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1. 发明专利

TWI390080B 藉無電解電鍍形成有銅薄膜之電鍍物有权
简体标题：藉无电解电镀形成有铜薄膜之电镀物
公开(公告)号：TWI390080B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW098123864
申请日：2009-07-15
申请人：日鑛金屬股份有限公司 , NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：伊藤順一 , ITO, JUNICHI , 矢部淳司 , YABE, ATSUSHI , 關口淳之輔 , SEKIGUCHI, JUNNOSUKE , 伊森徹 , IMORI, TORU , 山越康廣 , YAMAKOSHI, YASUHIRO , 仙田真一郎 , SENDA, SHINICHIRO
IPC分类号： C23C18/38 , C23C18/16
CPC分类号： C23C18/54 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C25D3/38 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12493 , Y10T428/12569 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12854 , Y10T428/12903

2. 发明专利

TW201126647A 半導體配線用阻隔膜、燒結體濺鍍靶及濺鍍靶之製造方法审中-公开
简体标题：半导体配线用阻隔膜、烧结体溅镀靶及溅镀靶之制造方法
公开(公告)号：TW201126647A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099111372
申请日：2010-04-13
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：仙田真一郎 , 山越康廣 , 伊藤順一
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C1/045 , C23C14/165 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , H01L21/2855 , H01L21/76843
摘要：本發明係關於半導體配線用阻隔膜及用以形成半導體配線用阻隔膜之燒結體濺鍍靶,該半導體配線用阻隔膜係含有Ni,剩餘則由W及不可避免之雜質所構成,具有WxNiy(70≦x≦90、10≦y≦30,單位:at%)之組成;該燒結體濺鍍靶係含有Ni,剩餘則由W及不可避免之雜質所構成,其特徵在於:具有WxNiy(70≦x≦90、10≦y≦30,單位:at%)之組成,且靶之組織係由W基質與存在於其中之Ni粒子所構成,具備有W擴散於該Ni粒子之組織。本發明係以提供濺鍍靶及該靶之製造方法為課題,其並不依賴濺鍍時之氮化反應,靶本身與阻隔膜會成為同一組成,且可有效地防止半導體元件之反應,此外在濺鍍時無微粒之產生,尤其作為阻隔膜用係有用,再者在該阻隔膜形成時具有優異之特性。
简体摘要：本发明系关于半导体配线用阻隔膜及用以形成半导体配线用阻隔膜之烧结体溅镀靶,该半导体配线用阻隔膜系含有Ni,剩余则由W及不可避免之杂质所构成,具有WxNiy(70≦x≦90、10≦y≦30,单位:at%)之组成;该烧结体溅镀靶系含有Ni,剩余则由W及不可避免之杂质所构成,其特征在于:具有WxNiy(70≦x≦90、10≦y≦30,单位:at%)之组成,且靶之组织系由W基质与存在于其中之Ni粒子所构成,具备有W扩散于该Ni粒子之组织。本发明系以提供溅镀靶及该靶之制造方法为课题,其并不依赖溅镀时之氮化反应,靶本身与阻隔膜会成为同一组成,且可有效地防止半导体组件之反应,此外在溅镀时无微粒之产生,尤其作为阻隔膜用系有用,再者在该阻隔膜形成时具有优异之特性。

3. 发明专利

TW201012967A 藉無電解電鍍形成有銅薄膜之電鍍物 PLATED PRODUCT WITH COPPER FILM FORMED BY NON-ELECTROLYTIC PLATING 审中-公开
简体标题：藉无电解电镀形成有铜薄膜之电镀物 PLATED PRODUCT WITH COPPER FILM FORMED BY NON-ELECTROLYTIC PLATING
公开(公告)号：TW201012967A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098123864
申请日：2009-07-15
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：伊藤順一 , 矢部淳司 , 關口淳之輔 , 伊森徹 , 山越康廣 , 仙田真一郎
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C18/54 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C25D3/38 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12493 , Y10T428/12569 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12854 , Y10T428/12903
摘要：本發明之目的為提供一種在使以鑲嵌銅配線等之無電解銅電鍍形成晶種層之際，在成膜均勻性、及密著性方面，相較於在鎢或鉬等單體金屬上進行無電解銅電鍍時更為提升，而且，在銅晶種層之成膜之前先要形成阻障層與觸媒金屬層二個層之繁瑣得以解除，而可形成超微細配線，且以薄且均勻之膜厚形成有晶種層之電鍍物。本發明電鍍物之特徵為：在基材上，形成防止銅擴散用阻障合金薄膜，其係由可與無電解銅電鍍液中所含之銅離子進行置換電鍍且對銅具有阻障性之金屬B、及在pH10以上之無電解銅電鍍液中之離子化傾向較金屬B小之金屬A所構成，而該防止銅擴散用阻障合金薄膜係為將前述金屬A設為15原子%以上、35原子%以下之組成，且在此合金薄膜上藉由使用pH10以上之無電解銅電鍍液之無電解電鍍形成銅薄膜。
简体摘要：本发明之目的为提供一种在使以镶嵌铜配线等之无电解铜电镀形成晶种层之际，在成膜均匀性、及密着性方面，相较于在钨或钼等单体金属上进行无电解铜电镀时更为提升，而且，在铜晶种层之成膜之前先要形成阻障层与触媒金属层二个层之繁琐得以解除，而可形成超微细配线，且以薄且均匀之膜厚形成有晶种层之电镀物。本发明电镀物之特征为：在基材上，形成防止铜扩散用阻障合金薄膜，其系由可与无电解铜电镀液中所含之铜离子进行置换电镀且对铜具有阻障性之金属B、及在pH10以上之无电解铜电镀液中之离子化倾向较金属B小之金属A所构成，而该防止铜扩散用阻障合金薄膜系为将前述金属A设为15原子%以上、35原子%以下之组成，且在此合金薄膜上借由使用pH10以上之无电解铜电镀液之无电解电镀形成铜薄膜。

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