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1. 发明公开

KR1020150116395A 레이저 가공 장치 审中-实审
标题翻译：激光加工设备
公开(公告)号：KR1020150116395A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020150044297
申请日：2015-03-30
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 아이카와치카라 , 오가와유키 , 마츠모토히로카즈
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/76 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/67115 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0648 , B23K26/0853 , B23K26/0876 , B23K26/142 , B23K26/1476 , B23K26/16 , B23K26/364 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L21/67092
摘要： 본발명은피가공물에집광기로부터레이저광선이조사됨으로써생성되는용융물(파편)을효과적으로처리하여원하는깊이의레이저가공홈을형성할수 있는레이저가공장치를제공하는것을과제로한다. 피가공물을유지하기위한척테이블과, 척테이블에유지된피가공물에레이저광선을조사하는레이저광선조사수단을구비하고, 레이저광선조사수단은레이저광선을발진하는레이저광선발진수단과, 레이저광선발진수단으로부터발진된레이저광선을집광하는집광렌즈를구비한집광기를구비하고있는레이저가공장치로서, 집광기의레이저광선조사방향하류측에배치되며레이저가공에의해생성되는용융물을처리하기위한용융물처리수단을구비하고, 용융물처리수단은, 집광기로부터조사되는레이저광선의통과를허용하는개구를가지며그 개구로부터피가공물을향해서고속의가스를분사하는가스분사부와, 가스분사부의개구를둘러싸게형성되며개구로부터분사되는고속의가스에의해비산되는용융물을흡인하는흡인구를구비한용융물흡인부를구비하고, 가스분사부가고압가스공급수단에접속되고, 용융물흡인부가용융물흡인수단에접속되어있다.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种激光加工装置，通过有效地处理通过从冷凝器向待处理物体照射激光而产生的熔体（碎片），能够形成具有期望深度的激光加工槽。本发明的激光加工装置包括：用于保持被加工物的卡盘台; 以及激光束照射装置，用于将激光束照射到待处理物体上，保持在卡盘台上。激光束照射装置包括：用于振荡激光束的激光束振荡装置; 以及具有聚光透镜的聚光镜，用于聚光由激光束振荡装置振荡的激光束。本发明的激光加工装置还包括在冷凝器的激光束的照射方向上设置在底部流动处的熔融处理装置，以处理由激光加工产生的熔体。熔融处理装置包括：用于允许由冷凝器照射的激光束通过的开口; 气体喷射单元，用于从开口朝向被处理物体高速喷射气体; 以及具有形成为围绕气体喷射单元的开口的吸入孔并且以从喷嘴喷射的高速喷射的气体吸收熔体的熔体抽吸单元。气体喷射单元连接到高压气体供应单元，并且熔体抽吸单元连接到熔体吸入装置。

2. 发明授权

KR101597369B1 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법 有权
标题翻译：半导体波长激光加工方法
公开(公告)号：KR101597369B1
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：KR1020100032260
申请日：2010-04-08
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 모리카즈히로시 , 다케다노보루 , 마츠모토히로카즈
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
摘要： 본발명은항절강도가높은디바이스를얻을수 있는반도체웨이퍼의레이저가공방법을제공하는것을목적으로한다. 반도체웨이퍼의레이저가공방법으로서, 반도체웨이퍼의분할예정라인을따라반도체웨이퍼에대하여흡수성을갖는파장의펄스레이저빔을조사하여반도체웨이퍼에레이저가공홈을형성하는가공홈 형성공정을포함하고, 이가공홈 형성공정에서조사되는펄스레이저빔의펄스폭이 2 ㎱이하이며, 피크에너지밀도가 5 GW/㎠∼200 GW/㎠인것을특징으로한다.

3. 发明公开

KR1020100126185A 반도체 웨이퍼의 레이저 가공 방법 有权
标题翻译：半导体波长激光加工方法
公开(公告)号：KR1020100126185A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020100032260
申请日：2010-04-08
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 모리카즈히로시 , 다케다노보루 , 마츠모토히로카즈
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
摘要： PURPOSE: A laser processing method of a semiconductor wafer is provided to form the transverse strength over 800 MPa of a partitioned device by forming a laser processed groove on a semiconductor wafer by setting the peak energy density per 1 pulse as 5 GW/cm^2~200 GW/cm^2. CONSTITUTION: A first slide block(6) is mounted on a stationary base(4) to be moving in X axis direction. A second slide block(16) is mounted on the first slide block to be moving in Y axis direction. A chuck table(28) is mounted on the second slide block through a cylinder support member(26). A casing is attached to a casing(35) accepting a laser irradiation unit(34).
摘要翻译：目的：提供半导体晶片的激光加工方法，通过将每1脉冲的峰值能量密度设定为5GW / cm 2，在半导体晶片上形成激光加工槽，形成分隔装置的800MPa以上的横向强度〜200GW / cm ^ 2。构成：第一滑动块（6）安装在固定基座（4）上以在X轴方向上移动。第二滑动块（16）安装在第一滑块上以沿Y轴方向移动。卡盘台（28）通过气缸支撑构件（26）安装在第二滑块上。壳体连接到接受激光照射单元（34）的壳体（35）。

4. 发明公开

KR1020170000771A SAW 디바이스의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于制造SAW器件的SAW方法
公开(公告)号：KR1020170000771A
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：KR1020160072112
申请日：2016-06-10
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 마츠모토히로카즈 , 아바타케준
IPC分类号： H03H9/64 , H03H3/08 , H03H9/25
CPC分类号： H03H3/08 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2201/40 , B23K2203/42 , B23K2203/50 , B23K2203/54 , B23K2203/56
摘要： 본발명은품질의저하를억제한 SAW 디바이스의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 격자형으로설정된복수의분할예정라인(15)으로표면(13a)이구획된결정기판(13)과, 분할예정라인으로구획된표면의각 영역에형성된빗살형의전극(17)과, 표면전체를피복하는수지로이루어지는피복층(19)을포함하는 SAW 디바이스웨이퍼(11)를분할하여복수의 SAW 디바이스를제조하는 SAW 디바이스의제조방법으로서, 결정기판에도달하지않는깊이의레이저가공홈(21)을분할예정라인을따라피복층에형성하는레이저가공홈형성공정과, 결정기판의내부를개질한개질층(25)을분할예정라인을따라형성하는개질층형성공정과, SAW 디바이스웨이퍼에외력을부여하여, SAW 디바이스웨이퍼를분할예정라인을따라복수의 SAW 디바이스로분할하는분할공정을포함한다.
摘要翻译： SAW器件晶片具有通过多个交叉分割线将前侧分隔成多个区域的晶体基板，通过划分线形成在形成在晶体基板的前侧的每个区域中的一对梳状电极，以及由树脂形成的覆盖层，用于覆盖晶体基板的整个前侧。 SAW器件通过沿着分割线在覆盖层上形成激光加工槽而形成，激光加工槽的深度未到达晶体基板，沿着分割线在晶体基板的内部形成改性层，并施加外部施加到SAW器件晶片，从而沿着每个分割线分割SAW器件晶片，以获得多个SAW器件。

5. 发明授权

KR101584819B1 반도체 웨이퍼의 가공 방법 有权
标题翻译：半导体滤波器的处理方法
公开(公告)号：KR101584819B1
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020100032710
申请日：2010-04-09
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 모리카즈히로시 , 다케다노보루 , 마츠모토히로카즈
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/67092 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0648 , B23K26/073 , B23K26/082 , B23K26/0853 , B23K26/0876 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L21/78
摘要： 본발명은디바이스의항절강도를향상시킬수 있는디바이스의가공방법을제공하는것이다. 반도체웨이퍼를분할함으로써형성된디바이스의항절강도를향상시키는디바이스의가공방법으로서, 디바이스의외주에펄스폭이 2 ㎱이하이며, 피크에너지밀도가 5 GW/㎠∼200 GW/㎠인디바이스에대하여흡수성을갖는파장의펄스레이저빔을조사하여모따기가공을행하는것을특징으로한다.

6. 发明公开

KR1020100126186A 반도체 웨이퍼의 가공 방법 有权
标题翻译：装置的处理方法
公开(公告)号：KR1020100126186A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020100032710
申请日：2010-04-09
申请人： 가부시기가이샤 디스코
发明人： 모리카즈히로시 , 다케다노보루 , 마츠모토히로카즈
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/67092 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0648 , B23K26/073 , B23K26/082 , B23K26/0853 , B23K26/0876 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L21/78
摘要： PURPOSE: A device processing method is provided to form the transverse strength of the device over 800 MPa by implementing the chamfering process on the periphery of the device by setting the peak energy density per 1 pulse at 5GW/cm^2~200 GW/cm^2. CONSTITUTION: A second slide block(16) is mounted on a first slide block(6) to be moving in Y axis direction. A chuck table(28) is mounted on the second slide block through a cylinder supporting member(26). A casing(35) accepting a laser beam radiation unit(34) is attached to a column(32). A photographing unit(38) detecting a processing area is arranged on the top of the casing.
摘要翻译：目的：提供一种器件加工方法，通过在5GW / cm ^ 2〜200GW / cm下设定每1脉冲的峰值能量密度，通过在器件周围实施倒角工艺，在800MPa以上形成器件的横向强度 ^ 2。构成：第二滑块（16）安装在第一滑动块（6）上以在Y轴方向上移动。卡盘台（28）通过气缸支撑构件（26）安装在第二滑块上。接收激光束辐射单元（34）的壳体（35）附接到柱（32）。检测处理区域的拍摄单元（38）布置在壳体的顶部。

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