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1. 发明专利

TWI665735B 針對半導體元件應用之先進３Ｄ特徵的製造所用之轉換製程有权
简体标题：针对半导体组件应用之雪铁龙３Ｄ特征的制造所用之转换制程
公开(公告)号：TWI665735B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104109812
申请日：2015-03-26
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 黑特姆克里斯多弗 , HATEM, CHRISTOPHER , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

2. 发明专利

TW201334021A 電漿浸沒製程的定量測量方法审中-公开
简体标题：等离子浸没制程的定量测量方法
公开(公告)号：TW201334021A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101142934
申请日：2012-11-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：姚大平 , YAO, DAPING , 波須尼夫彼得I , PORSHNEV, PETER I. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 維拉卡爾馬諾傑 , VELLAIKAL, MANOJ
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/223
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/3115
摘要：在此提供用以定量地測量電漿浸沒製程的效能的方法。在一些實施例中，一種使用第一基材而定量地測量電漿浸沒製程的效能的方法，該第一基材包含被沉積在矽層上的氧化物層，該方法可包括以下步驟：使該第一基材在第一電漿浸沒腔室中經歷電漿浸沒製程，以在該第一基材上形成摻雜氧化物層；及藉由以下步驟來決定該摻雜氧化物層的厚度：照射光束於該摻雜氧化物層的反射表面上；引導反射的光束離開該摻雜氧化物層的該反射表面；及分析反射的光束，以決定該第一基材上的該摻雜氧化物層的厚度。
简体摘要：在此提供用以定量地测量等离子浸没制程的性能的方法。在一些实施例中，一种使用第一基材而定量地测量等离子浸没制程的性能的方法，该第一基材包含被沉积在硅层上的氧化物层，该方法可包括以下步骤：使该第一基材在第一等离子浸没腔室中经历等离子浸没制程，以在该第一基材上形成掺杂氧化物层；及借由以下步骤来决定该掺杂氧化物层的厚度：照射光束于该掺杂氧化物层的反射表面上；引导反射的光束离开该掺杂氧化物层的该反射表面；及分析反射的光束，以决定该第一基材上的该掺杂氧化物层的厚度。

3. 发明专利

TWI621157B 共形摻雜的方法與設備有权
简体标题：共形掺杂的方法与设备
公开(公告)号：TWI621157B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW101104938
申请日：2012-02-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：山塔那卡堤 , SANTHANAM, KARTIK , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 維拉卡爾馬諾傑 , VELLAIKAL, MANOJ , 李馬克R , LEE, MARK R. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 波須尼夫彼得I , PORSHNEV, PETER I.
IPC分类号： H01L21/223
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J37/32669 , H01L21/324

4. 发明专利

TW201324591A 減少摻質擴散之表面穩定化製程审中-公开
简体标题：减少掺质扩散之表面稳定化制程
公开(公告)号：TW201324591A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101133149
申请日：2012-09-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修S , ROGERS, MATTHEW S. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A.
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , H01J37/32357 , H01L21/3211 , H01L21/32155 , H01L21/324 , H01L27/11521
摘要：一種用以使用遠端電漿源將電漿的自由基併入到基材或半導體基材上的材料內的方法。在一實施例中，提供一種用以處理基材表面上的摻雜材料的方法，並且該方法包括以下步驟：形成摻雜層於基材上與可選地清潔該摻雜層(諸如藉由濕式清潔製程)。該方法亦包括：在遠端電漿源中產生離子化氮電漿，其中該離子化氮電漿具有在約0.001%至約0.1%的範圍內的離子濃度；將該離子化氮電漿予以去離子化，同時形成非離子化氮電漿。該方法更包括：使該非離子化氮電漿流動到處理腔室內的處理區域內；藉由在穩定化製程期間使該處理區域內的該摻雜層暴露於該非離子化氮電漿，以從該摻雜層的上方部分形成氮化帽蓋層。
简体摘要：一种用以使用远程等离子源将等离子的自由基并入到基材或半导体基材上的材料内的方法。在一实施例中，提供一种用以处理基材表面上的掺杂材料的方法，并且该方法包括以下步骤：形成掺杂层于基材上与可选地清洁该掺杂层(诸如借由湿式清洁制程)。该方法亦包括：在远程等离子源中产生离子化氮等离子，其中该离子化氮等离子具有在约0.001%至约0.1%的范围内的离子浓度；将该离子化氮等离子予以去离子化，同时形成非离子化氮等离子。该方法更包括：使该非离子化氮等离子流动到处理腔室内的处理区域内；借由在稳定化制程期间使该处理区域内的该掺杂层暴露于该非离子化氮等离子，以从该掺杂层的上方部分形成氮化帽盖层。

5. 发明专利

TWI587353B 電漿浸沒製程的定量測量方法有权
简体标题：等离子浸没制程的定量测量方法
公开(公告)号：TWI587353B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW101142934
申请日：2012-11-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：姚大平 , YAO, DAPING , 波須尼夫彼得I , PORSHNEV, PETER I. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 維拉卡爾馬諾傑 , VELLAIKAL, MANOJ
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/223
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/3115

6. 发明专利

TWI549163B 減少摻質擴散之表面穩定化製程有权
简体标题：减少掺质扩散之表面稳定化制程
公开(公告)号：TWI549163B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW101133149
申请日：2012-09-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修S , ROGERS, MATTHEW S. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A.
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , H01J37/32357 , H01L21/3211 , H01L21/32155 , H01L21/324 , H01L27/11521

7. 发明专利

TW201601221A 針對半導體元件應用之先進３Ｄ特徵的製造所用之轉換製程审中-公开
简体标题：针对半导体组件应用之雪铁龙３Ｄ特征的制造所用之转换制程
公开(公告)号：TW201601221A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104109812
申请日：2015-03-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 黑特姆克里斯多弗 , HATEM, CHRISTOPHER , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66803 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/30 , H01L21/30604 , H01L21/3065
摘要：本發明的實施例提供針對半導體晶片之鰭式場效電晶體(FinFET)的三維(3D)堆疊使用轉換製程形成具有所需材料的鰭片結構之方法。在一個實施例中，一種在基板上形成鰭片結構的方法包括以下步驟：在鰭片結構上進行方向性電漿製程，該鰭片結構由基板形成，該基板包含第一型原子，該方向性電漿製程在該鰭片結構之側壁上摻雜第二型原子；進行表面改性製程，以與該第一型原子反應而在該鰭片結構之該側壁上形成表面改性層；在該表面改性製程期間在該鰭片結構中使用該第二型原子取代該第一型原子；在該基板上形成包括該第二型原子的鰭片結構。
简体摘要：本发明的实施例提供针对半导体芯片之鳍式场效应管(FinFET)的三维(3D)堆栈使用转换制程形成具有所需材料的鳍片结构之方法。在一个实施例中，一种在基板上形成鳍片结构的方法包括以下步骤：在鳍片结构上进行方向性等离子制程，该鳍片结构由基板形成，该基板包含第一型原子，该方向性等离子制程在该鳍片结构之侧壁上掺杂第二型原子；进行表面改性制程，以与该第一型原子反应而在该鳍片结构之该侧壁上形成表面改性层；在该表面改性制程期间在该鳍片结构中使用该第二型原子取代该第一型原子；在该基板上形成包括该第二型原子的鳍片结构。

8. 发明专利

TWI449036B 針對圖案化碟片媒材之電漿離子植入製程期間的基材溫度控制方法有权
简体标题：针对图案化盘片媒材之等离子离子植入制程期间的基材温度控制方法
公开(公告)号：TWI449036B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW099137219
申请日：2010-10-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 波薛夫彼得I , PORSHNEV, PETER I. , 寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN
IPC分类号： G11B5/84 , H01J37/317
CPC分类号： G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/746 , H01J37/32412

9. 发明专利

TW201735412A 用於磁性媒材圖案化之阻劑強化审中-公开
简体标题：用于磁性媒材图案化之阻剂强化
公开(公告)号：TW201735412A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106121954
申请日：2011-07-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫D , BENCHER,CHRISTOPHER D. , 寇克羅門 , GOUK,ROMAN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE,STEVEN , 夏立群 , XIA,LI-QUN , 李永元 , LEE,YONG-WON , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE,MATTHEW D. , 西爾肯馬汀A , HILKENE,MARTIN A. , 波薛夫彼得I , PORSHNEV,PETER I.
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08 , H01L21/677
CPC分类号： G11B5/85 , G11B5/743 , G11B5/855
摘要：茲提供一種形成磁性媒材基材的方法和設備。圖案化阻劑層形成在具磁化層的基材上。共形保護層形成在圖案化阻劑層上，以免圖案於後續處理時降解。基材經能量處理，其中能量物種依據形成於圖案化阻劑的圖案，穿透部分圖案化阻劑和共形保護層而撞擊磁化層及改變磁化層磁性。接著移除圖案化阻劑和共形保護層而留下磁性基材，該磁性基材具有形貌實質不變的磁性圖案。
简体摘要：兹提供一种形成磁性媒材基材的方法和设备。图案化阻剂层形成在具磁化层的基材上。共形保护层形成在图案化阻剂层上，以免图案于后续处理时降解。基材经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化阻剂的图案，穿透部分图案化阻剂和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化阻剂和共形保护层而留下磁性基材，该磁性基材具有形貌实质不变的磁性图案。

10. 发明专利

TWI595691B 用於磁性媒材圖案化之阻劑強化有权
简体标题：用于磁性媒材图案化之阻剂强化
公开(公告)号：TWI595691B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW100126016
申请日：2011-07-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班卻爾克里斯多夫D , BENCHER, CHRISTOPHER D. , 寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 夏立群 , XIA, LI-QUN , 李永元 , LEE, YONG-WON , 史寇特尼凱瑟馬修D , SCOTNEY-CASTLE, MATTHEW D. , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 波薛夫彼得I , PORSHNEV, PETER I.
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/08 , H01L21/677
CPC分类号： G11B5/85 , G11B5/743 , G11B5/855

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