栅极线（22）。在晶体管区域和像素电极形成区域上形成氧化物半导体层图案（42）。在氧化物半导体层图案上形成数据线。在源电极和氧化物半导体层图案之间以及在漏电极和氧化物半导体层图案之间形成氧化物半导体层的保护图案（55,56）。像素电极（82）电连接到漏电极。

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