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    • 10. 发明公开
    • 박막 트랜지스터 기판
    • 薄膜晶体管基板包括它
    • KR1020160084537A
    • 2016-07-14
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    • 삼성디스플레이 주식회사
    • 최영주
    • H01L29/786
    • H01L27/1244H01L27/1225H01L29/78618H01L29/78606H01L29/7869
    • 박막트랜지스터기판이제공된다. 일실시예에따른박막트랜지스터기판은상기반도체층을덮고있는식각방지막; 상기식각방지막을관통하는제1 및제2 콘택홀; 상기식각방지막상에배치되고, 상기제1 콘택홀을통해상기반도체층과전기적으로연결된소스전극; 상기식각방지막상에서상기소스전극과이격배치되고, 상기제2 콘택홀을통해상기반도체층과전기적으로연결되며, 투명전도성산화물층과금속층을포함하는드레인전극; 및상기식각방지막상에배치되고상기투명전도성산화물층으로구성된화소전극;을포함하는제1 영역을포함한다.
    • 本发明的目的是提供可靠性和可加工性提高的薄膜晶体管基板。 根据本发明的实施例,薄膜晶体管基板包括第一区域,包括:覆盖半导体层的防蚀膜; 第一和第二接触孔,以穿透防蚀膜; 源电极,设置在所述防蚀膜中,经由所述第一接触孔与所述半导体层电连接; 布置在防蚀膜中的漏电极,与源电极分离,经由第二接触孔与半导体层电连接,并且包括透明导电氧化物层和金属层; 以及设置在防蚀膜中并形成有透明导电氧化物层的像素电极。