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1. 发明公开

KR1020150116395A 레이저 가공 장치 审中-实审
标题翻译：激光加工设备
公开(公告)号：KR1020150116395A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020150044297
申请日：2015-03-30
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 아이카와치카라 , 오가와유키 , 마츠모토히로카즈
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/76 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/67115 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0648 , B23K26/0853 , B23K26/0876 , B23K26/142 , B23K26/1476 , B23K26/16 , B23K26/364 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L21/67092
摘要： 본발명은피가공물에집광기로부터레이저광선이조사됨으로써생성되는용융물(파편)을효과적으로처리하여원하는깊이의레이저가공홈을형성할수 있는레이저가공장치를제공하는것을과제로한다. 피가공물을유지하기위한척테이블과, 척테이블에유지된피가공물에레이저광선을조사하는레이저광선조사수단을구비하고, 레이저광선조사수단은레이저광선을발진하는레이저광선발진수단과, 레이저광선발진수단으로부터발진된레이저광선을집광하는집광렌즈를구비한집광기를구비하고있는레이저가공장치로서, 집광기의레이저광선조사방향하류측에배치되며레이저가공에의해생성되는용융물을처리하기위한용융물처리수단을구비하고, 용융물처리수단은, 집광기로부터조사되는레이저광선의통과를허용하는개구를가지며그 개구로부터피가공물을향해서고속의가스를분사하는가스분사부와, 가스분사부의개구를둘러싸게형성되며개구로부터분사되는고속의가스에의해비산되는용융물을흡인하는흡인구를구비한용융물흡인부를구비하고, 가스분사부가고압가스공급수단에접속되고, 용융물흡인부가용융물흡인수단에접속되어있다.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种激光加工装置，通过有效地处理通过从冷凝器向待处理物体照射激光而产生的熔体（碎片），能够形成具有期望深度的激光加工槽。本发明的激光加工装置包括：用于保持被加工物的卡盘台; 以及激光束照射装置，用于将激光束照射到待处理物体上，保持在卡盘台上。激光束照射装置包括：用于振荡激光束的激光束振荡装置; 以及具有聚光透镜的聚光镜，用于聚光由激光束振荡装置振荡的激光束。本发明的激光加工装置还包括在冷凝器的激光束的照射方向上设置在底部流动处的熔融处理装置，以处理由激光加工产生的熔体。熔融处理装置包括：用于允许由冷凝器照射的激光束通过的开口; 气体喷射单元，用于从开口朝向被处理物体高速喷射气体; 以及具有形成为围绕气体喷射单元的开口的吸入孔并且以从喷嘴喷射的高速喷射的气体吸收熔体的熔体抽吸单元。气体喷射单元连接到高压气体供应单元，并且熔体抽吸单元连接到熔体吸入装置。

2. 发明公开

KR1020170049397A 웨이퍼의 가공 방법 审中-实审
标题翻译：晶圆的加工方法
公开(公告)号：KR1020170049397A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020160135025
申请日：2016-10-18
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 오가와유키 , 야마시타요헤이 , 오바타츠바사
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/683 , H01L21/76 , H01L27/146 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/2686 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834
摘要： (과제) 기판의표면에이미지센서가형성된웨이퍼이어도, 품질을저하시키지않고개개의이미지센서로분할할수 있는웨이퍼의가공방법을제공한다. (해결수단) 기판의표면에적층된기능층에의해이미지센서가형성된웨이퍼를, 그이미지센서를구획하는복수의분할예정라인을따라분할하는웨이퍼의가공방법으로서, 웨이퍼의표면에보호부재를첩착하는보호부재첩착공정과, 웨이퍼를구성하는기판의이면측으로부터분할예정라인과대응하는영역에절삭블레이드를위치부여하여기능층에이르지않은기판의일부를남겨분할홈을형성하는분할홈 형성공정과, 분할홈 형성공정이실시된기판의이면측으로부터분할홈의바닥을따라레이저광선을조사하고, 잔존되어있는기판의일부및 기능층을절단하는웨이퍼분할공정을포함한다.
摘要翻译：（要解决的问题）一种晶片处理方法，即使晶片具有形成在衬底表面上的图像传感器，晶片处理方法也能够在不降低质量的情况下将晶片分割成图像传感器。一种处理晶片的方法，其中通过堆叠在衬底表面上的功能层形成图像传感器的晶片沿着多条待分割的线分割以分隔图像传感器，分离槽形成步骤，通过将切割刀片定位在与构成晶片的基板的背面侧相对应的待分割线的区域中，使得基板的一部分未到达功能层，从而形成分割槽; 以及晶片分割工序，从进行了分割槽形成工序的基板的背面侧沿着分割槽的底部照射激光，切断剩余的基板和功能层的一部分。

3. 发明公开

KR1020140105375A 웨이퍼의 가공 방법 审中-实审
标题翻译： WAFER MACHINING方法
公开(公告)号：KR1020140105375A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020140015374
申请日：2014-02-11
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 오가와유키 , 이시다유키
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78
摘要： The present invention is to provide a wafer machining method capable of effectively dividing a wafer, in which a device is formed by a functional layer laminated on the surface of a substrate, into individual devices. The wafer machining method divides the wafer, in which a device is formed by a functional layer laminated on the surface of a substrate, along a plurality of streets partitioning the device. The wafer machining method includes a cutting groove forming step of forming a cutting groove by leaving a portion not reaching the functional layer by placing a cutting blade in a region corresponding to the street from the back surface of the substrate; and a laser processing step of breaking a part of the remaining substrate and the functional layer by irradiating laser beam along the bottom of the cutting groove from the back surface of the substrate that went through the cutting groove forming step.
摘要翻译：本发明提供一种晶片加工方法，其能够将层叠在基板表面上的功能层形成的器件的晶片有效地分割为各个器件。晶片加工方法沿着分割该装置的多个街道划分其中通过层压在基板表面上的功能层形成器件的晶片。晶片加工方法包括切割槽形成步骤，通过将切割刀片从基板的背面放置在与街道相对应的区域中，通过留下未到达功能层的部分来形成切割槽; 以及激光加工步骤，通过沿着穿过切割槽形成步骤的基板的背面沿着切割槽的底部照射激光束来破坏剩余的基板和功能层的一部分。

4. 发明公开

KR1020160046726A 웨이퍼의 가공 방법 审中-实审
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：KR1020160046726A
公开(公告)日：2016-04-29
申请号：KR1020150141115
申请日：2015-10-07
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 오가와유키 , 나가오카겐스케 , 오바타츠바사 , 반유리
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
摘要： 본발명은기판의표면에적층된기능층에의해디바이스가형성된웨이퍼에, 분할예정라인을따라서레이저광선을조사함으로써분할예정라인을따라서생성되는잔해가디바이스의표면에부착되지않도록한 웨이퍼의가공방법을제공하는것을과제로한다. 기판의표면에적층된기능층에의해복수의디바이스가형성된웨이퍼를, 상기디바이스를구획하는복수의스트리트를따라서분할하는웨이퍼의가공방법으로서, 웨이퍼의기능층의표면에점착층이부설된보호테이프의점착층측을대면시켜기능층의표면에보호테이프를접착하는보호테이프접착공정과, 보호테이프접착공정이실시된웨이퍼의보호테이프측을척테이블의유지면상에유지하고, 웨이퍼의기판의이면측으로부터기판및 기능층에대하여흡수성을갖는파장의레이저광선을분할예정라인을따라서조사하고, 분할예정라인을따라서보호테이프에이르는레이저가공홈을형성함으로써웨이퍼를개개의디바이스칩으로분할하는웨이퍼분할공정을포함하고, 보호테이프접착공정은, 웨이퍼분할공정에있어서레이저광선을조사함으로써분할예정라인을따라서생성되는잔해가디바이스의표면에부착되지않도록, 보호테이프의점착층이디바이스와밀착되어간극이없도록접착된다.
摘要翻译：本发明的目的是提供使碎片不粘附到装置的表面的晶片处理方法。当激光束与用于划分的线一起被照射在具有由衬底表面上的层叠功能层形成的器件的晶片的晶片上时，产生碎片。本发明是一种晶片处理方法，其将具有由层叠功能层形成的多个器件的晶片与分割器件的多个街道分隔开的衬底表面上。该方法包括：保护带粘附工艺，其面向保护带的粘合剂层的侧面，该粘合剂层具有与晶片的功能层的表面的粘合剂层，从而将保护带粘附到功能层的表面; 将通过保护带粘附处理的晶片的保护带的侧面保持在卡盘台的保持面上的晶片分割工序，与基板和功能层一起照射具有吸收波的激光束以及线用于从晶片的衬底的背面划分，并且形成与分割线一起到达保护带的激光加工槽，从而将晶片分成单独的器件芯片。在保护带粘合处理中，保护带的粘合剂层粘附到装置上以便没有间隙，使得当激光束与分割线一起照射时，碎屑不粘附到装置的表面在晶片划分过程中。

5. 发明公开

KR1020140095424A 웨이퍼 가공 방법 审中-实审
标题翻译： WAFER MACHINING方法
公开(公告)号：KR1020140095424A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：KR1020130159277
申请日：2013-12-19
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 오가와유키 , 기타하라노부야스 , 오다나카겐타로 , 오후라유키노부
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/18 , B23K26/40
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50
摘要： Provided is a method for machining a wafer, capable of dividing a wafer having a device which is formed by functional layers stacked on the surface of a substrate along a plurality of streets to divide the device, without exfoliating the functional layer at the side of the device. The method for machining the wafer, capable of dividing the wafer having the device by the functional layers stacked on the surface of the substrate along the streets to divide the device, comprises the steps of a functional dividing process of dividing the functional layer by forming two laser marching grooves reaching the substrate by irradiating a laser beam along both sides of the streets; and a division groove forming process of forming division grooves in the functional layer in the central portion of the two laser machining grooves formed along the streets and in the substrate. The laser beam irradiated in the functional dividing process may be set to 300 nm or less of a wavelength to have an absorption property with respect to a passivation layer.
摘要翻译：提供了一种用于加工晶片的方法，其能够沿着多个街道将具有由层叠在基板表面上的功能层形成的器件的晶片分割，以使器件分离，而不剥离功能层的侧面设备。用于加工晶片的方法，其能够沿着街道将通过层叠在基板表面上的功能层划分具有该器件的晶片来划分器件，包括以下步骤：通过形成两个功能层来划分功能层激光行进槽通过沿街道两侧照射激光束到达基板; 以及在沿着街道和基板形成的两个激光加工槽的中心部分中的功能层中形成分割槽的分割槽形成工艺。在功能分割处理中照射的激光束可以设定为波长为300nm以下，具有相对于钝化层的吸收特性。

6. 发明公开

KR1020170057139A 웨이퍼의 분할 방법 审中-实审
标题翻译：晶圆的分割方法
公开(公告)号：KR1020170057139A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160149040
申请日：2016-11-09
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 다부치도모타카 , 오다나카겐타로 , 구마자와사토시 , 료센이치 , 오가와유키
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/76 , H01L21/311 , H01L21/56
CPC分类号： H01L21/78 , B05D1/005 , B05D3/06 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L21/67092
摘要： (과제) Cu 를함유하는데브리를가공홈 내에서성장시키지않아, 디바이스의배선층에데브리가접촉하고있지않도록한다. (해결수단) 상면 (W2a) 에 Cu 를함유하는배선층 (W2) 을구비하고분할예정라인 (S) 으로구획된영역에디바이스 (D) 가형성된웨이퍼 (W) 를분할하는웨이퍼 (W) 의분할방법을, 웨이퍼 (W) 에대해흡수성을갖는파장의레이저광선을배선층측 (W2) 으로부터조사하고, 분할예정라인 (S) 을따라배선층 (W2) 을제거하여가공홈 (M) 을형성하는레이저가공홈 형성공정과, 레이저가공홈 형성공정의실시후, 가공홈 (M) 을따라가공홈 (M) 의최외폭 (Mw)(Max) 보다폭이좁은절삭블레이드 (60) 를웨이퍼 (W) 에절입시켜웨이퍼 (W) 를완전히절단하는절삭공정과, 레이저가공홈 형성공정의실시후에있어서, 적어도가공홈 (M) 을드라이에칭하는드라이에칭공정으로이루어지는것으로하였다.
摘要翻译： [问题]埋藏不生长在沟槽中，但含有铜，使碎片不会与器件的布线层接触。晶片W在上表面W2a上具有含Cu的布线层W2，并将在其上形成有器件D的晶片W分割成由分割线S划分的区域如何被照射激光，除去沿着分割预定线（S）与具有从布线层侧（W2），用于在晶片上形成的处理槽（M）（W）的吸收的波长的激光束的布线层（W2）该过程的执行情况的槽形成工序中，激光加工槽形成工序，加工根据加工槽（M）的槽（M）uichoe oepok（Mw）为在广泛的切削刀片60的宽度（最大）ejeol比晶片（W）后并且，在激光加工槽形成工序后，至少对加工槽（M）进行干式蚀刻的干式蚀刻工序。

7. 发明公开

KR1020160136232A 웨이퍼의 가공 방법 审中-实审
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：KR1020160136232A
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020160055179
申请日：2016-05-04
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 오가와유키 , 나가오카겐스케 , 오바타츠바사 , 반유리
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/683 , H01L21/268 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/364 , B23K2203/56 , B28D5/00 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要： 본발명은반송시에웨이퍼가파손되는것을억제할수 있고, 레이저광선의조사위치를용이하게보정할수 있는웨이퍼의가공방법을제공하는것을과제로한다. 웨이퍼의가공방법은, 보호테이프접착단계(ST1)와, 절삭홈형성단계(ST4)와, 분할단계(ST5)를구비한다. 보호테이프접착단계(ST1)는, 웨이퍼의기능층의표면에외적자극에의해경화되는보호테이프를접착한다. 절삭홈형성단계(ST4)는, 웨이퍼의기판의이면측으로부터분할예정라인을따라서절삭블레이드로절삭하고, 기능층에이르지않는잔존부를남긴절삭홈을형성한다. 분할단계(ST5)는, 절삭홈형성단계(ST4)를실시한후, 기판에흡수성을갖는파장의레이저광선을절삭홈을따라서조사하고, 잔존부를분할하여웨이퍼를디바이스칩으로분할한다. 절삭홈형성단계(ST4)에서는, 웨이퍼의외주잉여영역에절삭홈을형성하지않는비가공부를형성한다.
摘要翻译：通过将通过外部刺激固化的保护带附着在功能层的前侧来处理具有形成在基板的正面上的基板和功能层的晶片。通过使用切割刀沿着分割线从后侧切割基板，从而形成具有未到达功能层的深度的切割槽，其中一部分基板留在切割槽的底部和功能层之间。沿着切割槽施加激光束，从而划分衬底的剩余部分以将晶片分成器件芯片。当形成凹槽时，其中未形成切割槽的未切割部分留在晶片的周边边缘区域中。

8. 发明公开

KR1020160125303A 웨이퍼의 가공 방법 审中-实审
标题翻译： WAFER MACHINING方法
公开(公告)号：KR1020160125303A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020160047542
申请日：2016-04-19
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 오가와유키 , 나가오카겐스케 , 오바타츠바사 , 반유리
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/268 , H01L21/683 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2223/5446
摘要： (과제) 저유전율절연체피막이적층된기능층이형성된웨이퍼를양호한정밀도로분할할수 있는웨이퍼의가공방법을제공한다. (해결수단) 웨이퍼의가공방법으로서, 기판을투과하는파장의레이저광선을이용하여, 웨이퍼의이면측으로부터분할예정라인에대응하는기능층과기판의계면의높이를검출하고, 검출한높이를기준으로하여절삭블레이드의절입량을설정하고, 기능층에이르지않는균일한두께의잔존부를갖는절삭홈을기판에형성하고, 분할예정라인을따라잔존부및 기능층을절단한다.

9. 发明公开

KR1020160013812A 웨이퍼의 가공 방법 审中-实审
标题翻译：加工方法
公开(公告)号：KR1020160013812A
公开(公告)日：2016-02-05
申请号：KR1020150102550
申请日：2015-07-20
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 나가오카겐스케 , 오가와유키 , 오바타츠바사 , 반유리
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要： 본발명은, 기판의표면에적층된기능층에격자형으로형성된복수의분할예정라인에의해구획된복수의영역에디바이스가형성된웨이퍼를, 개개의디바이스로분할할수 있는웨이퍼의가공방법을제공하는것을목적으로한다. 기판의표면에적층된기능층에격자형으로형성된복수의분할예정라인에의해구획된복수의영역에디바이스가형성된웨이퍼를, 분할예정라인을따라분할하는웨이퍼의가공방법으로서, 표면에보호부재가접착된웨이퍼의보호부재측을척 테이블로유지하고, 척테이블을 X축방향으로가공이송하면서웨이퍼의분할예정라인에대응하는이면의 Z축방향의높이위치를검출하고, 분할예정라인의 X 좌표와 X 좌표에대응하는 Z 좌표를기록하는높이기록공정과, 높이기록공정을실시한후, 기판의이면측으로부터분할예정라인에대응하는영역에절삭블레이드를위치시키고, 높이기록공정에있어서기록된 X 좌표와 Z 좌표에기초하여절삭블레이드를 Z축방향으로이동시켜기능층에도달하지않는기판의일부를남겨절삭홈을형성하는절삭홈형성공정과, 웨이퍼의이면측으로부터절삭홈의바닥을따라레이저광선을조사하고, 분할예정라인을따라웨이퍼를분할하는레이저가공공정을포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种处理晶片的方法，其可以沿着分划线划分在由网格形状形成的多个分割计划线分割的多个区域中形成的装置的晶片在层压在基板表面上的功能层上。本发明涉及一种处理晶片的方法，该方法用于将具有由多个栅格形成的划分线划分的多个区域中的器件的晶片划分为基于层叠在基板表面上的功能层，计划线。用于处理晶片的方法包括：高度记录处理，其将具有附接到其表面的保护构件的晶片的保护构件侧保持在卡盘台上，检测相应于后表面的轴线Z的高度的位置沿着轴线X处理和传送卡盘台，并记录分割计划的线的X坐标和对应于X坐标的Z坐标; 在执行高度记录处理之后，将切割刀片从基板的后表面侧对应于与分割计划的线对应的区域中的切割槽形成过程，以及基于X坐标和Z坐标移动切割刀片记录在高度记录处理中，通过保留不到达功能层的基板的一部分来形成切割槽; 以及从晶片的后侧沿着切割槽的底部照射激光后沿着分割计划的线分割晶片的激光加工处理。

10. 发明公开

KR1020150105210A 판형물의 가공 방법 审中-实审
标题翻译：板状物体的处理方法
公开(公告)号：KR1020150105210A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020150026537
申请日：2015-02-25
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 오가와유키 , 이시다유키 , 오바타츠바사
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L23/00
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/0057 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , H01L21/67092 , H01L21/78 , H01L21/76 , H01L24/98
摘要： 본 발명은 기판과 기판의 표면에 형성된 적층체로 이루어지는 판형물에 있어서의 기판에 손상을 주지 않고 적층체를 제거하여 기판을 노출시킬 수 있는 판형물의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판과 기판의 표면에 형성된 적층체로 이루어지는 판형물을 가공하는 판형물의 가공 방법으로서, 판형물의 적층체를 제거하고 싶은 영역에 적층체를 파괴하지만 기판을 파괴하지 않는 에너지 밀도로 설정된 레이저 광선을 조사해서, 적층체를 제거하여 기판을 노출시키는 기판 노출 공정을 실시한다.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种处理板状物体的方法，该方法可以除去层压体以露出基板，而不损坏包括基板和形成在基板上的层压板的板状物体中的基板。在处理包括基板的板状物体和形成在基板上的层叠体的板状物体的处理方法中，通过照射激光束来除去层叠体而露出基板的基板曝光工序，具有能量执行不损坏基板而是将层压体破坏到用户想要去除板状物体的层叠体的区域的密度。

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