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1. 发明专利

TWI469357B 薄膜電晶體基板及顯示裝置有权
简体标题：薄膜晶体管基板及显示设备
公开(公告)号：TWI469357B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW100103652
申请日：2011-01-31
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：森田晉也 , MORITA, SHINYA , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 三木綾 , MIKI, AYA , 富久勝文 , TOMIHISA, KATSUFUMI , 寺尾泰昭 , TERAO, YASUAKI
IPC分类号： H01L29/786 , C22C9/00 , G02F1/1333

2. 发明专利

TWI453292B 薄膜電晶體之半導體層用氧化物及濺鍍標靶、以及薄膜電晶體有权
简体标题：薄膜晶体管之半导体层用氧化物及溅镀标靶、以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI453292B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW100112194
申请日：2011-04-07
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：森田晉也 , MORITA, SHINYA , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO , 前田剛彰 , MAEDA, TAKEAKI , 安野聰 , YASUNO, SATOSHI , 寺尾泰昭 , TERAO, YASUAKI , 三木綾 , MIKI, AYA
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631

3. 发明专利

TWI442576B 薄膜電晶體之半導體層用氧化物及濺鍍靶、以及薄膜電晶體有权
简体标题：薄膜晶体管之半导体层用氧化物及溅镀靶、以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI442576B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW100113716
申请日：2011-04-20
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) , 三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：三木綾 , MIKI, AYA , 岩成裕美 , IWANARI, YUMI , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO , 森田晉也 , MORITA, SHINYA , 寺尾泰昭 , TERAO, YASUAKI , 安野聰 , YASUNO, SATOSHI , 朴在佑 , PARK, JAE WOO , 李制勳 , LEE, JE HUN , 安秉斗 , HAN, BYUNG DU
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693

5. 发明专利

TWI449127B 配線構造，顯示裝置及半導體裝置有权
简体标题：配线构造，显示设备及半导体设备
公开(公告)号：TWI449127B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW100111651
申请日：2011-04-01
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：寺尾泰昭 , TERAO, YASUAKI , 森田晉也 , MORITA, SHINYA , 三木綾 , MIKI, AYA , 富久勝文 , TOMIHISA, KATSUFUMI , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/3211 , H01L21/76867 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4958 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201214623A 配線構造，顯示裝置及半導體裝置审中-公开
简体标题：配线构造，显示设备及半导体设备
公开(公告)号：TW201214623A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100111651
申请日：2011-04-01
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：寺尾泰昭 , 森田晉也 , 三木綾 , 富久勝文 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/3211 , H01L21/76867 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4958 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：提供一種即使省略通常設在銅系合金配線膜與半導體層之間的障壁金屬層也得以發揮優越之低接觸電阻，甚至密著性優的配線構造。本發明是有關一種配線構造，於基板上，由基板側依序具備半導體層，與銅合金層之配線構造，於前述半導體層與前述銅合金層之間，包含有由基板側依序為含有氮、碳、氟以及氧所構成的群所選出之至少一種元素之(N、C、F、O)層，及包含銅及矽之銅-矽擴散層之層積構造，構成前述(N、C、F、O)層的氮、碳、氟以及氧的任一元素是與前述半導體層的Si結合，前述銅合金層是包含Cu-X合金層(第一層)和第二層的層積構造之配線構造。
简体摘要：提供一种即使省略通常设在铜系合金配线膜与半导体层之间的障壁金属层也得以发挥优越之低接触电阻，甚至密着性优的配线构造。本发明是有关一种配线构造，于基板上，由基板侧依序具备半导体层，与铜合金层之配线构造，于前述半导体层与前述铜合金层之间，包含有由基板侧依序为含有氮、碳、氟以及氧所构成的群所选出之至少一种元素之(N、C、F、O)层，及包含铜及硅之铜-硅扩散层之层积构造，构成前述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟以及氧的任一元素是与前述半导体层的Si结合，前述铜合金层是包含Cu-X合金层(第一层)和第二层的层积构造之配线构造。

7. 发明专利

TW201131785A 薄膜電晶體基板及顯示裝置审中-公开
简体标题：薄膜晶体管基板及显示设备
公开(公告)号：TW201131785A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW100103652
申请日：2011-01-31
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：森田晉也 , 後藤裕史 , 三木綾 , 富久勝文 , 寺尾泰昭
IPC分类号： H01L , C22C , G02F
摘要： [課題]提供即使Cu系合金配線膜和半導體層直接接觸,其接觸電阻率低且黏著性優異的薄膜電晶體基板。[解決手段]一種薄膜電晶體基板,是具有薄膜電晶體的半導體層和Cu合金層,其特徵在於,在前述半導體層和前述Cu合金層之間,包含有含氧層;構成前述含氧層的氧的一部分或全部,是與前述薄膜電晶體的前述半導體層的Si結合;前述Cu合金層,乃是作為其合金元素,含有合計為2原子%以上20原子%以下的X(X是從Mn、Ni、Zn和Mg所成的群中選出至少其中一種),前述Cu合金層,是介隔著前述含氧層與前述薄膜電晶體的前述半導體層相連接。
简体摘要： [课题]提供即使Cu系合金配线膜和半导体层直接接触,其接触电阻率低且黏着性优异的薄膜晶体管基板。[解决手段]一种薄膜晶体管基板,是具有薄膜晶体管的半导体层和Cu合金层,其特征在于,在前述半导体层和前述Cu合金层之间,包含有含氧层;构成前述含氧层的氧的一部分或全部,是与前述薄膜晶体管的前述半导体层的Si结合;前述Cu合金层,乃是作为其合金元素,含有合计为2原子%以上20原子%以下的X(X是从Mn、Ni、Zn和Mg所成的群中选出至少其中一种),前述Cu合金层,是介隔着前述含氧层与前述薄膜晶体管的前述半导体层相连接。

8. 发明专利

TW201205818A 薄膜電晶體之半導體層用氧化物及濺鍍靶、以及薄膜電晶體审中-公开
简体标题：薄膜晶体管之半导体层用氧化物及溅镀靶、以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201205818A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100113716
申请日：2011-04-20
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：三木綾 , 岩成裕美 , 釘宮敏洋 , 森田晉也 , 寺尾泰昭 , 安野聰
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要：係提供一種薄膜電晶體的開關特性佳,即使在ZnO濃度特高之區域,且即使在形成保護膜後以及施加應力後,亦可穩定地得到良好特性之薄膜電晶體半導體層用氧化物。本發明之薄膜電晶體之半導體層用氧化物,為使用在薄膜電晶體的半導體層之氧化物,前述氧化物係含有Zn及Sn,且進一步含有選自由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga、及稀土類元素所組成之X群的至少一種元素。
简体摘要：系提供一种薄膜晶体管的开关特性佳,即使在ZnO浓度特高之区域,且即使在形成保护膜后以及施加应力后,亦可稳定地得到良好特性之薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明之薄膜晶体管之半导体层用氧化物,为使用在薄膜晶体管的半导体层之氧化物,前述氧化物系含有Zn及Sn,且进一步含有选自由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga、及稀土类元素所组成之X群的至少一种元素。

9. 发明专利

TW201219201A 顯示裝置用Ｃｕ合金膜及顯示裝置审中-公开
简体标题：显示设备用Ｃｕ合金膜及显示设备
公开(公告)号：TW201219201A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100125792
申请日：2011-07-21
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：三木綾 , 釘宮敏洋 , 寺尾泰昭
IPC分类号： B32B , H01L , H05K , G02F
CPC分类号： G09F9/30 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/08 , C23C14/185 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/345 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3279 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78669 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , Y10T428/12535 , Y10T428/12611 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種顯示裝置用Cu合金膜及顯示裝置，其中，提供具備與氧含有絕緣體層之高密著性，及具有低電性阻抗率之Cu合金膜的顯示裝置。本發明係有關具有含有將選自Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn所成的群之至少一種元素，以合計含有1.2~20原子%之Cu合金而成之第一層(Y)，和純Cu、或將Cu做為主成分之Cu合金，由較前述第一層(Y)電性阻抗率低之Cu合金所成之第二層(X)的層積構造，前述第一層(Y)之一部分或全部係與氧含有絕緣體層直接接觸，且，第一層(Y)為含有Zn或Ni之情況，第一層(Y)的膜厚為10nm以上100nm以下，第一層(Y)為未含有Zn或Ni之情況，第一層(Y)的膜厚為5nm以上100nm以下之顯示裝置用Cu合金膜，以及具有該Cu合金膜之顯示裝置。
简体摘要：本发明系一种显示设备用Cu合金膜及显示设备，其中，提供具备与氧含有绝缘体层之高密着性，及具有低电性阻抗率之Cu合金膜的显示设备。本发明系有关具有含有将选自Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb及Mn所成的群之至少一种元素，以合计含有1.2~20原子%之Cu合金而成之第一层(Y)，和纯Cu、或将Cu做为主成分之Cu合金，由较前述第一层(Y)电性阻抗率低之Cu合金所成之第二层(X)的层积构造，前述第一层(Y)之一部分或全部系与氧含有绝缘体层直接接触，且，第一层(Y)为含有Zn或Ni之情况，第一层(Y)的膜厚为10nm以上100nm以下，第一层(Y)为未含有Zn或Ni之情况，第一层(Y)的膜厚为5nm以上100nm以下之显示设备用Cu合金膜，以及具有该Cu合金膜之显示设备。

10. 发明专利

TW201202452A 薄膜電晶體之半導體層用氧化物及濺鍍標靶、以及薄膜電晶體审中-公开
简体标题：薄膜晶体管之半导体层用氧化物及溅镀标靶、以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201202452A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100112194
申请日：2011-04-07
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：森田晉也 , 釘宮敏洋 , 前田剛彰 , 安野聰 , 寺尾泰昭 , 三木綾
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要：本發明目的在於提供薄膜電晶體之半導體層用氧化物，其使用氧化物半導體作為薄膜電晶體之半導體層時，具有良好的薄膜電晶體之開/關特性及應力耐性。本發明之薄膜電晶體之半導體層用氧化物，係使用於薄膜電晶體之半導體層的氧化物，上述氧化物包含：由In、Ga、及Zn構成之群選出之其中至少一種元素；及由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta、及W構成之X群選出之其中至少一種元素。
简体摘要：本发明目的在于提供薄膜晶体管之半导体层用氧化物，其使用氧化物半导体作为薄膜晶体管之半导体层时，具有良好的薄膜晶体管之开/关特性及应力耐性。本发明之薄膜晶体管之半导体层用氧化物，系使用于薄膜晶体管之半导体层的氧化物，上述氧化物包含：由In、Ga、及Zn构成之群选出之其中至少一种元素；及由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta、及W构成之X群选出之其中至少一种元素。

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