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1. 发明专利

TWI442576B 薄膜電晶體之半導體層用氧化物及濺鍍靶、以及薄膜電晶體有权
简体标题：薄膜晶体管之半导体层用氧化物及溅镀靶、以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI442576B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW100113716
申请日：2011-04-20
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) , 三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：三木綾 , MIKI, AYA , 岩成裕美 , IWANARI, YUMI , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO , 森田晉也 , MORITA, SHINYA , 寺尾泰昭 , TERAO, YASUAKI , 安野聰 , YASUNO, SATOSHI , 朴在佑 , PARK, JAE WOO , 李制勳 , LEE, JE HUN , 安秉斗 , HAN, BYUNG DU
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693

2. 发明专利

TW201420794A 有機電激發元件之陽極電極用Ａｌ合金膜，有機電激發元件及Ａｌ合金濺鍍靶材审中-公开
简体标题：有机电激发组件之阳极电极用Ａｌ合金膜，有机电激发组件及Ａｌ合金溅镀靶材
公开(公告)号：TW201420794A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102131292
申请日：2013-08-30
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：志田陽子 , SHIDA, YOKO , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 岩成裕美 , IWANARI, YUMI
IPC分类号： C23C14/34 , C22C21/00 , H05B33/26 , H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5218 , H05B33/26
摘要：一種有機電激發光元件之陽極電極用Al合金膜，其特徵為：含有從Si、Ge、Bi、In、Sn及Zn所成之群組中選擇之1種以上元素，同時含有0.2原子%以上5.0原子%以下之稀土類元素及/或高熔點金屬，且功函數為4.5eV以上。
简体摘要：一种有机电激发光组件之阳极电极用Al合金膜，其特征为：含有从Si、Ge、Bi、In、Sn及Zn所成之群组中选择之1种以上元素，同时含有0.2原子%以上5.0原子%以下之稀土类元素及/或高熔点金属，且功函数为4.5eV以上。

3. 发明专利

TWI582851B 電極結構與半導體裝置有权
简体标题：电极结构与半导体设备
公开(公告)号：TWI582851B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104141414
申请日：2015-12-10
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 岩成裕美 , IWANARI, YUMI
IPC分类号： H01L21/3205 , C22C27/04 , C22C5/06 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L24/05 , C22C5/06 , C22C27/04 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/4847 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI437697B 配線構造及具備配線構造之顯示裝置有权
简体标题：配线构造及具备配线构造之显示设备
公开(公告)号：TWI437697B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW099124721
申请日：2010-07-27
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：前田剛彰 , MAEDA, TAKEAKI , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 岩成裕美 , IWANARI, YUMI , 平野貴之 , HIRANO, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/136 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201633405A 電極結構與半導體裝置审中-公开
简体标题：电极结构与半导体设备
公开(公告)号：TW201633405A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104141414
申请日：2015-12-10
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 岩成裕美 , IWANARI, YUMI
IPC分类号： H01L21/3205 , C22C27/04 , C22C5/06 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L24/05 , C22C5/06 , C22C27/04 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/4847 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種電極結構，所述電極結構於半導體基板上依序形成電極層、障壁層、第1金屬層及第2金屬層，且包括接合於第2金屬層的線電極，第1金屬層為含有特定量的釹及特定量的鉍的至少一種的銀合金，第2金屬層為銅或銅合金，線電極為銅或銅合金。
简体摘要：本发明提供一种电极结构，所述电极结构于半导体基板上依序形成电极层、障壁层、第1金属层及第2金属层，且包括接合于第2金属层的线电极，第1金属层为含有特定量的钕及特定量的铋的至少一种的银合金，第2金属层为铜或铜合金，线电极为铜或铜合金。

6. 发明专利

TW201417373A 有機ＥＬ（電致發光）元件，有機ＥＬ元件之反射電極之製造方法及有機ＥＬ元件之反射電極形成用鋁合金濺鍍靶审中-公开
简体标题：有机ＥＬ（电致发光）组件，有机ＥＬ组件之反射电极之制造方法及有机ＥＬ组件之反射电极形成用铝合金溅镀靶
公开(公告)号：TW201417373A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102132196
申请日：2013-09-06
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：岩成裕美 , IWANARI, YUMI , 志田陽子 , SHIDA, YOKO , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI
IPC分类号： H01L51/54 , H01L51/56 , H01L51/52 , C23C16/06
CPC分类号： C23C14/14 , C23C14/3414 , H01L51/5218 , H05B33/26
摘要：依序包含基板、反射電極與有機層之層積構造之有機EL(電致發光)元件。前述反射電極，係從前述基板側依序以由純鋁或鋁合金構成之第1薄膜、與由含氮鋁或含氮鋁合金構成之第2薄膜之鋁層積膜所構成，並且，前述第2薄膜係與前述有機層直接接續著。
简体摘要：依序包含基板、反射电极与有机层之层积构造之有机EL(电致发光)组件。前述反射电极，系从前述基板侧依序以由纯铝或铝合金构成之第1薄膜、与由含氮铝或含氮铝合金构成之第2薄膜之铝层积膜所构成，并且，前述第2薄膜系与前述有机层直接接续着。

7. 发明专利

TW201205818A 薄膜電晶體之半導體層用氧化物及濺鍍靶、以及薄膜電晶體审中-公开
简体标题：薄膜晶体管之半导体层用氧化物及溅镀靶、以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201205818A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100113716
申请日：2011-04-20
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：三木綾 , 岩成裕美 , 釘宮敏洋 , 森田晉也 , 寺尾泰昭 , 安野聰
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要：係提供一種薄膜電晶體的開關特性佳,即使在ZnO濃度特高之區域,且即使在形成保護膜後以及施加應力後,亦可穩定地得到良好特性之薄膜電晶體半導體層用氧化物。本發明之薄膜電晶體之半導體層用氧化物,為使用在薄膜電晶體的半導體層之氧化物,前述氧化物係含有Zn及Sn,且進一步含有選自由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga、及稀土類元素所組成之X群的至少一種元素。
简体摘要：系提供一种薄膜晶体管的开关特性佳,即使在ZnO浓度特高之区域,且即使在形成保护膜后以及施加应力后,亦可稳定地得到良好特性之薄膜晶体管半导体层用氧化物。本发明之薄膜晶体管之半导体层用氧化物,为使用在薄膜晶体管的半导体层之氧化物,前述氧化物系含有Zn及Sn,且进一步含有选自由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga、及稀土类元素所组成之X群的至少一种元素。

8. 发明专利

TW201132230A 有機電激發光顯示器用之反射陽極電極审中-公开
简体标题：有机电激发光显示器用之反射阳极电极
公开(公告)号：TW201132230A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099139375
申请日：2010-11-16
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：岩成裕美 , 釘宮敏洋 , 平野貴之 , 前田剛彰
IPC分类号： H05B , H01L , C22C
CPC分类号： H01L51/5218 , C22C21/00 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01L51/5271 , H05B33/26 , H05B33/28
摘要：一種有機電激發光顯示器用之反射陽極電極,提供即使將Al反射膜與ITO或IZO等之氧化物導電膜直接接觸,亦可確保低接觸阻抗與高反射率,並且,做成與氧化物導電膜之層積構造時,上層氧化物導電膜表面之工作函數則與泛用之Ag基合金膜與氧化物導電膜之層積構造之工作函數相同高程度,具備新的Al基合金反射膜之有機電激發光顯示器用之反射陽極電極。一種形成於基板上之有機電激發光顯示器用之反射陽極電極,其中,前述反射陽極電極係包含含有0.1~6原子% Ag之Al基合金膜,和直接接觸於前述Al基合金膜上方之氧化物導電膜之層積構造之構成。
简体摘要：一种有机电激发光显示器用之反射阳极电极,提供即使将Al反射膜与ITO或IZO等之氧化物导电膜直接接触,亦可确保低接触阻抗与高反射率,并且,做成与氧化物导电膜之层积构造时,上层氧化物导电膜表面之工作函数则与泛用之Ag基合金膜与氧化物导电膜之层积构造之工作函数相同高程度,具备新的Al基合金反射膜之有机电激发光显示器用之反射阳极电极。一种形成于基板上之有机电激发光显示器用之反射阳极电极,其中,前述反射阳极电极系包含含有0.1~6原子% Ag之Al基合金膜,和直接接触于前述Al基合金膜上方之氧化物导电膜之层积构造之构成。

9. 发明专利

TW201543555A 平板顯示器用配線膜审中-公开
简体标题：平板显示器用配线膜
公开(公告)号：TW201543555A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104104055
申请日：2015-02-06
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 岩成裕美 , IWANARI, YUMI
IPC分类号： H01L21/28 , C22C21/00 , H01L21/285 , H05K1/09 , H01L27/12
CPC分类号： H05K1/0207 , C22C21/00 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/03 , H01L2924/00
摘要：本發明之平板顯示器用配線膜，係由第一層與第二層積層而成的積層構造構成，該第一層含有由Mo、Ti、Cr、W、及Ta構成之群所選出的至少一種以上之高融點金屬；該第二層由包含0.01原子%以上、小於0.2原子%之範圍的稀土元素、Ni、及Co之中至少一種以上的Al合金構成。該配線膜即使接受400℃以上500℃以下之高溫之熱履歷，亦可以抑制配線電阻之上升，不會產生小丘等，耐熱性良好。
简体摘要：本发明之平板显示器用配线膜，系由第一层与第二层积层而成的积层构造构成，该第一层含有由Mo、Ti、Cr、W、及Ta构成之群所选出的至少一种以上之高融点金属；该第二层由包含0.01原子%以上、小于0.2原子%之范围的稀土元素、Ni、及Co之中至少一种以上的Al合金构成。该配线膜即使接受400℃以上500℃以下之高温之热履历，亦可以抑制配线电阻之上升，不会产生小丘等，耐热性良好。

10. 发明专利

TW201426831A 用於顯示裝置或輸入裝置之電極、及電極形成用濺鍍靶材审中-公开
简体标题：用于显示设备或输入设备之电极、及电极形成用溅镀靶材
公开(公告)号：TW201426831A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102142461
申请日：2013-11-21
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. , 神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：奧野博行 , OKUNO, HIROYUKI , 中井淳一 , NAKAI, JUNICHI , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 田內裕基 , TAUCHI, YUKI , 志田陽子 , SHIDA, YOKO , 岩成裕美 , IWANARI, YUMI
IPC分类号： H01L21/28 , C23C14/34
CPC分类号： C22C5/06 , C22C21/00 , C23C14/0036 , C23C14/185 , C23C14/34 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L51/5218 , H01L2251/5315 , H01L2251/558 , H01L2924/0002 , H05B33/10 , H05B33/26 , H01L2924/00
摘要：本發明之用於顯示裝置或輸入裝置之電極具有一積層膜，包含形成於基板側之含有Al合金之第1層、及形成於其上方之含有Ag合金的第2層。電極的膜厚為100~800nm、第2層的膜厚為60~480nm、第2層占電極的膜厚的膜厚比率為10~70%、第1層占電極的膜厚的膜厚比率為30%以上。Al合金含有既定量之既定的合金元素。
简体摘要：本发明之用于显示设备或输入设备之电极具有一积层膜，包含形成于基板侧之含有Al合金之第1层、及形成于其上方之含有Ag合金的第2层。电极的膜厚为100~800nm、第2层的膜厚为60~480nm、第2层占电极的膜厚的膜厚比率为10~70%、第1层占电极的膜厚的膜厚比率为30%以上。Al合金含有既定量之既定的合金元素。

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