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1. 发明申请

WO2004012249A1 研磨装置审中-公开
标题翻译：抛光装置
公开(公告)号：WO2004012249A1
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：PCT/JP2003/009431
申请日：2003-07-25
申请人：株式会社ニコン , 有泉英二 , 新井浩 , 宇田豊
发明人：有泉英二 , 新井浩 , 宇田豊
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B49/16 , B24B37/04
摘要：研磨ヘッド１と研磨定盤２でロードセル３を挟んだ状態で、算定手段４から制御装置５に指令を出し、所定の電圧が電空変換器６に供給されるようにする。そして、そのときに研磨ヘッド１と研磨定盤２の間に加わる荷重をロードセル３で測定し、算定手段４に入力する。算定手段４は、指令する電圧を変化させ、そのときの実際の電圧値に対応する荷重を逐次入力する。そして、制御装置５から出力される電圧と、研磨ヘッド１と研磨定盤２の間に加わる荷重の間の関係式を回帰計算等により求め、関係式記憶装置７に記憶させておく。研磨時においては、この関係式により、実際の出力電圧を決定する。このようにすることにより、長期にわたって使用する場合でも、研磨パッドと研磨対象物間の圧力、コンディショニング時の圧力、研磨液の供給量を安定して目標値に保つことが可能な研磨装置を提供することができる。
摘要翻译：一种抛光装置，其中当由抛光头（1）和抛光表面板（2）保持测力传感器（3）和抛光表面板（2）时，从计算装置（4）向控制装置（5）给出指令，对电动气动转换器（6）施加规定的电压，通过称重传感器（3）测量在研磨头（1）和研磨面板（2）之间施加的载荷，将测定值输入到计算机构（4）计算装置（4）改变指示电压并依次输入与实际电压值相对应的负载，从控制装置（5）输出的电压与在抛光头（1）和抛光面板（2）通过回归计算获得并存储在关系式表达式存储装置（7）中，并且实际输出电压由抛光期间的关系式确定，由此即使当抛光装置长时间使用，抛光垫和抛光对象之间的压力，调节期间的压力和抛光液的供给量可以稳定地保持在目标值。

2. 发明申请

WO2003009362A1 研磨体、ＣＭＰ研磨装置及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光元件，CMP抛光装置和生产方法半导体器件
公开(公告)号：WO2003009362A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/JP2002/006780
申请日：2002-07-04
申请人：株式会社ニコン , 星野進 , 宇田豊 , 菅谷功
发明人：星野進 , 宇田豊 , 菅谷功
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/20 , B24D13/20 , H01L21/31053 , H01L21/32115 , H01L21/3212
摘要： A wafer (11), an object of polishing, is held by a polishing head (12) and rotates together with the polishing head (12). A polishing element (14) is attached to a polishing member (13) by bonding or the like using an adhesive or a double−side adhesive tape. The polishing element (14) is formed, as shown in (b), by laminating a soft member (15), a hard elastic member (16) and a polishing pad (17). The hard elastic member (16) is so formed that a deformation under a polishing load applied during polishing is smaller than a step difference allowed for the wafer at an interval equivalent to the maximum pattern of the semiconductor integrated circuit, and larger than TTV allowed for the wafer at an interval equivalent to one chip. Accordingly, both “wafer global removal uniformity” and “local pattern flatness” can be satisfied.
摘要翻译：抛光对象的晶片（11）被研磨头（12）保持，并与抛光头（12）一起旋转。抛光元件（14）通过使用粘合剂或双面粘合带的粘合等附着到抛光部件（13）上。如（b）所示，通过层叠软性构件（15），硬质弹性构件（16）和研磨垫（17）而形成研磨元件（14）。硬质弹性构件16被形成为使得在抛光期间施加的研磨负载下的变形小于与半导体集成电路的最大图案等间隔的间隔允许的晶片的阶梯差，并且大于允许的TTV 晶片间隔相当于一个芯片。因此，可以满足“晶片全局去除均匀性”和“局部图案平坦度”。

3. 发明申请

WO2004077538A1 研磨装置、研磨方法及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光装置，抛光方法和半导体装置的制造方法
公开(公告)号：WO2004077538A1
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/JP2004/001920
申请日：2004-02-19
申请人：株式会社ニコン , 星野進 , 山本栄一 , 宇田豊
发明人：星野進 , 山本栄一 , 宇田豊
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/30
摘要：研磨工具３０の研磨部材４０と被研磨物との間に荷重を加えつつ、研磨工具３０とウエハとを相対移動させることにより、ウエハを研磨する。研磨工具３０はウエハの上側に配置される。研磨工具３０は、可撓性を有するドライブリング３３を介してテンションフランジ３１に固定され、上下方向に変位し得る。永久磁石５３，５４からなる付勢力付与部５０は、研磨部材４０を全体的に下方へ移動させようとする力（自重による重力とテンションフランジ３１の内部空間Ｓの空気圧）に抗して、研磨部材４０を全体的に上方へ移動させようとする付勢力（磁力）を与える。これにより、研磨部材の自重による荷重よりも低い荷重で被研磨物を研磨することができる。
摘要翻译：通过在抛光工具（30）的抛光构件（40）和抛光对象之间施加负载的同时相对移动抛光工具（30）和晶片来抛光晶片。抛光工具（30）设置在晶片上方。抛光工具（30）通过柔性驱动环（33）固定在张力凸缘（31）上，能够进行垂直位移。由永磁体（53,54）构成的施力部（50）产生抵抗力（由于自重加重而引起的重力）倾向于完全向上移动抛光部件（40）的推力（磁力）趋向于完全向下移动抛光构件（40）的张紧凸缘（31）的内部空间（S）中的空气压力。这使得可以由于抛光构件的自重而以比负载低的载荷来抛光抛光对象。

4. 发明专利

JP2016183887A 測定方法审中-公开
标题翻译：测量方法
公开(公告)号：JP2016183887A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：JP2015063746
申请日：2015-03-26
申请人：島田尚一 , 宇田豊 , 清野慧 , 株式会社ナガセインテグレックス
发明人：島田尚一 , 宇田豊 , 清野慧 , 郷泰幸
IPC分类号： G01C9/06 , G01C9/18 , G01C9/12 , G01B21/00
摘要：【課題】簡素な構成でありながら、精度良く長尺物の形状を測定できる測定方法を提供する。【解決手段】センサホルダの走査方向における傾斜角の走査測定の開始点と終了点での差と、ステージの走査方向における傾斜角の走査測定の開始点と終了点での差に基づいてプローブのゼロ点誤差の影響を排除するので、例え測定の際にステージやセンサホルダが傾いたとしても、その影響を排除して高精度な形状測定を行うことができる。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供能够精确地测量长对象的形状的测量方法，同时具有简单的构造。解决方案：基于起点和起点之间的差异来消除探针的零点误差的影响，在传感器保持器的扫描方向上扫描测量倾斜角度的终点以及在扫描方向上的倾斜角的扫描测量的起点和终点之间的差异。因此，即使在测量期间舞台或传感器支架倾斜，其影响被消除，并且可以执行高精度的形状测量。选择图：图4

5. 发明专利

JP2014200901A 加工装置有权
标题翻译：加工设备
公开(公告)号：JP2014200901A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013081101
申请日：2013-04-09
申请人：尚一島田 , Shoichi Shimada , 尚一島田 , 宇田豊 , Yutaka Uda , 豊宇田 , 清野慧 , Satoshi Kiyono , 慧清野 , 株式会社ナガセインテグレックス , Nagase Integrex Co Ltd
发明人： SHIMADA SHOICHI , UDA YUTAKA , KIYONO SATOSHI , GO YASUYUKI
IPC分类号： B24B37/00
摘要：【課題】駆動系のブレの影響を抑えつつ、ワークの表面を高精度にラッピング加工できる加工装置を提供する。【解決手段】ワークWの移動時に、ラッピングヘッド4は、ワークWの被加工面WPに倣って保持部3に対して揺動し、このとき被加工面WPの相対的に高い部位には研磨パッド4a、4b、4cのいずれかが強く当たり研磨圧が高まり、相対的に低い部位には研磨パッド4a、4b、4cのいずれかが弱く当たり研磨圧が低くなる。このように被加工面WPの研磨量を局所的に調整することができるから、被加工面WPに対して繰り返し加工することで、駆動系のブレ等にかかわらず、高精度な平面形状にラッピング加工できる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以高精度研磨工件表面的处理装置，同时减少驱动系统的模糊的影响。解决方案：当工件W移动时，研磨头4相对于保持件滑动此时，抛光垫4a，4b和4c中的任一个强烈地撞击处理过的表面WP的较高部分以增加抛光压力，并且任何抛光垫4a， 4b和4c对处理表面的相对低的部分较弱地击打以降低抛光压力。由此，能够对处理后的表面WP的研磨量进行局部调整，而不管驱动系统的模糊等等，处理后的表面WP能够被重复处理成高精度的扁平形状。

6. 发明专利

JP2018128259A 測定方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018128259A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017019191
申请日：2017-02-06
申请人：宇田豊 , 島田尚一 , 清野慧 , 株式会社ナガセインテグレックス
发明人：宇田豊 , ▲なつ▼目雄大 , 島田尚一 , 清野慧 , 井村諒介
IPC分类号： G01B11/24 , G01B21/20
摘要：【課題】測定誤差の影響を低減することで、より精度良く且つ効率的に被測定物の形状を測定できる測定方法を提供する。【解決手段】センサホルダと測定対象物のうち一方を固定し、他方を走査しつつ、センサホルダに取り付けた複数のセンサを用いて、逐次多点法により測定対象物の形状を測定する測定方法は、n個の測定点で、センサの出力を取得するステップと、任意の測定点で、センサホルダと測定対象物のうち他方の傾き角を検出するステップと、第1の測定点の傾き角と、第1の測定点とは異なる第2の測定点の傾き角との差に基づいて零点誤差を求め、更に測定点を変えて零点誤差を求めるステップと、求めた前記零点誤差の平均をとり、その平均値及び前記センサの出力を用いて測定対象物の形状を求めるステップとを有し、平均化するために用いる零点誤差の数は、測定点数nに基づいて決定される。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2017037028A 測定装置审中-公开
标题翻译：测量设备
公开(公告)号：JP2017037028A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015159334
申请日：2015-08-12
申请人：宇田豊 , 島田尚一 , 清野慧 , 株式会社ナガセインテグレックス
发明人：宇田豊 , 玉川智之 , 島田尚一 , 清野慧 , 井村諒介
IPC分类号： G01C9/06 , G01C9/18 , G01B11/26 , G01B21/20
摘要：【課題】手間がかからず短時間で精度良く被測定物の形状を測定できる測定装置を提供する。【解決手段】プローブPB1−PB3の出力が所定範囲を超えるときは、微動ステージを介してセンサホルダSHを変位させるので、プローブの取り付け位置を変えることなく再校正も不要で短時間で精度の良い測定を行うことができる。又、微動ステージの駆動によりプローブの位置が変わるが、演算の過程で運動誤差成分とみなしてキャンセルできるから、測定精度を十分に確保できる。更に、重力加速度方向を基準として、角度測定ユニットAMUにより、走査測定の開始点と終了点でセンサホルダの走査方向に対する傾斜角を測定してその差をとり、この差に基づいてプローブの零点誤差の影響を排除することにより、被測定物OBJの直線形状を補正することができ、もって高精度な形状測定を行うことができる。【選択図】図2
摘要翻译：提供一种形状可以以高精度在短时间内测量的对象采用的麻烦被测量的测量装置。当探针PB1-PB3的输出超过预定的范围内，因为经由微动载台的传感器支架SH的位移A，在短时间内重新校准高精度也是不改变探头的安装位置不必要测量可以进行。此外，探针的位置由精细移动台的驱动而改变，因为它取消计算的过程中考虑运动误差成分，所以能够充分地确保测量精度。此外，基于重力加速度方向，测量单元AMU的角度，倾斜角，测定采取在扫描测量的起始点的差值相对于在终点传感器保持器的扫描方向上，该差的基础上，误差零点的探针的通过消除的影响，有可能校正所测量的对象物OBJ的直线形状，因此能够进行高精度的形状测定用。 .The

8. 发明专利

JP6072591B2 加工装置有权
公开(公告)号：JP6072591B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2013081101
申请日：2013-04-09
申请人：島田尚一 , 宇田豊 , 清野慧 , 株式会社ナガセインテグレックス
发明人：島田尚一 , 宇田豊 , 清野慧 , 郷泰幸
IPC分类号： B24B37/00

9. 发明专利

JP6779151B2 測定方法有权
公开(公告)号：JP6779151B2
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：JP2017019191
申请日：2017-02-06
申请人：宇田豊 , 島田尚一 , 清野慧 , 株式会社ナガセインテグレックス
发明人：宇田豊 , ▲なつ▼目雄大 , 島田尚一 , 清野慧 , 井村諒介
IPC分类号： G01B11/24 , G01B21/20

10. 发明专利

JP6037510B2 加工装置有权
公开(公告)号：JP6037510B2
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：JP2013081100
申请日：2013-04-09
申请人：島田尚一 , 宇田豊 , 清野慧 , 株式会社ナガセインテグレックス
发明人：島田尚一 , 宇田豊 , 清野慧 , 郷泰幸
IPC分类号： B24B37/02 , B24B37/27

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