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1. 发明申请

WO2005016595A1 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス审中-公开
标题翻译：研磨装置，使用其的半导体装置的制造方法以及由该方法制造的半导体装置
公开(公告)号：WO2005016595A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP2004/011566
申请日：2004-08-05
申请人：株式会社ニコン , 星野進 , 山本栄一 , 浅田直樹
发明人：星野進 , 山本栄一 , 浅田直樹
IPC分类号： B24B37/00
CPC分类号： B24B49/16
摘要：研磨装置１は、研磨部材４０がドライブプレート１０を用いてヘッドハウジング３１に対し上下移動可能に配設されており、ドライブプレート１０の変形量を検出可能な歪みゲージ９２と、研磨ヘッド３０の上下移動を規制可能なロック機構９１と、ロック機構９１の作動を制御する制御部９０とを備え、研磨開始前において、研磨ヘッド３０が下方へ移動して研磨部材４０がウェハ２０に当接し、歪みゲージ９２に検出されるドライブプレート１０の変形量が零近傍になると、制御部９０がロック機構９１を作動させて研磨ヘッド３０の上下移動が規制されるように構成される。
摘要翻译：在研磨装置（1）中，通过使用驱动板（10）将磨削构件（40）上下移动地安装在头部壳体（31）上。研磨装置（1）具有能够检测驱动板（10）的变形量的应变计（92），能够限制研磨头（30）的上下运动的锁定机构（91）（90），用于控制锁定机构（91）的操作。在开始研磨之前，当研磨头（30）向下移动以使磨削构件（40）与晶片（20）接触并且由应变计（92）检测到的驱动板（10）的变形量）接近零时，控制部（90）启动锁定机构（91）以限制研磨头（30）的垂直移动。

2. 发明申请

WO2004059714A1 研磨装置及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光装置及其半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2004059714A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/JP2003/016421
申请日：2003-12-22
申请人：株式会社ニコン , 浅田直樹 , 星野進
发明人：浅田直樹 , 星野進
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/16
摘要：　摺動部材７は、フランジ部８にネジ止めされており、フランジ部８にはオリフィス状のプレート９と砥石ホルダ１０と砥石押さえがネジ止めされている。これとは別のネジにより、砥石ホルダ１０と砥石押さえ１１がネジ止めされ、これら砥石ホルダ１０と砥石押さえ１１の間にアルミナセラミックス製の砥石１２が挟み込まれている。ホルダ４とピンチャック５面が離れている状態では、砥石１２は最大限にホルダ４から突出した状態になっているが、チャック洗浄装置１を下降させ、砥石１２とピンチャック５面を接触させた状態では、砥石１２がピンチャック面に倣って引っ込み、ピンチャック５面にうねり（凹凸）があった場合でも、各砥石１２がその凹凸に倣って表面に接触するようになる。これにより、研磨対象物保持部表面から微小異物を効果的に除去することが可能となる。
摘要翻译：将滑动构件（7）拧到凸缘部分（8）上，并且将孔板（9），抛光石保持器（10）和抛光石压缩构件螺纹连接到凸缘部分（8）。抛光石保持架（10）和抛光石压缩构件（11）用与上述不同的螺丝拧紧在一起。氧化铝陶瓷抛光石（12）布置在抛光石保持架（10）和抛光石压板（11）之间。当保持器（4）和销卡盘（5）表面彼此分离时，抛光石（12）从保持器（4）最大地突出。当卡盘清洁装置（1）下降到抛光结石（12）和销卡盘（5）表面彼此接触的状态时，抛光石头（12）自动缩回到销卡盘表面。此外，即使销卡盘（5）表面具有起伏（凸起和凹陷），每个抛光石（12）与表面接触，适应于凹凸。这使得可以有效地从用于保持待抛光对象的部分的表面去除微小的异物。

3. 发明申请

WO2004077538A1 研磨装置、研磨方法及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光装置，抛光方法和半导体装置的制造方法
公开(公告)号：WO2004077538A1
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/JP2004/001920
申请日：2004-02-19
申请人：株式会社ニコン , 星野進 , 山本栄一 , 宇田豊
发明人：星野進 , 山本栄一 , 宇田豊
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/30
摘要：研磨工具３０の研磨部材４０と被研磨物との間に荷重を加えつつ、研磨工具３０とウエハとを相対移動させることにより、ウエハを研磨する。研磨工具３０はウエハの上側に配置される。研磨工具３０は、可撓性を有するドライブリング３３を介してテンションフランジ３１に固定され、上下方向に変位し得る。永久磁石５３，５４からなる付勢力付与部５０は、研磨部材４０を全体的に下方へ移動させようとする力（自重による重力とテンションフランジ３１の内部空間Ｓの空気圧）に抗して、研磨部材４０を全体的に上方へ移動させようとする付勢力（磁力）を与える。これにより、研磨部材の自重による荷重よりも低い荷重で被研磨物を研磨することができる。
摘要翻译：通过在抛光工具（30）的抛光构件（40）和抛光对象之间施加负载的同时相对移动抛光工具（30）和晶片来抛光晶片。抛光工具（30）设置在晶片上方。抛光工具（30）通过柔性驱动环（33）固定在张力凸缘（31）上，能够进行垂直位移。由永磁体（53,54）构成的施力部（50）产生抵抗力（由于自重加重而引起的重力）倾向于完全向上移动抛光部件（40）的推力（磁力）趋向于完全向下移动抛光构件（40）的张紧凸缘（31）的内部空间（S）中的空气压力。这使得可以由于抛光构件的自重而以比负载低的载荷来抛光抛光对象。

4. 发明申请

WO2003022523A1 ドレッシング工具、ドレッシング装置、ドレッシング方法、加工装置、及び半導体デバイス製造方法审中-公开
标题翻译：连接工具，连接装置，连接方法，加工装置和半导体装置的制造方法
公开(公告)号：WO2003022523A1
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/JP2002/009022
申请日：2002-09-05
申请人：株式会社ニコン , 星野進 , 山本栄一 , 三井貴彦
发明人：星野進 , 山本栄一 , 三井貴彦
IPC分类号： B24B53/12
CPC分类号： B24B53/017
摘要： A dressing device DA is comprised of a pad holding mechanism 10 for holding and rotating a grinding pad 15 having a doughnut disk-shaped pad surface 15a, a dressing tool 2 having a substantially rectangular dressing surface 3, and a dressing tool holding mechanism 1 for holding the dressing tool 2 with the dressing surface 3 opposed to the pad surface 15a of the grinding pad 15 held and rotated by the pad holding mechanism 10. The dressing tool holding mechanism 1 abuts dressing tool 2 held therein against the pad surface 15a to effect dressing with the widthwise centerline L1 of the dressing surface 3 directed to extend radially of the pad surface 15a. This makes it possible to improve the flatness of the processed surface after dressing.
摘要翻译：修整装置DA包括用于保持和旋转具有环形盘形垫表面15a的研磨垫15的垫保持机构10，具有大致矩形的修整面3的修整工具2和用于保持修整工具2与修整表面3相对，该修整表面3与通过垫保持机构10保持和旋转的研磨垫15的垫表面15a相对。修整工具保持机构1邻接固定在衬垫表面15a上的修整工具2以实现敷料表面3的宽度方向中心线L1指向垫片表面15a的径向延伸。这使得可以改善修整后的加工表面的平整度。

5. 发明申请

WO2006085423A1 ＣＭＰ研磨方法、ＣＭＰ研磨装置、ＳＴＩ構造を有する積層基板の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译： CMP方法，CMP装置，用于制造具有STI结构的层压板的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2006085423A1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：PCT/JP2005/024231
申请日：2005-12-27
申请人：株式会社ニコン , 星野進
发明人：星野進
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/04 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要：　（ａ）に示すように、Si基板１の上に熱酸化膜２が形成され、さらにその上にSiＮ層３が形成され、これらに形成されたトレンチを充填しさらにSiＮ層３を覆うようにSiＯ２層５が形成されたウエハを、ＣＭＰ研磨し、（ｂ）に示すようなＳＴＩ構造を有する積層基板を形成する。ＣＭＰ研磨の初期段階では、スラリーとしてセリアスラリーを使用し、研磨が進行して、SiＮ層３の表面が一部露出した段階で、スラリーをシリカスラリーに切り変えてＣＭＰ研磨を続行する。この結果、SiＯ２６のディッシングを小さく抑えることができる。
摘要翻译：在晶片中，在Si衬底（1）上形成热氧化膜（2），在其上形成SiN层（3），此外，SiO 2层（5）为形成为填充形成在膜上的沟槽并覆盖SiN层（3），如图（a）所示。通过CMP抛光晶片，形成具有如图（b）所示的STI结构的层压板。在CMP的初始阶段，使用二氧化铈浆料作为浆料，并且在进行研磨以部分地暴露SiN层（3）的表面的阶段，通过将浆料切换成二氧化硅浆料继续进行CMP。结果，SiO 2（6）的凹陷可以被抑制得很小。

6. 发明申请

WO2003078103A1 研磨装置及びこの研磨装置を用いた半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光设备及使用设备制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2003078103A1
公开(公告)日：2003-09-25
申请号：PCT/JP2003/003150
申请日：2003-03-17
申请人：株式会社ニコン , 星野進
发明人：星野進
IPC分类号： B24B37/00
CPC分类号： B24B37/30 , B24B57/02
摘要：研磨ヘッド３０の内部には研磨パッド３６が取り付けられた側とは反対の側に開口した中空の混合槽３２が設けられており、この混合槽３２内にスラリーを供給するスラリー供給機構５０と、スラリーに添加して用いる添加液を混合槽３２内に供給する添加液供給機構６０と、混合槽３２より研磨ヘッド３０内を延び、研磨パッド３６の回転中心位置近傍に開口した混合液供給管３４とを備える。スラリー供給機構５０により供給されるスラリーと添加液供給機構６０により供給される添加液は、混合槽３２内において混合された状態で混合液供給管３４より研磨パッド３６の外部に供給される。
摘要翻译：抛光设备包括：抛光头（30），其具有在其侧面上设置有抛光垫（36）的相对侧上的开口的中空混合槽（32），用于将浆料供入混合物的浆料供给机构储罐（32），用于将通过添加到混合罐（32）中的浆料而供给的添加剂液体的添加剂液体供给机构（60）和从混合罐（32）延伸到混合罐抛光头（30），并被打开到抛光垫（36）的旋转中心附近，其中由浆料供给机构（50）供给的浆料和由添加剂液体供给机构（60）供给的添加剂液体从混合液体供给管（34）在混合罐（32）中以混合状态移动到抛光垫（36）的外部。

7. 发明申请

WO2003028080A1 加工装置、加工方法、及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：处理装置，处理方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2003028080A1
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/JP2002/009391
申请日：2002-09-13
申请人：株式会社ニコン , 星野進
发明人：星野進
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/345 , B24B37/042 , H01L21/30625
摘要： A CMP device (1), a processing method, and a method of manufacturing a semiconductor device, the CMP device (1) comprising wafer chuck mechanisms (20) for loading and holding wafers (W), polishing pads (4) for polishing the processed surfaces of the wafers (W), and polishing heads (2) for holding the polishing pads (4), the polishing pads (4) further comprising rough polishing pads (4a) capable of partially processing the processed surfaces and medium and fine polishing pads (4b) and (4c) capable of uniformly processing the entire surfaces of the processed surfaces; the processing method comprising the step of moving the polishing pads (4) held by the polishing heads (2) in contact with the processed surfaces of the wafers (W) loaded and held on the wafer chuck mechanisms (20) to polish the processed surfaces by first uniforming the irregular swell of film thickness on the processed surfaces by the rough polishing pads (4a) and then uniformly processing the processed surfaces by the medium and fine polishing pads (4b) and (4c); whereby, even if the initial irregular swell of film thickness is present on the processed surfaces, the processed surfaces can be processed uniformly to a specified residual uniform film thickness.
摘要翻译：一种CMP器件（1），一种处理方法和一种半导体器件的制造方法，所述CMP器件（1）包括用于加载和保持晶片（W）的晶片夹持机构（20），用于抛光的抛光垫晶片（W）的处理表面和用于保持抛光垫（4）的抛光头（2），抛光垫（4）还包括能够部分加工处理表面的粗抛光垫（4a）和中等精细抛光能够均匀地加工被处理表面的整个表面的垫（4b）和（4c）该处理方法包括将由抛光头（2）保持的抛光垫（4）移动到与加载并保持在晶片卡盘机构（20）上的晶片（W）的处理表面接触的步骤，以抛光加工表面首先通过粗抛光垫（4a）使处理后的表面上的不规则的膜厚均匀化，然后通过介质和精细抛光垫（4b）和（4c）均匀地加工经处理的表面; 因此，即使在加工面上存在初始不均匀的膜厚膨胀，也可以将处理后的表面均匀地加工至规定的残留均匀膜厚。

8. 发明申请

WO2004075276A1 研磨装置、研磨方法及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光装置，抛光方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004075276A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001248
申请日：2004-02-06
申请人：株式会社ニコン , 星野進
发明人：星野進
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , H01L21/3212
摘要：　Taの表面に形成されたCuを研磨して除去する場合には、研磨ヘッド５を具備した研磨ヘッド４による研磨によりその除去を行う。Cuの除去工程が完了した後で、副研磨ヘッド７に内蔵している光学検出器で、Taの表面にCuが残っていないかどうかを確認し、残っている場合がある場合は、ウエハ２を回転させてCuが残っている部分を、研磨パッド５やウエハ２より小径の副研磨パッドを有する副研磨ヘッド７の揺動範囲に持ってくる。そして、副研磨ヘッド７を下降させて、副研磨パッド８をウエハ表面に押し付け、研磨材を供給しながら残っているCuを研磨して除去する。この作業をCuが残っている全ての部分について行う。そして、残っているCuが全て除去されたら、その段階で、副研磨ヘッド７を上昇させて真空チャック１の位置から待避させ、他の研磨パッドを使用してTaの研磨を行うようにする。
摘要翻译：通过抛光在Ta表面上除去已经通过装有抛光垫（5）的抛光头（4）进行去除。在Cu去除步骤完成之后，通过内置在二次抛光头（7）中的光学检测器检查是否残留在Ta表面上的Cu。当存在剩余Cu的部分时，晶片（2）旋转，使得剩余的Cu的一部分被带到具有直径小于抛光垫的二次抛光垫的二次抛光头（7）的振荡范围（ 5）和晶片（2）。二次抛光头（7）向下传送，以使二次抛光垫（8）压迫晶片表面，同时在提供研磨剂时，剩余的Cu被抛光。该操作在剩余Cu的所有部分上进行。当剩余的Cu被完全去除时，在该时刻，二次抛光头（7）从真空吸盘（1）的位置升起并缩回，并且通过使用其它抛光垫来进行Ta的研磨。

9. 发明申请

WO2004002681A1 研磨パッド等の寿命・良否判定方法、研磨パッドのコンディショニング方法、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法审中-公开
标题翻译：判定抛光垫等的生活质量和质量的方法，抛光垫的调节方法，抛光装置，半导体器件以及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004002681A1
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：PCT/JP2003/008216
申请日：2003-06-27
申请人：株式会社ニコン , 星野進
发明人：星野進
IPC分类号： B24B53/02
CPC分类号： B24B53/017 , B24B49/12 , B24B49/186
摘要：　ウエハＷｄの研磨に用いられる研磨パッド３１１ｃの厚みを、パッド厚み計測装置３１９により計測する。この厚みが所定値より薄い場合に、研磨パッド３１１ｃの寿命が尽きたと判定する。研磨パッド３１１ｃを、パッドコンディショニング装置３１７のコンディショナ３１７ｂによりコンディショニングする。このコンディショニングの前後で、研磨パッド３１１ｃの厚みを、パッド厚み計測装置３１９により計測する。このコンディショニングの前後で計測された研磨パッド３１１ｃの厚みに基づいて、研磨パッド３１１ｃの前記コンディショニングのコンディショニング時間中の平均切削レートを求める。この平均切削レートが所定値より低い場合に、コンディショナ３１７ｂの寿命が尽きたと判定する。これにより、研磨パッド及びコンディショナの寿命を正確に判定することができる。
摘要翻译：通过垫厚度测量装置（319）测量用于研磨晶片（Wd）的研磨垫（311c）的厚度。当厚度小于预定值时，判断研磨垫（311c）的寿命结束。研磨垫（311c）由衬垫调节装置（317）的调节器（317b）调节。在调理之前和之后，通过垫厚度测量装置（319）测量研磨垫（311c）的厚度。基于在调节前后测量的研磨垫（311c）的厚度，获得研磨垫（311c）的调理时间段内的平均切割速度。当平均切割速度小于预定值时，判断调节器（317b）的寿命结束。以这种方式，可以准确地判断研磨垫和调节器的寿命。

10. 发明申请

WO2004105113A1 ＣＭＰ研磨用研磨体、ＣＭＰ研磨装置、ＣＭＰ研磨方法、及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：用于CMP抛光的抛光体，CMP抛光装置，CMP抛光方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004105113A1
公开(公告)日：2004-12-02
申请号：PCT/JP2004/006859
申请日：2004-05-14
申请人：株式会社ニコン , 星野進 , 吉田典夫 , 北出裕子 , 下田治 , 矢吹長也
发明人：星野進 , 吉田典夫 , 北出裕子 , 下田治 , 矢吹長也
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24
摘要： A polishing body for CMP polishing is disclosed which is preferably used in a CMP polishing method which enables to prevent excess polishing of the peripheral surface of a wafer. This polishing body for CMP polishing is composed of a polishing pad, a hard elastic member and a soft elastic member bonded together in this order, and the thickness of the soft elastic member is not more than a half of the thickness of the polishing pad.
摘要翻译：公开了一种用于CMP抛光的抛光体，其优选用于能够防止晶片周边表面的多余抛光的CMP抛光方法中。用于CMP抛光的抛光体由依次结合在一起的抛光垫，硬弹性构件和软弹性构件组成，软弹性构件的厚度不大于抛光垫的厚度的一半。

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