专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TWI665735B 針對半導體元件應用之先進３Ｄ特徵的製造所用之轉換製程有权
简体标题：针对半导体组件应用之雪铁龙３Ｄ特征的制造所用之转换制程
公开(公告)号：TWI665735B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104109812
申请日：2015-03-26
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 黑特姆克里斯多弗 , HATEM, CHRISTOPHER , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

3. 发明专利

TW201334021A 電漿浸沒製程的定量測量方法审中-公开
简体标题：等离子浸没制程的定量测量方法
公开(公告)号：TW201334021A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101142934
申请日：2012-11-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：姚大平 , YAO, DAPING , 波須尼夫彼得I , PORSHNEV, PETER I. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 維拉卡爾馬諾傑 , VELLAIKAL, MANOJ
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/223
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/3115
摘要：在此提供用以定量地測量電漿浸沒製程的效能的方法。在一些實施例中，一種使用第一基材而定量地測量電漿浸沒製程的效能的方法，該第一基材包含被沉積在矽層上的氧化物層，該方法可包括以下步驟：使該第一基材在第一電漿浸沒腔室中經歷電漿浸沒製程，以在該第一基材上形成摻雜氧化物層；及藉由以下步驟來決定該摻雜氧化物層的厚度：照射光束於該摻雜氧化物層的反射表面上；引導反射的光束離開該摻雜氧化物層的該反射表面；及分析反射的光束，以決定該第一基材上的該摻雜氧化物層的厚度。
简体摘要：在此提供用以定量地测量等离子浸没制程的性能的方法。在一些实施例中，一种使用第一基材而定量地测量等离子浸没制程的性能的方法，该第一基材包含被沉积在硅层上的氧化物层，该方法可包括以下步骤：使该第一基材在第一等离子浸没腔室中经历等离子浸没制程，以在该第一基材上形成掺杂氧化物层；及借由以下步骤来决定该掺杂氧化物层的厚度：照射光束于该掺杂氧化物层的反射表面上；引导反射的光束离开该掺杂氧化物层的该反射表面；及分析反射的光束，以决定该第一基材上的该掺杂氧化物层的厚度。

4. 发明专利

TWI621157B 共形摻雜的方法與設備有权
简体标题：共形掺杂的方法与设备
公开(公告)号：TWI621157B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW101104938
申请日：2012-02-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：山塔那卡堤 , SANTHANAM, KARTIK , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 維拉卡爾馬諾傑 , VELLAIKAL, MANOJ , 李馬克R , LEE, MARK R. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 波須尼夫彼得I , PORSHNEV, PETER I.
IPC分类号： H01L21/223
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J37/32669 , H01L21/324

5. 发明专利

TW201801813A 用於排放沉積移除的溫度控制遠端電漿清洗审中-公开
简体标题：用于排放沉积移除的温度控制远程等离子清洗
公开(公告)号：TW201801813A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106113035
申请日：2017-04-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D.
IPC分类号： B08B7/00 , B08B9/027 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/06 , H01J37/32
CPC分类号： B08B7/0035 , B08B9/027 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B29/06 , H01J37/32357 , H01J37/32834 , H01J37/32963 , H01J2237/335
摘要：本揭示案的實施例一般係關於用於清洗排放系統的方法及設備，例如與用於形成磊晶矽的處理腔室一起使用的排放系統。排放系統包含用於供應離子化氣體穿過排放系統的遠端電漿來源，及置於遠端電漿來源下游的一或更多個溫度感測器。
简体摘要：本揭示案的实施例一般系关于用于清洗排放系统的方法及设备，例如与用于形成磊晶硅的处理腔室一起使用的排放系统。排放系统包含用于供应离子化气体穿过排放系统的远程等离子来源，及置于远程等离子来源下游的一或更多个温度传感器。

6. 发明专利

TW201324591A 減少摻質擴散之表面穩定化製程审中-公开
简体标题：减少掺质扩散之表面稳定化制程
公开(公告)号：TW201324591A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101133149
申请日：2012-09-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修S , ROGERS, MATTHEW S. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A.
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , H01J37/32357 , H01L21/3211 , H01L21/32155 , H01L21/324 , H01L27/11521
摘要：一種用以使用遠端電漿源將電漿的自由基併入到基材或半導體基材上的材料內的方法。在一實施例中，提供一種用以處理基材表面上的摻雜材料的方法，並且該方法包括以下步驟：形成摻雜層於基材上與可選地清潔該摻雜層(諸如藉由濕式清潔製程)。該方法亦包括：在遠端電漿源中產生離子化氮電漿，其中該離子化氮電漿具有在約0.001%至約0.1%的範圍內的離子濃度；將該離子化氮電漿予以去離子化，同時形成非離子化氮電漿。該方法更包括：使該非離子化氮電漿流動到處理腔室內的處理區域內；藉由在穩定化製程期間使該處理區域內的該摻雜層暴露於該非離子化氮電漿，以從該摻雜層的上方部分形成氮化帽蓋層。
简体摘要：一种用以使用远程等离子源将等离子的自由基并入到基材或半导体基材上的材料内的方法。在一实施例中，提供一种用以处理基材表面上的掺杂材料的方法，并且该方法包括以下步骤：形成掺杂层于基材上与可选地清洁该掺杂层(诸如借由湿式清洁制程)。该方法亦包括：在远程等离子源中产生离子化氮等离子，其中该离子化氮等离子具有在约0.001%至约0.1%的范围内的离子浓度；将该离子化氮等离子予以去离子化，同时形成非离子化氮等离子。该方法更包括：使该非离子化氮等离子流动到处理腔室内的处理区域内；借由在稳定化制程期间使该处理区域内的该掺杂层暴露于该非离子化氮等离子，以从该掺杂层的上方部分形成氮化帽盖层。

7. 发明专利

TWI498946B 具有腔室處理與處理層電漿放電以釋放晶圓的電漿浸沒離子佈植製程有权
简体标题：具有腔室处理与处理层等离子放电以释放晶圆的等离子浸没离子布植制程
公开(公告)号：TWI498946B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW098104242
申请日：2009-02-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：維拉卡爾馬諾傑 , VELLAIKAL, MANOJ , 山塔那卡堤 , SANTHANAM, KARTIK , 塔元B , TA, YEN B. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 賴肯奮 , LAI, CANFENG , 波薛夫彼得I , PORSHNEV, PETER I. , 福德馬吉德A , FOAD, MAJEED A.
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32477 , H01J37/32412 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/16

8. 发明专利

TW201349358A 用於佈植摻雜材料的方法與設備审中-公开
简体标题：用于布植掺杂材料的方法与设备
公开(公告)号：TW201349358A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102113474
申请日：2013-04-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薛瑪雪恩克 , SHARMA, SHASHANK , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 史寇特尼凱瑟馬修 , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW , 波藍約翰 , BOLAND, JOHN
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/32412 , H01L21/2236
摘要：本文提供用於佈植摻雜材料的方法與設備。於一些具體實施例中，一種用於處理設置於處理腔室內之基板的方法可包括：(a)佈植一摻雜材料進入該基板的一表面，以在該基板中形成一經摻雜層及在該經摻雜層上之一元素摻雜物層；(b)自該基板的該表面上移除至少部分該元素摻雜物層；以及(c)佈植該摻雜材料進入該基板的該經摻雜層；其中實施(a)-(c)時不將該基板移出該處理腔室；以及其中重複(a)-(c)直至達到一預期的摻雜物佈植深度或一預期的摻雜物佈植密度之至少一者。
简体摘要：本文提供用于布植掺杂材料的方法与设备。于一些具体实施例中，一种用于处理设置于处理腔室内之基板的方法可包括：(a)布植一掺杂材料进入该基板的一表面，以在该基板中形成一经掺杂层及在该经掺杂层上之一元素掺杂物层；(b)自该基板的该表面上移除至少部分该元素掺杂物层；以及(c)布植该掺杂材料进入该基板的该经掺杂层；其中实施(a)-(c)时不将该基板移出该处理腔室；以及其中重复(a)-(c)直至达到一预期的掺杂物布植深度或一预期的掺杂物布植密度之至少一者。

9. 发明专利

TWI595691B 用於磁性媒材圖案化之阻劑強化有权
简体标题：用于磁性媒材图案化之阻剂强化
公开(公告)号：TWI595691B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW100126016
申请日：2011-07-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫D , BENCHER, CHRISTOPHER D. , 寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 夏立群 , XIA, LI-QUN , 李永元 , LEE, YONG-WON , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 波薛夫彼得I , PORSHNEV, PETER I.
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08 , H01L21/677
CPC分类号： G11B5/85 , G11B5/743 , G11B5/855

10. 发明专利

TWI564941B 用於圖案化之磁碟媒體應用的電漿離子佈植製程有权
简体标题：用于图案化之磁盘媒体应用的等离子离子布植制程
公开(公告)号：TWI564941B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW099137979
申请日：2010-11-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： G11B5/855 , H01J37/321 , H01J37/32412

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式