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1. 发明专利

TW201807758A 磊晶底環审中-公开
简体标题：磊晶底环
公开(公告)号：TW201807758A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106135971
申请日：2014-03-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：阿保艾吉史蒂夫 , ABOAGYE, STEVE , 布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 庫瑪蘇拉吉特 , KUMAR, SURAJIT , 常安中 , CHANG, ANZHONG , 古波若沙堤西 , KUPPURAO, SATHEESH , 薩米爾梅莫特圖格魯爾 , SAMIR, MEHMET TUGRUL , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K.
IPC分类号： H01L21/36 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45502 , C23C16/4411 , C23C16/45504 , C23C16/45563 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/481
摘要：本文所述的具體實施例是與用於基板處理室的底環組件有關。在一具體實施例中，該底環組件包括一環形主體、一上環件與一下環件，該環形主體的大小係設以容置在該基板處理室的一內圓周內，該環形主體包括一負載口以使基板通過、一氣體入口、以及一氣體出口，其中該氣體入口與該氣體出口係設置在該環形主體的相對端部處，該上環件係配置以設於該環形主體的一上表面上，該下環件係配置以設於該環形主體的一下表面上，其中該上環件、該下環件與該環形主體一旦組裝，即通常呈同心或共軸。
简体摘要：本文所述的具体实施例是与用于基板处理室的底环组件有关。在一具体实施例中，该底环组件包括一环形主体、一上环件与一下环件，该环形主体的大小系设以容置在该基板处理室的一内圆周内，该环形主体包括一负载口以使基板通过、一气体入口、以及一气体出口，其中该气体入口与该气体出口系设置在该环形主体的相对端部处，该上环件系配置以设于该环形主体的一上表面上，该下环件系配置以设于该环形主体的一下表面上，其中该上环件、该下环件与该环形主体一旦组装，即通常呈同心或共轴。

2. 发明专利

TW201801153A 承載盤支座审中-公开
简体标题：承载盘支座
公开(公告)号：TW201801153A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106598
申请日：2017-03-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柯林斯理查O , COLLINS, RICHARD O. , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K. , 薩米爾梅莫特圖格魯爾 , SAMIR, MEHMET TUGRUL
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/4583 , C23C16/4585 , C23C16/481
摘要：本文所揭示的實施例一般涉及用於在沉積處理中支撐承載盤的承載盤支座。該承載盤支座包括軸桿；板材，該板材具有耦合到軸桿的第一主要表面；及支撐元件，該支撐元件從板材的第二主要表面延伸。該板材可由對輻射能量透光的材料製成，該輻射能量是來自於設置在板材底下的複數個能量源。該板材可具有厚度，該厚度小到足以將輻射傳輸損耗最小化，且大到足以在處理期間熱穩定且機械穩定地支撐承載盤。該板材的厚度範圍可為約2 mm至約20 mm。
简体摘要：本文所揭示的实施例一般涉及用于在沉积处理中支撑承载盘的承载盘支座。该承载盘支座包括轴杆；板材，该板材具有耦合到轴杆的第一主要表面；及支撑组件，该支撑组件从板材的第二主要表面延伸。该板材可由对辐射能量透光的材料制成，该辐射能量是来自于设置在板材底下的复数个能量源。该板材可具有厚度，该厚度小到足以将辐射传输损耗最小化，且大到足以在处理期间热稳定且机械稳定地支撑承载盘。该板材的厚度范围可为约2 mm至约20 mm。

3. 发明专利

TWI643266B 磊晶底環有权
简体标题：磊晶底环
公开(公告)号：TWI643266B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106135971
申请日：2014-03-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：阿保艾吉史蒂夫 , ABOAGYE, STEVE , 布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 庫瑪蘇拉吉特 , KUMAR, SURAJIT , 常安中 , CHANG, ANZHONG , 古波若沙堤西 , KUPPURAO, SATHEESH , 薩米爾梅莫特圖格魯爾 , SAMIR, MEHMET TUGRUL , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K.
IPC分类号： H01L21/36 , C23C16/54

4. 发明专利

TW201829819A 用於CMOS接觸及阻障層之方法與材料审中-公开
简体标题：用于CMOS接触及阻障层之方法与材料
公开(公告)号：TW201829819A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106123779
申请日：2017-07-17
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：鮑新宇 , BAO, XINYU , 燕春 , YAN, CHUN , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K.
IPC分类号： C23C16/00 , C30B29/52 , H01L21/8234 , H01L21/02
摘要：本案揭露內容大體上關於用於在半導體元件上形成磊晶層的方法，包括形成拉張加壓矽銻層之方法。該方法包括下述步驟：加熱配置在處理腔室內的基材，其中該基材包括矽；以及將該基材之表面暴露至氣體混合物，以在該表面上形成矽銻合金，該氣體混合物包括含矽前驅物與含銻前驅物，該矽銻合金具有每立方公分5x1020至5x1021個原子或更大的銻濃度。
简体摘要：本案揭露内容大体上关于用于在半导体组件上形成磊晶层的方法，包括形成拉张加压硅锑层之方法。该方法包括下述步骤：加热配置在处理腔室内的基材，其中该基材包括硅；以及将该基材之表面暴露至气体混合物，以在该表面上形成硅锑合金，该气体混合物包括含硅前驱物与含锑前驱物，该硅锑合金具有每立方公分5x1020至5x1021个原子或更大的锑浓度。

5. 发明专利

TW201833375A 前驅物控制系統及製程审中-公开
简体标题：前驱物控制系统及制程
公开(公告)号：TW201833375A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143534
申请日：2017-12-12
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K.
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要：本文所述之實施形態大致上關於用在輸送化學前驅物的系統、方法、及設備，且更特定而言，關於用於容納化學前驅物的安瓿。本文所述之實施形態大致上關於用在輸送化學前驅物的系統、方法、及設備，且更特定而言，關於用於容納化學前驅物的安瓿。一個實施形態中，提供一種用於生成化學前驅物的設備，該化學前驅物用在氣相沉積處理系統中。該設備包括：罐，包括側壁、頂部表面、及底部表面，該側壁、頂部表面、及底部表面包圍在該罐中的內部空間；黏著層，配置在該側壁及底部表面的外側表面上方；導熱塗層，配置在該黏著層上方；絕緣層，配置在該導熱塗層上方，其中在該底部表面上方的該導熱塗層維持暴露；以及入口通口及出口通口，與該內部空間流體相通。
简体摘要：本文所述之实施形态大致上关于用在输送化学前驱物的系统、方法、及设备，且更特定而言，关于用于容纳化学前驱物的安瓿。本文所述之实施形态大致上关于用在输送化学前驱物的系统、方法、及设备，且更特定而言，关于用于容纳化学前驱物的安瓿。一个实施形态中，提供一种用于生成化学前驱物的设备，该化学前驱物用在气相沉积处理系统中。该设备包括：罐，包括侧壁、顶部表面、及底部表面，该侧壁、顶部表面、及底部表面包围在该罐中的内部空间；黏着层，配置在该侧壁及底部表面的外侧表面上方；导热涂层，配置在该黏着层上方；绝缘层，配置在该导热涂层上方，其中在该底部表面上方的该导热涂层维持暴露；以及入口通口及出口通口，与该内部空间流体相通。

6. 发明专利

TW201801813A 用於排放沉積移除的溫度控制遠端電漿清洗审中-公开
简体标题：用于排放沉积移除的温度控制远程等离子清洗
公开(公告)号：TW201801813A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106113035
申请日：2017-04-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D.
IPC分类号： B08B7/00 , B08B9/027 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/06 , H01J37/32
CPC分类号： B08B7/0035 , B08B9/027 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B29/06 , H01J37/32357 , H01J37/32834 , H01J37/32963 , H01J2237/335
摘要：本揭示案的實施例一般係關於用於清洗排放系統的方法及設備，例如與用於形成磊晶矽的處理腔室一起使用的排放系統。排放系統包含用於供應離子化氣體穿過排放系統的遠端電漿來源，及置於遠端電漿來源下游的一或更多個溫度感測器。
简体摘要：本揭示案的实施例一般系关于用于清洗排放系统的方法及设备，例如与用于形成磊晶硅的处理腔室一起使用的排放系统。排放系统包含用于供应离子化气体穿过排放系统的远程等离子来源，及置于远程等离子来源下游的一或更多个温度传感器。

7. 发明专利

TW201705471A 高度不匹配之III-V CMOS通道材料於矽基板上的MOCVD生長审中-公开
简体标题：高度不匹配之III-V CMOS信道材料于硅基板上的MOCVD生长
公开(公告)号：TW201705471A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105109193
申请日：2016-03-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：潘根用 , BAN, KEUN-YONG , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 包欣玉 , BAO, XINYU , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K.
IPC分类号： H01L29/04 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L29/10 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L29/205 , H01L27/092 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/7849 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02439 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/1054 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/66522
摘要：本揭示案之實施例大體上係關於包括第III-V族半導體材料層之半導體元件。在一個實施例中，半導體元件包括：沉積在矽基板上之含磷層，其中該含磷層具有與矽基板5%以下的晶格不匹配；在第一溫度下沉積在含磷層上之第III-V族化合物晶核層，該第III-V族化合物晶核層具有第一厚度；在高於第一溫度之第二溫度下沉積在第III-V族化合物晶核層上之第III-V族化合物過渡層，該第III-V族化合物過渡層具有大於第一厚度之第二厚度，且第III-V族化合物晶核層不同於第III-V族化合物過渡層；及沉積在第III-V族化合物過渡層上之主動層。
简体摘要：本揭示案之实施例大体上系关于包括第III-V族半导体材料层之半导体组件。在一个实施例中，半导体组件包括：沉积在硅基板上之含磷层，其中该含磷层具有与硅基板5%以下的晶格不匹配；在第一温度下沉积在含磷层上之第III-V族化合物晶核层，该第III-V族化合物晶核层具有第一厚度；在高于第一温度之第二温度下沉积在第III-V族化合物晶核层上之第III-V族化合物过渡层，该第III-V族化合物过渡层具有大于第一厚度之第二厚度，且第III-V族化合物晶核层不同于第III-V族化合物过渡层；及沉积在第III-V族化合物过渡层上之主动层。

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