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1. 发明申请

WO2007086400A1 試料表面検査方法及び検査装置审中-公开
标题翻译：检测样品表面的方法和装置
公开(公告)号：WO2007086400A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/051047
申请日：2007-01-24
申请人：株式会社荏原製作所 , 野路伸治 , 内藤儀彦 , 曽布川拓司 , 寺尾健二 , 畠山雅規 , 奥村勝弥
发明人：野路伸治 , 内藤儀彦 , 曽布川拓司 , 寺尾健二 , 畠山雅規 , 奥村勝弥
IPC分类号： H01J37/29 , G01N23/225 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/21 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/265 , G01R31/307 , H01J37/04 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446 , H01J2237/2594 , H01J2237/2817
摘要：　精度の良い試料表面検査を行える方法及び装置を提供する。　電子線式試料表面検査装置を用いて試料表面を検査する方法であって、前記試料表面検査装置の電子銃から発生した電子ビームを前記試料表面に照射し、前記試料表面から発生した二次電子を検出器の電子検出面に向けて結像させ前記試料表面を検査する方法において、前記検出器の検出面における前記二次電子の結像条件を、前記試料表面の電位が前記試料表面に照射された電子ビームの量に応じて変化さるように制御することに特徴を有する
摘要翻译：提供了一种用于执行高精度样品表面检查的方法和装置。该方法用于通过使用电子束型样品表面检查装置来检查样品表面。在该方法中，用从样品表面检查装置的电子枪产生的电子束照射样品表面，从样品表面产生的二次电子聚焦在检测器的电子检测表面上，并检查样品表面。该方法的特征在于，根据施加在样品表面上的电子束的量，将二次电子在检测器的检测表面上的聚焦条件控制为使样品表面上的电位发生变化。

2. 发明申请

WO2007086398A1 試料表面検査装置及び検査方法审中-公开
标题翻译：检测样品表面的装置和方法
公开(公告)号：WO2007086398A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/051045
申请日：2007-01-24
申请人：株式会社荏原製作所 , 株式会社東芝 , 野路伸治 , 内藤儀彦 , 曽布川拓司 , 畠山雅規 , 寺尾健二 , 村上武司 , 奥村勝弥 , 東木達彦
发明人：野路伸治 , 内藤儀彦 , 曽布川拓司 , 畠山雅規 , 寺尾健二 , 村上武司 , 奥村勝弥 , 東木達彦
IPC分类号： H01J37/29 , G01N23/225 , H01J37/147 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/29 , H01J37/045 , H01J2237/2446
摘要： Provided are an apparatus for inspecting defects un semiconductor device manufacturing process with high precision which has not been conventionally achieved and a method for inspecting or evaluating the semiconductor devices. In the method for inspecting a sample surface by means of a mapping electron beam inspecting apparatus (1), the size of an area on the sample surface to be irradiated with an electron beam generated from an electron gun (21) is formed to be larger than a pattern size on the sample surface in substantially circular or ellipse. The electron beam is applied at substantially the center of the pattern on the sample surface, secondary electrons generated from the sample surface by electron beam irradiation are focused on the electron dectecting surface of a detector (41) and the sample surface is inspected.
摘要翻译：提供了一种用于高精度检测半导体器件制造过程的缺陷的装置，以及用于检查或评估半导体器件的方法。在通过映射电子束检查装置（1）检查样品表面的方法中，形成用从电子枪（21）产生的电子束照射的样品表面上的区域的尺寸较大大于圆形或椭圆形的样品表面上的图案尺寸。电子束在样品表面的图案的大致中心处被施加，通过电子束照射从样品表面产生的二次电子聚焦在检测器（41）的电子检测表面上，并检查样品表面。

3. 发明申请

WO2005069345A1 電子ビーム装置审中-公开
标题翻译：电子束装置
公开(公告)号：WO2005069345A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2004/017463
申请日：2004-11-25
申请人：株式会社荏原製作所 , 渡辺賢治 , 佐竹徹 , 中筋護 , 村上武司 , 狩俣努 , 野路伸治 , 遠山敬一 , 畠山雅規
发明人：渡辺賢治 , 佐竹徹 , 中筋護 , 村上武司 , 狩俣努 , 野路伸治 , 遠山敬一 , 畠山雅規
IPC分类号： H01J37/29
CPC分类号： H01J37/261 , H01J37/28 , H01J2237/06341 , H01J2237/2446 , H01J2237/24592 , H01J2237/2538
摘要： An electron device capable of evaluating a sample at high throughput and high S/N. An electron beam emitted from an electron gun is irradiated, through an electrostatic lens (4-1), an objective lens (11-1), etc., in a diagonal direction on a sample (W) placed on an X-Y-theta stage (9-1), and secondary electrons or reflected electrons are discharged from the sample (W). The incident angle of the primary electron beam is set to about not less than 35º and less than 90º by controlling a polarizer (8-1). The electrons discharged from the sample (W) are guided in the vertical direction to form an image on a detector.
摘要翻译：能够以高通量和高S / N评估样品的电子器件。从电子枪发射的电子束通过静电透镜（4-1），物镜（11-1）等在对角方向上照射在放置在XY-θ台上的样品（W）上（9-1），二次电子或反射电子从样品（W）排出。通过控制偏振器（8-1）将一次电子束的入射角设定为不小于35度且小于90度。从样品（W）排出的电子在垂直方向上被引导以在检测器上形成图像。

4. 发明申请

WO2007020866A1 検出装置及び検査装置审中-公开
标题翻译：检测装置和检测装置
公开(公告)号：WO2007020866A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/JP2006/315812
申请日：2006-08-10
申请人：株式会社荏原製作所 , 畠山雅規 , 吉川省二 , 末松健一 , 狩俣努 , 野路伸治
发明人：畠山雅規 , 吉川省二 , 末松健一 , 狩俣努 , 野路伸治
IPC分类号： H01J37/244 , G01R31/302 , H01J37/29 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/261 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
摘要： An inspection device for reducing time loss incident to a detection device replacing operation, comprising a plurality of detection devices (11, 12) for receiving an electron beam emitted from a sample (W) to obtain image data representing the sample (W), a switching mechanism (M) for having one of the plurality of detection devices (11, 12) receive an electron beam, characterized in that the plurality of detection devices (11, 12) are disposed in the same container (MC). The plurality of detection devices (11, 12) each can be a combination of a detection device provided with an electronic sensor for converting an electron beam into an electric signal and another detection device provided with an optical sensor for converting an electron beam into light and then converting the light into an electric signal. The switching mechanism (M) may be a mechanical moving mechanism or an electron beam deflector.
摘要翻译：一种用于减少入射到检测装置更换操作的时间损失的检查装置，包括用于接收从样品（W）发射的电子束以获得表示样品（W）的图像数据的多个检测装置（11,12），用于使所述多个检测装置（11,12）中的一个检测装置（11,12）接收电子束的切换机构（M），其特征在于，所述多个检测装置（11,12）设置在同一容器（MC）中。多个检测装置（11,12）各自可以是设置有用于将电子束转换成电信号的电子传感器的检测装置和设置有用于将电子束转换成光的光学传感器的检测装置的组合，然后将光转换成电信号。切换机构（M）可以是机械移动机构或电子束偏转器。

5. 发明专利

JP6842505B2 研磨装置、及び研磨方法有权
公开(公告)号：JP6842505B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2019116181
申请日：2019-06-24
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：篠崎弘行 , 鈴木佑多 , 高橋太郎 , 勝岡誠司 , 畠山雅規
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/10 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24B37/013

6. 发明专利

JP6307222B2 検査装置有权
公开(公告)号：JP6307222B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2013089124
申请日：2013-04-22
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：塚本究 , 村上武司 , 畠山雅規 , 狩俣努
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/28 , H01J37/16 , H01L21/66 , H01J37/29

7. 发明专利

JP2017135046A 検査装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017135046A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2016015332
申请日：2016-01-29
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：小濱達也 , 狩俣努 , 畠山雅規
IPC分类号： H01J37/09 , H01J37/16 , H01L21/66 , H01J37/147
摘要：【課題】小型な検査装置を提供する。【解決手段】ステージに載置された試料SMに電子ビームを照射して試料SMからの電子ビームを検出することにより、試料SMを観察する検査装置であって、電子ビームを照射する電子銃30Aと、アライメント電極を有し、アライメント電極に電圧を印加することで電子ビームのアライメントを行う偏向器10A,12Aと、電子ビームが通過可能な開口13Aaと、通過できない遮蔽部13Abとを含むアパーチャ部材13Aと、を有し、アライメント電極に印加される電圧に応じて、電子ビームに開口13Aaを通過させて試料SMに導くか、電子ビームを遮蔽部13Abで遮蔽して前記試料SMに導かないかを切替可能である、検査装置。【選択図】図3

8. 发明专利

JP2016157695A 電子線装置审中-公开
标题翻译：电子束设备
公开(公告)号：JP2016157695A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2016055532
申请日：2016-03-18
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：野路伸治 , 佐竹徹 , 曽布川拓司 , 金馬利文 , 畠山雅規 , 吉川省二 , 村上武司 , 渡辺賢治 , 狩俣努 , 末松健一 , 田部豊 , 田島涼 , 遠山敬一
IPC分类号： G01N23/225 , G01N23/203 , H01L21/66 , H01J37/244 , H01J37/29
摘要：【課題】写像投影式光学系において蛍光像をTDIセンサに伝達するリレー光学系の光信号伝達損失を低減できる電子線検査装置を提供する。【解決手段】試料表面の情報を得た電子を写像投影式光学系(二次系コラム29・1)でMCP29・2に拡大投影して結像させる。電子はMCPで増倍され、蛍光材で蛍光像に変換され、FOP29・3によってTDIセンサ29・4に伝達される。TDIセンサの像信号は接続ピン29.5、フィードスルーフランジ29・6を経由してTDIカメラ29・7に伝達される。写像投影光学系の静電レンズの電圧を調整して所望の拡大投影倍率を得て、TDIセンサの画素サイズに基づく試料表面上の画素サイズを定める。TDIセンサまでをコラムの真空中に設けたのでFOPを短縮できる。このため光信号の透過率を向上できて信号強度を高くなるので高速動作が可能になる。【選択図】図29
摘要翻译：要解决的问题：提供一种电子束检查装置，其能够减少在投影映射型光学系统中将荧光图像发送到TDI传感器的中继光学系统的光信号传输损耗。解决方案：获得关于样品的信息的电子表面通过投影映射型光学系统（第二列29-1）放大并投影在MCP 29-2上以形成图像。电子被MCP放大，通过荧光材料转换为荧光图像，并通过FOP 29-3传输到TDI传感器29-4。 TDI传感器的图像信号通过连接销29.5和场通过法兰29-6传输到TDI相机29-7。调整投影映射型光学系统的静电透镜的电压以获得期望的放大倍率，并且确定基于TDI传感器的像素尺寸的样品表面上的像素尺寸。由于即使在真空中提供TDI传感器，也可以减少FOP。因此，可以提高光信号的透射率，从而提高信号强度，从而可以执行高速操作。图29

9. 发明专利

JP2016143651A 検査装置及び検査方法审中-公开
标题翻译：检查装置和检查方法
公开(公告)号：JP2016143651A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015021318
申请日：2015-02-05
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：畠山雅規 , 内藤儀彦 , 渡辺賢治
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/20 , H01J37/22 , G01N23/227 , G01N23/225 , H01L21/66 , G01B15/08 , H01J37/29
摘要：【課題】検査対象の表面粗さを検査する新規な検査装置を提供する。【解決手段】検査システム100は、電子ビームを発生する電子源101と、電子源101から発生した電子ビームを試料Sに導く1次電子光学系102と、試料から発生するミラー電子を検出面で受けて検出する撮像装置104と、試料から発生したミラー電子を撮像装置104の撮像面に導く2次電子光学系105と、撮像装置104にて撮像されたミラー電子の分布の所定方向の半値幅に基づいて、校正情報を用いて試料の表面粗さを求める検査処理部107とを備えている。【選択図】図12
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于检查检查对象的表面粗糙度的新型检查装置。解决方案：检查系统100包括产生电子束的电子源101，用于引入从...产生的电子束的一次电子光学系统102 电子源101到样本S，用于接收由检测表面产生的样品的镜像并检测镜电子的成像装置104，用于将从样品产生的镜电子引入成像表面的二次电子光学系统105 以及检测处理单元107，用于基于由成像装置104捕获的镜电子的分布的预定方向上的半值宽度，通过使用校准信息来确定样品的表面粗糙度。选择的图：图12

10. 发明专利

JP5897841B2 異物付着防止機能を備えた電子線検査装置及び方法有权
标题翻译：电子束检查装置和方法，包括一异物附着防止功能
公开(公告)号：JP5897841B2
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：JP2011169040
申请日：2011-08-02
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：渡辺賢治 , 畠山雅規 , 内藤儀彦 , 小濱達也 , 寺尾健二 , 村上武司 , 林丈英 , 塚本究 , 曽布川拓司 , 木村憲雄
IPC分类号： H01L21/66 , H01J37/29 , H01J37/28 , H01J37/244 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/22 , H01J37/265 , H01J37/29 , H01J2237/004 , H01J2237/022 , H01J2237/24495 , H01J2237/24564 , H01J2237/2817

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