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1. 发明专利

TWI670793B 基板支撐及擋板設備有权
简体标题：基板支撑及挡板设备
公开(公告)号：TWI670793B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW105131202
申请日：2016-09-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 陳翰文 , CHEN, HAN-WEN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 德爾馬斯琴 , DELMAS, JEAN
IPC分类号： H01L21/683

2. 发明专利

TWI697083B 用於在半導體應用中使用超臨界流體的方法和設備有权
简体标题：用于在半导体应用中使用超临界流体的方法和设备
公开(公告)号：TWI697083B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107111552
申请日：2018-04-02
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：德爾馬斯琴 , DELMAS, JEAN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN
IPC分类号： H01L23/42 , H01L23/46 , H01L21/67

3. 发明专利

TWI697050B 使用保護阻障層製造半導體結構的設備及方法有权
简体标题：使用保护阻障层制造半导体结构的设备及方法
公开(公告)号：TWI697050B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107132041
申请日：2018-09-12
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曼納帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 馬禮克亞伯希吉特巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 勒施基斯寇迪斯 , LESCHKIES, KURTIS , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 江施施 , JIANG, SHISHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/768

4. 发明专利

TW202011502A 減低容積的處理腔室审中-公开
简体标题：减低容积的处理腔室
公开(公告)号：TW202011502A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108135965
申请日：2016-09-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 陳翰文 , CHEN, HAN-WEN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 德爾馬斯琴 , DELMAS, JEAN
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要：於此描述的實施例一般相關於具有減低容積的處理腔室，以執行超臨界烘乾處理或其他相位轉換處理。該腔室包含可移動地設置於第一軌道上的基板支撐件及可移動地設置於第二軌道上的門。基板支撐件及門可經配置以相互獨立地移動，且該腔室可經配置以最小化腔室內基板的垂直移動。
简体摘要：于此描述的实施例一般相关于具有减低容积的处理腔室，以运行超临界烘干处理或其他相位转换处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件及可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件及门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。

5. 发明专利

TW201843785A 用於在半導體應用中使用超臨界流體的方法和設備审中-公开
简体标题：用于在半导体应用中使用超临界流体的方法和设备
公开(公告)号：TW201843785A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107111552
申请日：2018-04-02
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：德爾馬斯琴 , DELMAS, JEAN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN
IPC分类号： H01L23/42 , H01L23/46 , H01L21/67
摘要：提供了一種用於處理基板的方法和設備。二氧化碳液體的進料流在壓力下自進料供應器被供應至純化容器。在該純化容器中的該二氧化碳液體在單級蒸餾製程中被蒸餾以形成純化的二氧化碳氣體。該處理方法包含以下步驟：藉由與來自製冷系統的製冷劑進行熱交換來冷凝在該冷凝器中的該純化的二氧化碳氣體以形成純化的二氧化碳液體。該純化的二氧化碳液體被加熱至高於臨界點的目標溫度以使得該純化的二氧化碳液體變為超臨界二氧化碳流體。該處理方法包含以下步驟：使用該超臨界二氧化碳流體以清潔被設置在處理腔室中的基板。
简体摘要：提供了一种用于处理基板的方法和设备。二氧化碳液体的进料流在压力下自进料供应器被供应至纯化容器。在该纯化容器中的该二氧化碳液体在单级蒸馏制程中被蒸馏以形成纯化的二氧化碳气体。该处理方法包含以下步骤：借由与来自制冷系统的制冷剂进行热交换来冷凝在该冷凝器中的该纯化的二氧化碳气体以形成纯化的二氧化碳液体。该纯化的二氧化碳液体被加热至高于临界点的目标温度以使得该纯化的二氧化碳液体变为超临界二氧化碳流体。该处理方法包含以下步骤：使用该超临界二氧化碳流体以清洁被设置在处理腔室中的基板。

6. 发明专利

TW202030837A 藉由微壓印形成貫孔的方法审中-公开
简体标题：借由微压印形成贯孔的方法
公开(公告)号：TW202030837A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108140043
申请日：2019-11-05
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 朴起伯 , PARK, GIBACK , 曹圭一 , CHO, KYUIL , 陳翰文 , CHEN, HAN-WEN , 布奇秦坦 , BUCH, CHINTAN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 狄卡普里歐文森 , DICAPRIO, VINCENT
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/302 , H01L23/522
摘要：根據一個實施例，揭露用於先進封裝應用在面板中形成複數個貫孔之方法及設備。重新分配層沉積於基板層上。重新分配層可使用旋轉塗佈處理、噴灑塗佈處理、液滴塗佈處理或層壓而沉積。接著使用腔室內部的印模微壓印重新分配層。接著在腔室內部烘烤重新分配層及印模。從重新分配層移除印模，以在重新分配層中形成複數個貫孔。可使用除污處理移除重新分配層上堆積的過量殘留物。佈置於複數個貫孔之各者的底部及基板層的頂部之間的殘留物厚度層可具有小於約1µm的厚度。
简体摘要：根据一个实施例，揭露用于雪铁龙封装应用在皮肤中形成复数个贯孔之方法及设备。重新分配层沉积于基板层上。重新分配层可使用旋转涂布处理、喷洒涂布处理、液滴涂布处理或层压而沉积。接着使用腔室内部的印模微压印重新分配层。接着在腔室内部烘烤重新分配层及印模。从重新分配层移除印模，以在重新分配层中形成复数个贯孔。可使用除污处理移除重新分配层上堆积的过量残留物。布置于复数个贯孔之各者的底部及基板层的顶部之间的残留物厚度层可具有小于约1µm的厚度。

7. 发明专利

TWI699854B 基板支撐及擋板設備有权
简体标题：基板支撑及挡板设备
公开(公告)号：TWI699854B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW108125950
申请日：2016-09-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 陳翰文 , CHEN, HAN-WEN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 德爾馬斯琴 , DELMAS, JEAN
IPC分类号： H01L21/683

8. 发明专利

TWI695744B 用於高縱橫比特徵之烘乾處理有权
简体标题：用于高纵横比特征之烘干处理
公开(公告)号：TWI695744B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW105131243
申请日：2016-09-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 陳翰文 , CHEN, HAN-WEN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 德爾馬斯琴 , DELMAS, JEAN
IPC分类号： B08B7/00 , F26B21/14 , F26B5/04 , H01L21/67

9. 发明专利

TWI688437B 使用小熱質量的加壓腔室的基板處理設備及方法有权
简体标题：使用小热质量的加压腔室的基板处理设备及方法
公开(公告)号：TWI688437B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW105130171
申请日：2016-09-19
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 陳翰文 , CHEN, HAN-WEN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 德爾馬斯琴 , DELMAS, JEAN
IPC分类号： B08B3/10

10. 发明专利

TWI677041B 減低容積的處理腔室有权
简体标题：减低容积的处理腔室
公开(公告)号：TWI677041B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105131159
申请日：2016-09-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：寇克羅門 , GOUK, ROMAN , 陳翰文 , CHEN, HAN-WEN , 維哈佛貝可史帝文 , VERHAVERBEKE, STEVEN , 德爾馬斯琴 , DELMAS, JEAN
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683

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