专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6175606B2 接合方法有权
公开(公告)号：JP6175606B2
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：JP2013151311
申请日：2013-07-22
申请人：株式会社アドウェルズ , 株式会社野田スクリーン
发明人：中居誠也 , 野田和宏 , 小川裕誉 , 服部篤典
IPC分类号： H05K1/18 , H01G2/06 , H05K3/32

2. 发明专利

JP2017139326A 回路基板および回路基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017139326A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2016019170
申请日：2016-02-03
申请人：富士ゼロックス株式会社 , 株式会社野田スクリーン
发明人：井口大介 , 服部篤典
IPC分类号： H05K1/16 , H01L23/12 , H05K3/46
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/4875 , H01L23/492 , H01L23/5223 , H01L23/528 , H01L23/53214 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105
摘要：【課題】キャパシタ素子からキャパシタ層を介して回路部品に電流を供給する構成において、キャパシタ層を構成する金属層をキャパシタ素子の電極として利用する構成の回路基板、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】基材と、前記基材上に設けられた第1の金属層と、当該第1の金属層上に設けられた誘電体層と、当該誘電体層上に設けられた第2の金属層とを有するキャパシタ層と、を備え、前記第1の金属層は、前記基材上に設けられ前記キャパシタ層を介して回路部品に電流を供給するキャパシタ素子の第1の端子が接続される、前記誘電体層から露出した第1の電極領域を有し、前記第2の金属層は、前記キャパシタ素子の第2の端子が接続される、当該第2の金属層が露出した第2の電極領域を有する。【選択図】図2

3. 发明专利

JP6669513B2 回路基板および回路基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6669513B2
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：JP2016019170
申请日：2016-02-03
申请人：富士ゼロックス株式会社 , 株式会社野田スクリーン
发明人：井口大介 , 服部篤典
IPC分类号： H05K1/16 , H01L23/12 , H05K3/46

4. 发明专利

JP6354016B1 薄膜キャパシタ、および半導体装置有权
公开(公告)号：JP6354016B1
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2017511961
申请日：2016-12-28
申请人：株式会社野田スクリーン
发明人：吉澤正充 , 服部篤典 , 波多野弘孝 , 楠本和貴
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/822 , H01L23/5223 , H01L24/09 , H01L24/32 , H01L27/04 , H01L2224/02379
摘要：半導体チップ(50)を含む半導体装置(100)の再配線層(10)に配置される薄膜キャパシタ(20)であって、薄膜キャパシタ(20)は、第1電極(21A)、第1電極上に形成された誘電体(21B)、および誘電体上に形成された第2電極(21C)からなるキャパシタ本体部(21)と、第1電極(21A)の下面に設けられ、当該薄膜キャパシタ(20)を半導体チップ(50)の保護膜(52)上に貼りつける際に使用される接着部(22)と、を備える。キャパシタ本体部(21)と接着部(22)との厚みの総計が20μm以下である。

5. 发明专利

JP6155420B2 薄膜キャパシタシートの製造方法有权
公开(公告)号：JP6155420B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2014162200
申请日：2014-08-08
申请人：株式会社野田スクリーン
发明人：尾関靖幸 , 張維 , 服部篤典
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/33

6. 发明专利

JP2016039283A 薄膜キャパシタシートの製造方法有权
标题翻译：制造薄膜电容器片的方法
公开(公告)号：JP2016039283A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014162200
申请日：2014-08-08
申请人：株式会社野田スクリーン
发明人：尾関靖幸 , 張維 , 服部篤典
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/33
摘要：【課題】薄膜キャパシタの転写工程、および転写後における転写基板の剥離工程を含まず、信頼性をより向上させることができるとともに、薄膜キャパシタの量産性に優れた薄膜キャパシタシートの製造方法を提供すること。【解決手段】薄膜キャパシタシートの製造方法は、金属箔によって構成される金属箔支持部材31の表面に誘電体膜12を形成する工程(b)と、誘電体膜12上に薄膜キャパシタの第1電極11を形成する工程(c)と、誘電体膜12上および第1電極11上にシート状の樹脂基材2を形成する工程(d)と、第1電極11が形成された面と反対側の樹脂基材2の面上に樹脂製の支持部材32を形成する工程(d)と、金属箔支持部材31を除去する工程(e)とを含む。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以进一步提高可靠性的薄膜电容器片的制造方法，而不需要包括转印薄膜电容器片的步骤和转印后的转印衬底的剥离步骤，制造薄膜电容器片的方法包括：在由金属箔构成的金属箔支撑构件31的表面上形成电介质膜12的工序（a）用于在电介质膜12上形成薄膜电容器的第一电极11的步骤（b）; 在电介质膜12和第一电极11上形成片状树脂基材2的工序（c）用于在与形成有第一电极11的表面相对的树脂基材2的表面上形成树脂制支撑构件32的步骤（d）; 以及用于移除金属箔支撑构件31的步骤（e）。选择的图示：图4

7. 发明专利

JP2015065199A 多層配線基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：多层接线板及其制造方法
公开(公告)号：JP2015065199A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013196602
申请日：2013-09-24
申请人：株式会社野田スクリーン
发明人：小山田成聖 , 吉澤正充 , 小川裕誉 , 服部篤典
IPC分类号： H05K3/00 , H05K3/46
摘要：【課題】多層配線基板において複数層を貫通する層間接続導体と各導体回路との接続を安定的に確保する。【解決手段】シートキャパシタ7の基板10に大径ビア31を形成し、基板10とプリプレグシート21との間にある面電極12の一部を露出させるように開口させる。面電極12に小開口部12Aを形成し、プリプレグシート21に大径ビア31よりも小さな径で開口する小径ビア32を下の銅箔23に達するように形成する。大径ビア31及び小径ビア32の内側には層間接続導体33を設ける。【選択図】図10
摘要翻译：要解决的问题：稳定地确保贯穿多个层的层间连接导体与多层布线板中的每个导体电路之间的连接。解决方案：在片状电容器7的基板10上形成大直径通孔31，并且位于基板10和预浸料片21之间的表面电极12的一部分被打开以露出。在表面电极12上形成小开口12A，在预浸料片21上形成直径大于通孔31的小直径通孔32，以便到达下铜箔23.层间连接导体33设置在大直径通孔31和小直径通孔32的内部。

8. 发明专利

JPWO2018122995A1 薄膜キャパシタ、および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018122995A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2016089021
申请日：2016-12-28
申请人：株式会社野田スクリーン
发明人：吉澤正充 , 服部篤典 , 波多野弘孝 , 楠本和貴
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
摘要：半導体チップ(50)を含む半導体装置(100)の再配線層(10)に配置される薄膜キャパシタ(20)であって、薄膜キャパシタ(20)は、第1電極(21A)、第1電極上に形成された誘電体(21B)、および誘電体上に形成された第2電極(21C)からなるキャパシタ本体部(21)と、第1電極(21A)の下面に設けられ、当該薄膜キャパシタ(20)を半導体チップ(50)の保護膜(52)上に貼りつける際に使用される接着部(22)と、を備える。キャパシタ本体部(21)と接着部(22)との厚みの総計が20μm以下である。

9. 发明专利

JP6078765B1 薄膜キャパシタの製造方法、集積回路搭載基板、及び当該基板を備えた半導体装置有权
标题翻译：一种制造薄膜电容器，集成电路安装板和半导体器件，包括在基板的方法
公开(公告)号：JP6078765B1
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2016503259
申请日：2015-03-11
申请人：株式会社野田スクリーン
发明人：服部篤典
IPC分类号： H01L23/32 , H05K1/16 , H05K3/46 , H05K1/18 , H01G4/33 , H01L23/12
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/12 , H05K3/46
摘要：回路基板に薄膜キャパシタを製造する方法であって、支持部材(31)の表面に形成された誘電体膜(12M)上に薄膜キャパシタの第1電極層(11)を所要パターンで形成する第1電極形成工程(図3(d))と、誘電体膜(12M)上および第1電極層(11)上に、回路基板の絶縁基材(16)を、第1電極層(11)を埋め込むように形成する基材形成工程(図3(e))と、支持部材(31)を除去し、誘電体膜(12M)の第1電極層(11)とは反対側の面を露出させる除去工程と、誘電体膜(12M)をパターニングすることで、第1電極層(11)に重なる誘電体層を残すと共に、その誘電体層に第1の貫通孔を形成して第1電極層(11)の誘電体層側の面の一部を露出させる誘電体パターニング工程と、第1の貫通孔内を含む誘電体層上に薄膜キャパシタの第2電極層を重ねて形成する第2電極形成工程とを含む。
摘要翻译：在电路基板上制造薄膜电容器，首先，在需要的图案，以形成所述支撑构件（31）（12M）（11）的所形成的电介质膜的表面上的薄膜电容器的第一电极层的方法掩埋电极形成工序（图3（D）），并且在电介质膜上（12M）和所述第一电极层（11），所述电路板（16），所述第一电极层的绝缘基底材料（11）上衬底上形成成形作为步骤（图3（e））的，在支撑构件（31）被除去，被除去以相反的表面暴露在电介质膜（12M）的所述第一电极层（11）的步骤，通过图案化电介质层（12M）中，用留下介电层，覆盖所述第一电极层（11），所述第一电极层以形成一个第一通孔的介电层中（介电图案化工艺的电介质层侧，以暴露的11表面的一部分），形成，以形成通孔的第一介电层上重叠的薄膜电容器的第二电极层的第二电极以及步骤。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式