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1. 发明专利

TWI390080B 藉無電解電鍍形成有銅薄膜之電鍍物有权
简体标题：藉无电解电镀形成有铜薄膜之电镀物
公开(公告)号：TWI390080B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW098123864
申请日：2009-07-15
申请人：日鑛金屬股份有限公司 , NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：伊藤順一 , ITO, JUNICHI , 矢部淳司 , YABE, ATSUSHI , 關口淳之輔 , SEKIGUCHI, JUNNOSUKE , 伊森徹 , IMORI, TORU , 山越康廣 , YAMAKOSHI, YASUHIRO , 仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO
IPC分类号： C23C18/38 , C23C18/16
CPC分类号： C23C18/54 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C25D3/38 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12493 , Y10T428/12569 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12854 , Y10T428/12903

2. 发明专利

TWI296657B 可撓性銅基板用阻障膜、阻障膜形成用濺鍍靶有权
简体标题：可挠性铜基板用阻障膜、阻障膜形成用溅镀靶
公开(公告)号：TWI296657B
公开(公告)日：2008-05-11
申请号：TW095100030
申请日：2006-01-02
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：入間田修一 , 山越康廣
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/205 , H01L21/2855 , H05K1/0393 , H05K3/388
摘要：本發明係提供一種可撓性銅基板用阻障膜，其特徵在於，係由含有Cr：5~30wt%、Ti及/或Zr：1~10wt%、剩餘部份為不可避免之雜質及Ni形成之Ni-Cr系合金薄膜所構成，其膜厚為3~150nm、膜厚均一性在1σ(一個標準差)的範圍為10%以下。本發明亦提供一種阻障膜形成用濺鍍靶，其特徵在於，係含有Cr：5~30wt%、Ti及/或Zr：1~10wt%、剩餘部份為不可避免之雜質及Ni形成之Ni-Cr系合金，濺蝕面在面內方向的相對磁導率為100以下。本發明之可撓性銅基板用阻障膜及阻障膜形成用濺鍍靶，在抑制銅擴散至聚亞醯胺等之樹脂薄膜時，即使是以不產生膜剝離程度之薄的膜厚、或細的配線間距，亦能得到充分的阻障效果，並且，即使因熱處理等而使溫度上升，阻障特性亦不會改變。
简体摘要：本发明系提供一种可挠性铜基板用阻障膜，其特征在于，系由含有Cr：5~30wt%、Ti及/或Zr：1~10wt%、剩余部份为不可避免之杂质及Ni形成之Ni-Cr系合金薄膜所构成，其膜厚为3~150nm、膜厚均一性在1σ(一个标准差)的范围为10%以下。本发明亦提供一种阻障膜形成用溅镀靶，其特征在于，系含有Cr：5~30wt%、Ti及/或Zr：1~10wt%、剩余部份为不可避免之杂质及Ni形成之Ni-Cr系合金，溅蚀面在面内方向的相对磁导率为100以下。本发明之可挠性铜基板用阻障膜及阻障膜形成用溅镀靶，在抑制铜扩散至聚亚酰胺等之树脂薄膜时，即使是以不产生膜剥离程度之薄的膜厚、或细的配线间距，亦能得到充分的阻障效果，并且，即使因热处理等而使温度上升，阻障特性亦不会改变。

3. 发明专利

TWI291995B 高純度Ni-V合金、該Ni-V合金構成之靶、該Ni-V合金薄膜及高純度Ni-V合金之製造方法有权
简体标题：高纯度Ni-V合金、该Ni-V合金构成之靶、该Ni-V合金薄膜及高纯度Ni-V合金之制造方法
公开(公告)号：TWI291995B
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW093128206
申请日：2004-09-17
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗 SHINDO, YUICHIRO , 山越康廣
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C19/03
摘要：本發明提供一種高純度Ni-V合金及由該Ni-V合金構成之靶以及該Ni-V合金薄膜，其特徵為Ni、V、及氣體成分除外之Ni-V合金純度均為99.9wt%以上，且鑄錠間或靶間或薄膜間之V含量偏差在0.4%以內。所提供之高純度Ni-V合金、由該Ni-V合金構成之靶及該Ni-V合金薄膜，其鑄錠間或靶間或薄膜間之偏差少，可提升濺刻性，且嚴格地減少會發射α粒子而對半導體裝置之微細電路有不良影響之U、Th等放射性同位素，並具99.9wt%以上純度，並提供可有效減少前述雜質之高純度Ni-V合金之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种高纯度Ni-V合金及由该Ni-V合金构成之靶以及该Ni-V合金薄膜，其特征为Ni、V、及气体成分除外之Ni-V合金纯度均为99.9wt%以上，且铸锭间或靶间或薄膜间之V含量偏差在0.4%以内。所提供之高纯度Ni-V合金、由该Ni-V合金构成之靶及该Ni-V合金薄膜，其铸锭间或靶间或薄膜间之偏差少，可提升溅刻性，且严格地减少会发射α粒子而对半导体设备之微细电路有不良影响之U、Th等放射性同位素，并具99.9wt%以上纯度，并提供可有效减少前述杂质之高纯度Ni-V合金之制造方法。

4. 发明专利

TWI271440B 可撓性銅基板用阻障膜、阻障膜形成用濺鍍靶有权
简体标题：可挠性铜基板用阻障膜、阻障膜形成用溅镀靶
公开(公告)号：TWI271440B
公开(公告)日：2007-01-21
申请号：TW094125703
申请日：2005-07-29
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：入間田修一 , 山越康廣
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H05K3/388 , C22C19/07 , C23C14/205 , C23C14/3414 , H05K1/0346 , H05K1/0393 , Y10T428/12569 , Y10T428/12715 , Y10T428/12847 , Y10T428/1291 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
摘要：一種可撓性銅基板用阻障膜，其特徵在於：係由含有 Cr 5~30重量%、且剩餘部份為不可避免之雜質與Co所構成之Co-Cr合金膜所形成者，膜厚為3~150nm，膜厚均勻性以1σ計為10%以下；以及一種阻障膜形成用濺鍍靶，其特徵在於：係由含有Cr 5~30重量%、且剩餘部份為不可避免之雜質與Co所構成之Co-Cr合金，濺鍍面之面內方向的相對磁導率為100以下。獲得一種可撓性銅基板用阻障膜，在抑制銅朝聚醯亞胺等樹脂膜之擴散之際，以不致發生膜剝離之程度的薄厚度，且即使面對微細之配線間距亦可得到充分之阻障效果，再者即使因為熱處理等造成溫度上升，阻障特性也不會變化；另獲得一種阻障膜形成用濺鍍靶。
简体摘要：一种可挠性铜基板用阻障膜，其特征在于：系由含有 Cr 5~30重量%、且剩余部份为不可避免之杂质与Co所构成之Co-Cr合金膜所形成者，膜厚为3~150nm，膜厚均匀性以1σ计为10%以下；以及一种阻障膜形成用溅镀靶，其特征在于：系由含有Cr 5~30重量%、且剩余部份为不可避免之杂质与Co所构成之Co-Cr合金，溅镀面之面内方向的相对磁导率为100以下。获得一种可挠性铜基板用阻障膜，在抑制铜朝聚酰亚胺等树脂膜之扩散之际，以不致发生膜剥离之程度的薄厚度，且即使面对微细之配线间距亦可得到充分之阻障效果，再者即使因为热处理等造成温度上升，阻障特性也不会变化；另获得一种阻障膜形成用溅镀靶。

5. 发明专利

TW201126647A 半導體配線用阻隔膜、燒結體濺鍍靶及濺鍍靶之製造方法审中-公开
简体标题：半导体配线用阻隔膜、烧结体溅镀靶及溅镀靶之制造方法
公开(公告)号：TW201126647A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099111372
申请日：2010-04-13
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：仙田真一郎 , 山越康廣 , 伊藤順一
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C1/045 , C23C14/165 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , H01L21/2855 , H01L21/76843
摘要：本發明係關於半導體配線用阻隔膜及用以形成半導體配線用阻隔膜之燒結體濺鍍靶,該半導體配線用阻隔膜係含有Ni,剩餘則由W及不可避免之雜質所構成,具有WxNiy(70≦x≦90、10≦y≦30,單位:at%)之組成;該燒結體濺鍍靶係含有Ni,剩餘則由W及不可避免之雜質所構成,其特徵在於:具有WxNiy(70≦x≦90、10≦y≦30,單位:at%)之組成,且靶之組織係由W基質與存在於其中之Ni粒子所構成,具備有W擴散於該Ni粒子之組織。本發明係以提供濺鍍靶及該靶之製造方法為課題,其並不依賴濺鍍時之氮化反應,靶本身與阻隔膜會成為同一組成,且可有效地防止半導體元件之反應,此外在濺鍍時無微粒之產生,尤其作為阻隔膜用係有用,再者在該阻隔膜形成時具有優異之特性。
简体摘要：本发明系关于半导体配线用阻隔膜及用以形成半导体配线用阻隔膜之烧结体溅镀靶,该半导体配线用阻隔膜系含有Ni,剩余则由W及不可避免之杂质所构成,具有WxNiy(70≦x≦90、10≦y≦30,单位:at%)之组成;该烧结体溅镀靶系含有Ni,剩余则由W及不可避免之杂质所构成,其特征在于:具有WxNiy(70≦x≦90、10≦y≦30,单位:at%)之组成,且靶之组织系由W基质与存在于其中之Ni粒子所构成,具备有W扩散于该Ni粒子之组织。本发明系以提供溅镀靶及该靶之制造方法为课题,其并不依赖溅镀时之氮化反应,靶本身与阻隔膜会成为同一组成,且可有效地防止半导体组件之反应,此外在溅镀时无微粒之产生,尤其作为阻隔膜用系有用,再者在该阻隔膜形成时具有优异之特性。

6. 发明专利

TW201012967A 藉無電解電鍍形成有銅薄膜之電鍍物 PLATED PRODUCT WITH COPPER FILM FORMED BY NON-ELECTROLYTIC PLATING 审中-公开
简体标题：藉无电解电镀形成有铜薄膜之电镀物 PLATED PRODUCT WITH COPPER FILM FORMED BY NON-ELECTROLYTIC PLATING
公开(公告)号：TW201012967A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098123864
申请日：2009-07-15
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：伊藤順一 , 矢部淳司 , 關口淳之輔 , 伊森徹 , 山越康廣 , 仙田真一郎
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C18/54 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C25D3/38 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12493 , Y10T428/12569 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12854 , Y10T428/12903
摘要：本發明之目的為提供一種在使以鑲嵌銅配線等之無電解銅電鍍形成晶種層之際，在成膜均勻性、及密著性方面，相較於在鎢或鉬等單體金屬上進行無電解銅電鍍時更為提升，而且，在銅晶種層之成膜之前先要形成阻障層與觸媒金屬層二個層之繁瑣得以解除，而可形成超微細配線，且以薄且均勻之膜厚形成有晶種層之電鍍物。本發明電鍍物之特徵為：在基材上，形成防止銅擴散用阻障合金薄膜，其係由可與無電解銅電鍍液中所含之銅離子進行置換電鍍且對銅具有阻障性之金屬B、及在pH10以上之無電解銅電鍍液中之離子化傾向較金屬B小之金屬A所構成，而該防止銅擴散用阻障合金薄膜係為將前述金屬A設為15原子%以上、35原子%以下之組成，且在此合金薄膜上藉由使用pH10以上之無電解銅電鍍液之無電解電鍍形成銅薄膜。
简体摘要：本发明之目的为提供一种在使以镶嵌铜配线等之无电解铜电镀形成晶种层之际，在成膜均匀性、及密着性方面，相较于在钨或钼等单体金属上进行无电解铜电镀时更为提升，而且，在铜晶种层之成膜之前先要形成阻障层与触媒金属层二个层之繁琐得以解除，而可形成超微细配线，且以薄且均匀之膜厚形成有晶种层之电镀物。本发明电镀物之特征为：在基材上，形成防止铜扩散用阻障合金薄膜，其系由可与无电解铜电镀液中所含之铜离子进行置换电镀且对铜具有阻障性之金属B、及在pH10以上之无电解铜电镀液中之离子化倾向较金属B小之金属A所构成，而该防止铜扩散用阻障合金薄膜系为将前述金属A设为15原子%以上、35原子%以下之组成，且在此合金薄膜上借由使用pH10以上之无电解铜电镀液之无电解电镀形成铜薄膜。

7. 发明专利

TW201031760A 鎳合金濺鍍靶及矽化鎳膜审中-公开
简体标题：镍合金溅镀靶及硅化镍膜
公开(公告)号：TW201031760A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW099102103
申请日：2010-01-26
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：山越康廣
IPC分类号： C22C , C23C
CPC分类号： H01L21/28518 , C22C19/03 , C22F1/10 , C23C10/02 , C23C10/28 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01L21/28097 , H01L21/2855
摘要：本發明之課題為提供一種鎳合金濺鍍靶及由該靶所形成之矽化鎳膜,該鎳合金濺鍍靶可形成熱安定之矽化鎳(NiSi)膜,且不易引起膜聚集或過度之矽化物化,且濺鍍膜形成時顆粒發生少,均勻性亦良好,其更富有塑性加工成靶的特性,尤其有用於製造閘極材料(薄膜)。本發明之解決手段為一種鎳合金濺鍍靶,其特徵在於含有鉑22~46wt%、選自銥、鈀、釕之一種成分以上5~100wtppm,而剩餘部分由鎳及不可避免的雜質所構成。
简体摘要：本发明之课题为提供一种镍合金溅镀靶及由该靶所形成之硅化镍膜,该镍合金溅镀靶可形成热安定之硅化镍(NiSi)膜,且不易引起膜聚集或过度之硅化物化,且溅镀膜形成时颗粒发生少,均匀性亦良好,其更富有塑性加工成靶的特性,尤其有用于制造闸极材料(薄膜)。本发明之解决手段为一种镍合金溅镀靶,其特征在于含有铂22~46wt%、选自铱、钯、钌之一种成分以上5~100wtppm,而剩余部分由镍及不可避免的杂质所构成。

8. 发明专利

TW200940214A 燒結體靶及燒結體之製造方法审中-公开
简体标题：烧结体靶及烧结体之制造方法
公开(公告)号：TW200940214A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097148895
申请日：2008-12-16
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：福世秀秋 , 矢作政隆 , 山越康廣 , 高橋秀行
IPC分类号： B22F , C23C
CPC分类号： B22F3/1103 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2998/10 , C22C1/04 , C22C12/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , G11B7/2433 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322
摘要：一種燒結體靶，含有下述(A)之元素與(B)之元素，其特徵在於，於燒結體靶內不存在平均直徑在1μm以上之孔隙，該靶表面之40000μm 2 內所存在之平均直徑未達1μm的微孔在100個以下。(A)：選自S、Se、Te之硫屬化物元素之一種以上。(B)：選自Bi、Sb、As、P、N之Vb族元素之一種以上。提供一種使濺鍍中之靶之脫粒、結球之發生源消失，並且抑制粒子發生之技術。
简体摘要：一种烧结体靶，含有下述(A)之元素与(B)之元素，其特征在于，于烧结体靶内不存在平均直径在1μm以上之孔隙，该靶表面之40000μm 2 内所存在之平均直径未达1μm的微孔在100个以下。(A)：选自S、Se、Te之硫属化物元素之一种以上。(B)：选自Bi、Sb、As、P、N之Vb族元素之一种以上。提供一种使溅镀中之靶之脱粒、结球之发生源消失，并且抑制粒子发生之技术。

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