专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201116637A 氧化物燒結體、其製造方法及氧化物燒結體製造用原料粉末审中-公开
简体标题：氧化物烧结体、其制造方法及氧化物烧结体制造用原料粉末
公开(公告)号：TW201116637A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099117849
申请日：2010-06-03
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：長田幸三 , 掛野崇 , 高見英生 , 生澤正克 , 矢作政隆
IPC分类号： C23C , C04B
CPC分类号： C04B35/453 , C01G15/006 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6585 , C04B2235/724 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08
摘要：一種氧化物燒結體，其係由銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、以及氧(O)構成，並以式InxGayZnzOa[式中，x/(x+y)為0.2～0.8、z/(x+y+z)為0.1～0.5、a=(3/2)x+(3/2)y+z]表示，其特徵在於：該氧化物燒結體所含有之揮發性雜質的濃度為20ppm以下。提供一種可應用於IGZO靶之製造的技術，其可使該濺鍍用靶高密度化及低體電阻化，防止靶之製造步驟中的膨脹或破裂，同時可將結球(nodule)之產生抑制於最小限度，抑制異常放電並進行DC濺鍍。
简体摘要：一种氧化物烧结体，其系由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、以及氧(O)构成，并以式InxGayZnzOa[式中，x/(x+y)为0.2～0.8、z/(x+y+z)为0.1～0.5、a=(3/2)x+(3/2)y+z]表示，其特征在于：该氧化物烧结体所含有之挥发性杂质的浓度为20ppm以下。提供一种可应用于IGZO靶之制造的技术，其可使该溅镀用靶高密度化及低体电阻化，防止靶之制造步骤中的膨胀或破裂，同时可将结球(nodule)之产生抑制于最小限度，抑制异常放电并进行DC溅镀。

2. 发明专利

TW201035346A 以氧化鈦為主成分之薄膜及以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶审中-公开
简体标题：以氧化钛为主成分之薄膜及以氧化钛为主成分之烧结体溅镀靶
公开(公告)号：TW201035346A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099103415
申请日：2010-02-05
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：高見英生 , 矢作政隆
IPC分类号： C23C
CPC分类号： G11B7/2545 , C04B35/46 , C23C14/083 , C23C14/3414
摘要：一種以氧化鈦為主成分之薄膜，其特徵在於，包含鈦、氧及銅，Ti在29.0at％以上、34.0at％以下，Cu在0.003at％以上、7.7at％以下，剩餘部分由氧及不可避免之雜質所構成，氧成分與金屬成分之比O／(2Ti+0.5Cu)在0.96以上。係以得到一種高折射率且具有低消光係數之以氧化鈦為主成分之薄膜、及適合製造該薄膜之以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶，且得到一種透射率優異，反射率之降低小，適用作為光資訊記錄媒體之干涉膜或保護膜的薄膜，並且適用於玻璃基板，亦即可使用作為熱線反射膜、抗反射膜、干涉濾光器之薄膜為課題。
简体摘要：一种以氧化钛为主成分之薄膜，其特征在于，包含钛、氧及铜，Ti在29.0at％以上、34.0at％以下，Cu在0.003at％以上、7.7at％以下，剩余部分由氧及不可避免之杂质所构成，氧成分与金属成分之比O／(2Ti+0.5Cu)在0.96以上。系以得到一种高折射率且具有低消光系数之以氧化钛为主成分之薄膜、及适合制造该薄膜之以氧化钛为主成分之烧结体溅镀靶，且得到一种透射率优异，反射率之降低小，适用作为光信息记录媒体之干涉膜或保护膜的薄膜，并且适用于玻璃基板，亦即可使用作为热线反射膜、抗反射膜、干涉滤光器之薄膜为课题。

3. 发明专利

TW201020226A 透明導電膜製造用之氧化物燒結體审中-公开
简体标题：透明导电膜制造用之氧化物烧结体
公开(公告)号：TW201020226A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098131830
申请日：2009-09-22
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：生澤正克 , 矢作政隆
IPC分类号： C04B , C23C , H01B
CPC分类号： H01B1/08 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/62695 , C04B2235/3217 , C04B2235/3265 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要：本發明提供一種於平面顯示器用顯示電極等所使用之ITO系非晶質透明導電膜,於基板未加熱而濺鍍時無須添加水即可進行製造,能高度滿足高蝕刻性與低電阻率兩者。係以氧化銦為主成分,並含有選自鎳、錳、鋁以及鍺中1種以上做為第一添加元素,第一添加元素之含量合計相對於銦與第一添加元素之合計量為2-12原子%。
简体摘要：本发明提供一种于平面显示器用显示电极等所使用之ITO系非晶质透明导电膜,于基板未加热而溅镀时无须添加水即可进行制造,能高度满足高蚀刻性与低电阻率两者。系以氧化铟为主成分,并含有选自镍、锰、铝以及锗中1种以上做为第一添加元素,第一添加元素之含量合计相对于铟与第一添加元素之合计量为2-12原子%。

4. 发明专利

TW201020225A 透明導電膜製造用之氧化物燒結體审中-公开
简体标题：透明导电膜制造用之氧化物烧结体
公开(公告)号：TW201020225A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098131829
申请日：2009-09-22
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：生澤正克 , 矢作政隆
IPC分类号： C04B , C23C , H01B
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/6263 , C04B35/62635 , C04B35/62695 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C23C14/086
摘要：本發明提供一種濺鍍靶,可適用在基板未加熱狀態下濺鍍時無須添加水便能進行成膜、並可藉由低溫退火來輕易達成結晶化、且結晶化後可顯現低電阻率之非晶質透明導電膜的製造上。本發明之氧化物燒結體,係以氧化銦為主成分,並含有錫做為第一添加元素,含有選自鍺、鎳、錳以及鋁中1種以上做為第二添加元素,第一添加元素之錫的含量相對於銦與錫之合計量為2-15原子%,第二添加元素的含量合計相對於銦與錫與第二添加元素之合計量為0.1-2原子%。
简体摘要：本发明提供一种溅镀靶,可适用在基板未加热状态下溅镀时无须添加水便能进行成膜、并可借由低温退火来轻易达成结晶化、且结晶化后可显现低电阻率之非晶质透明导电膜的制造上。本发明之氧化物烧结体,系以氧化铟为主成分,并含有锡做为第一添加元素,含有选自锗、镍、锰以及铝中1种以上做为第二添加元素,第一添加元素之锡的含量相对于铟与锡之合计量为2-15原子%,第二添加元素的含量合计相对于铟与锡与第二添加元素之合计量为0.1-2原子%。

5. 发明专利

TWI320431B 濺鍍靶用氧化鉻粉末及濺鍍靶有权
简体标题：溅镀靶用氧化铬粉末及溅镀靶
公开(公告)号：TWI320431B
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：TW095111751
申请日：2006-04-03
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：高見英生 , 矢作政隆
IPC分类号： C23C , C01G , C04B
CPC分类号： C23C14/3414 , C01G37/033 , C01P2004/61 , C01P2006/80 , C04B35/12 , C04B35/62645 , C04B35/645 , C04B2235/3251 , C04B2235/446 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/77
摘要：一種濺鍍靶用氧化鉻粉末，其特徵在於，係硫為100wtppm以下之氧化鉻所構成。一種含氧化鉻或氧化鉻5莫耳%以上之濺鍍靶，其特徵在於，該濺鍍靶中之硫含量為100wtppm以下，且不計水分、碳、氮、硫之氣體成分之純度為99.95%以上。而提供一種濺鍍靶用氧化鉻粉末，該氧化鉻本身之純度高，且製造濺鍍靶時可提昇燒結密度，並且，使用該氧化鉻粉末製造濺鍍靶時，可提供一種結晶粒微細化、不會產生裂痕、均勻且緻密之濺鍍靶。【創作特點】本發明係提供一種濺鍍靶用氧化鉻粉末，該氧化鉻本身之純度高，且製造濺鍍靶時可提昇燒結密度，並且，使用該氧化鉻粉末製造濺鍍靶時，可提供一種結晶粒微細化、不會產生裂痕、且可抑制因雜質所引起之顆粒或突粒的產生及異常放電、均勻且緻密之濺鍍靶。
為了解決上述課題，本發明人等努力研究的結果，瞭解提昇氧化鉻粉本身的純度極為重要，並發現藉由將靶密度、結晶粒徑、相對密度調整為最佳條件，可提昇成膜特性。
本發明，基於上述發現，而提供：1)一種濺鍍靶用氧化鉻粉末，其特徵在於，硫為100wtppm以下，且不計水分、碳、氮、硫之氣體成分的純度為99.95%以上。
2)如上述1)所記載之濺鍍靶用氧化鉻粉末，其中，硫為30wtppm以下。
3)如上述1)、或2)所記載之濺鍍靶用氧化鉻粉末，其中，碳含量為200wtppm以下。
4)如上述1)~3)中任一項所記載之濺鍍靶用氧化鉻粉末，其中，不計水分、碳、氮、硫之氣體成分的純度為99.95%以上。
5)如上述1)~4)中任一項所記載之濺鍍靶用氧化鉻粉末，其於惰性環境氣氛下，以1000℃高溫加熱2小時之重量減少量為0.7%以下。
本發明，亦提供：6)一種濺鍍靶，係含氧化鉻或含氧化鉻5莫耳%以上，其特徵在於，該濺鍍靶中之硫含量為100wtppm以下，且不計水分、碳、氮、硫之氣體成分之純度為99.95%以上。
7)如上述6)所記載之濺鍍靶，其中，硫含量為30wtppm以下。
8)如上述6)、或7)所記載之濺鍍靶，其中，碳含量為200wtppm以下。
9)如上述6)~8)任一項中所記載之濺鍍靶，其中，雜質之Na、Fe、Pb之總量為300wtppm以下。
10)如上述6)~9)任一項中所記載之濺鍍靶，其中，含有20莫耳%以上之氧化鉻。
11)如上述10)所記載之濺鍍靶，其中，含有50莫耳%以上之氧化鉻。
12)如上述6)~11)任一項中所記載之濺鍍靶，其平均結晶粒徑為100μm以下、相對密度為90%以上。
本發明，藉由提高該氧化鉻本身的純度、特別是極力減少硫、與碳，於製造濺鍍靶時，具有可防止破裂、提昇燒結密度、抑制空孔的優異效果。再者，本發明，係提供可適用於其之濺鍍靶用氧化鉻粉末，其具有下述顯著效果：於製造濺鍍靶時，可使晶粒更細化，而可抑制因雜質所引起之顆粒或突粒的產生及異常放電，而提供一種均勻且緻密之濺鍍靶。
简体摘要：一种溅镀靶用氧化铬粉末，其特征在于，系硫为100wtppm以下之氧化铬所构成。一种含氧化铬或氧化铬5莫耳%以上之溅镀靶，其特征在于，该溅镀靶中之硫含量为100wtppm以下，且不计水分、碳、氮、硫之气体成分之纯度为99.95%以上。而提供一种溅镀靶用氧化铬粉末，该氧化铬本身之纯度高，且制造溅镀靶时可提升烧结密度，并且，使用该氧化铬粉末制造溅镀靶时，可提供一种结晶粒微细化、不会产生裂痕、均匀且致密之溅镀靶。【创作特点】本发明系提供一种溅镀靶用氧化铬粉末，该氧化铬本身之纯度高，且制造溅镀靶时可提升烧结密度，并且，使用该氧化铬粉末制造溅镀靶时，可提供一种结晶粒微细化、不会产生裂痕、且可抑制因杂质所引起之颗粒或突粒的产生及异常放电、均匀且致密之溅镀靶。为了解决上述课题，本发明人等努力研究的结果，了解提升氧化铬粉本身的纯度极为重要，并发现借由将靶密度、结晶粒径、相对密度调整为最佳条件，可提升成膜特性。本发明，基于上述发现，而提供：1)一种溅镀靶用氧化铬粉末，其特征在于，硫为100wtppm以下，且不计水分、碳、氮、硫之气体成分的纯度为99.95%以上。 2)如上述1)所记载之溅镀靶用氧化铬粉末，其中，硫为30wtppm以下。 3)如上述1)、或2)所记载之溅镀靶用氧化铬粉末，其中，碳含量为200wtppm以下。 4)如上述1)~3)中任一项所记载之溅镀靶用氧化铬粉末，其中，不计水分、碳、氮、硫之气体成分的纯度为99.95%以上。 5)如上述1)~4)中任一项所记载之溅镀靶用氧化铬粉末，其于惰性环境气氛下，以1000℃高温加热2小时之重量减少量为0.7%以下。本发明，亦提供：6)一种溅镀靶，系含氧化铬或含氧化铬5莫耳%以上，其特征在于，该溅镀靶中之硫含量为100wtppm以下，且不计水分、碳、氮、硫之气体成分之纯度为99.95%以上。 7)如上述6)所记载之溅镀靶，其中，硫含量为30wtppm以下。 8)如上述6)、或7)所记载之溅镀靶，其中，碳含量为200wtppm以下。 9)如上述6)~8)任一项中所记载之溅镀靶，其中，杂质之Na、Fe、Pb之总量为300wtppm以下。 10)如上述6)~9)任一项中所记载之溅镀靶，其中，含有20莫耳%以上之氧化铬。 11)如上述10)所记载之溅镀靶，其中，含有50莫耳%以上之氧化铬。 12)如上述6)~11)任一项中所记载之溅镀靶，其平均结晶粒径为100μm以下、相对密度为90%以上。本发明，借由提高该氧化铬本身的纯度、特别是极力减少硫、与碳，于制造溅镀靶时，具有可防止破裂、提升烧结密度、抑制空孔的优异效果。再者，本发明，系提供可适用于其之溅镀靶用氧化铬粉末，其具有下述显着效果：于制造溅镀靶时，可使晶粒更细化，而可抑制因杂质所引起之颗粒或突粒的产生及异常放电，而提供一种均匀且致密之溅镀靶。

6. 发明专利

TW201000661A 濺鍍靶及非晶質性光學薄膜审中-公开
简体标题：溅镀靶及非晶质性光学薄膜
公开(公告)号：TW201000661A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098118158
申请日：2009-06-02
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：高見英生 , 矢作政隆
IPC分类号： C23C , C01G , G11B
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C23C14/086
摘要：一種光學薄膜形成用濺鍍靶，其特徵在於：由銦、錫、鋅及鎂這4種元素的氧化物所構成，具有(In2O3)(ZnO)m(其中，1≦m≦10)與(In2O3)(MgO)n(其中，1≦n≦2)的化合物相，相對於總量，錫的含有量以SnO2來換算為5～30mol％，鎂的含有量以MgO來換算為3～25mol％。本發明之課題在於：(1)提供一種用以形成光學薄膜的濺鍍靶，係改良由In2O3-ZnO-SnO2系複合氧化物所構成之濺鍍靶者，其濺鍍膜於靠近400nm的藍光雷射區域的消光係數獲得改善，並且非晶質性安定；以及(2)提供一種使用該濺鍍靶於基板上成膜之非晶質性光學薄膜。
简体摘要：一种光学薄膜形成用溅镀靶，其特征在于：由铟、锡、锌及镁这4种元素的氧化物所构成，具有(In2O3)(ZnO)m(其中，1≦m≦10)与(In2O3)(MgO)n(其中，1≦n≦2)的化合物相，相对于总量，锡的含有量以SnO2来换算为5～30mol％，镁的含有量以MgO来换算为3～25mol％。本发明之课题在于：(1)提供一种用以形成光学薄膜的溅镀靶，系改良由In2O3-ZnO-SnO2系复合氧化物所构成之溅镀靶者，其溅镀膜于靠近400nm的蓝光激光区域的消光系数获得改善，并且非晶质性安定；以及(2)提供一种使用该溅镀靶于基板上成膜之非晶质性光学薄膜。

7. 发明专利

TW200940214A 燒結體靶及燒結體之製造方法审中-公开
简体标题：烧结体靶及烧结体之制造方法
公开(公告)号：TW200940214A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097148895
申请日：2008-12-16
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：福世秀秋 , 矢作政隆 , 山越康廣 , 高橋秀行
IPC分类号： B22F , C23C
CPC分类号： B22F3/1103 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2998/10 , C22C1/04 , C22C12/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , G11B7/2433 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322
摘要：一種燒結體靶，含有下述(A)之元素與(B)之元素，其特徵在於，於燒結體靶內不存在平均直徑在1μm以上之孔隙，該靶表面之40000μm 2 內所存在之平均直徑未達1μm的微孔在100個以下。(A)：選自S、Se、Te之硫屬化物元素之一種以上。(B)：選自Bi、Sb、As、P、N之Vb族元素之一種以上。提供一種使濺鍍中之靶之脫粒、結球之發生源消失，並且抑制粒子發生之技術。
简体摘要：一种烧结体靶，含有下述(A)之元素与(B)之元素，其特征在于，于烧结体靶内不存在平均直径在1μm以上之孔隙，该靶表面之40000μm 2 内所存在之平均直径未达1μm的微孔在100个以下。(A)：选自S、Se、Te之硫属化物元素之一种以上。(B)：选自Bi、Sb、As、P、N之Vb族元素之一种以上。提供一种使溅镀中之靶之脱粒、结球之发生源消失，并且抑制粒子发生之技术。

8. 发明专利

TW201035347A Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物燒結體濺鍍靶、Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物薄膜及該薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物烧结体溅镀靶、Ｔｉ－Ｎｂ系氧化物薄膜及该薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201035347A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099109053
申请日：2010-03-26
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：高見英生 , 矢作政隆
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B35/62222 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/5436 , G11B7/24062 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715
摘要： Ti-Nb系氧化物燒結體濺鍍靶，其特徵在於：由鈦(Ti)、鈮(Nb)、剩餘部分為氧及不可避免之雜質所構成，Ti與Nb之原子比為0.39≦(Nb／(Ti+Nb))≦0.79。主要課題在於：得到具有高折射率且低消光係數之Ti-Nb系氧化物燒結體濺鍍靶、以及使用該靶獲得Ti-Nb系氧化物薄膜，並且可高速成膜。該薄膜之透射率優異，反射率之降低以及變動較少，適用作為使用於光資訊記錄媒體之干涉膜、保護膜或光記錄媒體之構成層之一部分的薄膜，並且適用於玻璃基板，即亦可使用作為熱線反射膜、抗反射膜、干涉濾光器。
简体摘要： Ti-Nb系氧化物烧结体溅镀靶，其特征在于：由钛(Ti)、铌(Nb)、剩余部分为氧及不可避免之杂质所构成，Ti与Nb之原子比为0.39≦(Nb／(Ti+Nb))≦0.79。主要课题在于：得到具有高折射率且低消光系数之Ti-Nb系氧化物烧结体溅镀靶、以及使用该靶获得Ti-Nb系氧化物薄膜，并且可高速成膜。该薄膜之透射率优异，反射率之降低以及变动较少，适用作为使用于光信息记录媒体之干涉膜、保护膜或光记录媒体之构成层之一部分的薄膜，并且适用于玻璃基板，即亦可使用作为热线反射膜、抗反射膜、干涉滤光器。

9. 发明专利

TWI319438B 濺鍍靶及光資訊記錄媒體用薄膜有权
简体标题：溅镀靶及光信息记录媒体用薄膜
公开(公告)号：TWI319438B
公开(公告)日：2010-01-11
申请号：TW095113340
申请日：2006-04-14
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：高見英生 , 矢作政隆
IPC分类号： C23C , G11B
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/547 , C04B35/62685 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/446 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9646 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , Y02T50/67
摘要：本發明關於一種濺鍍靶，其特徵在於，係以硫化鋅與氧化銦、氧化鋅及其他3價正電性元素A所構成之氧化物為主要成分，且硫相對構成成分總量之比例為5~30wt%，以XRD測定之立方晶系ZnS之(111)峰值強度I1與六方晶系ZnS之(100)峰值強度I2混合存在，且滿足I1>I2之條件。
本發明之目的在於，欲得到一種在製造靶時或濺鍍成膜時可防止靶龜裂之高強度濺鍍靶及其製造方法，特別是極適合作為保護膜使用之光資訊記錄媒體用薄膜及其製造方法。【創作特點】本發明之目的在於，欲得到一種在製造靶時或濺鍍成膜時可防止靶龜裂之高強度濺鍍靶及其製造方法、以及一種特別適合作為保護膜使用之光資訊記錄媒體用薄膜及其製造方法。
為了解決上述課題，本發明人等經努力研究的結果得知，採用以ZnS等之硫屬化鋅與ZnO為主成分之複合化合物，藉由ZnS與氧化物之反應以控制較一般純ZnS於更低溫所產生之ZnS結晶相的差排，以防止靶之龜裂並提高密度，藉此，不會損及作為保護膜之特性，並且可減低濺鍍時所產生之粒子及突粒、及提升膜厚均勻性。
本發明基於上述發現，而提供：1)一種濺鍍靶，其特徵在於，係以硫化鋅與氧化銦、氧化鋅及其他3價正電性元素A所構成之氧化物為主要成分，且硫相對構成成分總量之比例為5~30wt%，以XRD測定之立方晶系ZnS之(111)峰值強度I1與六方晶系ZnS之(100)峰值強度I2混合存在，且滿足I1>I2之條件。
2)如上述1)所記載之濺鍍靶，其立方晶ZnS之(111)峰值之半值寬的平均值為0.25以下，半值寬的標準偏差為0.06以下。
3)如上述1)或2)所記載之濺鍍靶，其中，該3價之正電性元素A，係選自鋁、鎵、釔、鑭之1成分以上的材料。
4)如上述1)~3)中任一項所記載之濺鍍靶，其中，硫化物相之平均晶粒粒徑較氧化物相之平均晶粒粒徑大，且為10μm以下。
5)如上述1)~4)中任一項所記載之濺鍍靶，其相對密度為85%以上、3點彎曲強度(JIS R 1601)之強度平均值為50MPa以上，魏普係數(Weibull coefficient)為5以上。
6)一種光資訊記錄媒體用薄膜，其特徵在於，係使用上述1)~5)中任一項所記載之濺鍍靶所形成。
本發明，以硫化鋅與氧化銦、氧化鋅及其他3價正電性元素A所構成之氧化物為主要成分，藉由謀求非晶質性之安定化、提升與光資訊記錄媒體之記錄層材的密合性，以提升特性，並藉由使相對密度為85%以上之高密度化而能安定地進行DC濺鍍。
又，藉由調整組成比而可進行DC濺鍍，具有能提升成膜速度、提升濺鍍效率之顯著效果。並且藉此，可減低成膜之際濺鍍時所產生之粒子(微塵)及突粒、能減小品質之不穩定性而提升量產性，具有能以低成本安定製造具光碟保護膜之光記錄媒體的顯著效果。
並且，靶內之硫化物相的平均晶粒粒徑在10μm以下，且以硫化鋅與氧化銦、氧化鋅及其他3價正電性元素A所構成之氧化物為主要成分，並將該等均勻分散，藉由具備該組織，可使濺鍍安定而均勻成膜，具有可形成特性優異之光資訊記錄媒體用薄膜(保護膜)之效果。
简体摘要：本发明关于一种溅镀靶，其特征在于，系以硫化锌与氧化铟、氧化锌及其他3价正电性元素A所构成之氧化物为主要成分，且硫相对构成成分总量之比例为5~30wt%，以XRD测定之立方晶系ZnS之(111)峰值强度I1与六方晶系ZnS之(100)峰值强度I2混合存在，且满足I1>I2之条件。本发明之目的在于，欲得到一种在制造靶时或溅镀成膜时可防止靶龟裂之高强度溅镀靶及其制造方法，特别是极适合作为保护膜使用之光信息记录媒体用薄膜及其制造方法。【创作特点】本发明之目的在于，欲得到一种在制造靶时或溅镀成膜时可防止靶龟裂之高强度溅镀靶及其制造方法、以及一种特别适合作为保护膜使用之光信息记录媒体用薄膜及其制造方法。为了解决上述课题，本发明人等经努力研究的结果得知，采用以ZnS等之硫属化锌与ZnO为主成分之复合化合物，借由ZnS与氧化物之反应以控制较一般纯ZnS于更低温所产生之ZnS结晶相的差排，以防止靶之龟裂并提高密度，借此，不会损及作为保护膜之特性，并且可减低溅镀时所产生之粒子及突粒、及提升膜厚均匀性。本发明基于上述发现，而提供：1)一种溅镀靶，其特征在于，系以硫化锌与氧化铟、氧化锌及其他3价正电性元素A所构成之氧化物为主要成分，且硫相对构成成分总量之比例为5~30wt%，以XRD测定之立方晶系ZnS之(111)峰值强度I1与六方晶系ZnS之(100)峰值强度I2混合存在，且满足I1>I2之条件。 2)如上述1)所记载之溅镀靶，其立方晶ZnS之(111)峰值之半值宽的平均值为0.25以下，半值宽的标准偏差为0.06以下。 3)如上述1)或2)所记载之溅镀靶，其中，该3价之正电性元素A，系选自铝、镓、钇、镧之1成分以上的材料。 4)如上述1)~3)中任一项所记载之溅镀靶，其中，硫化物相之平均晶粒粒径较氧化物相之平均晶粒粒径大，且为10μm以下。 5)如上述1)~4)中任一项所记载之溅镀靶，其相对密度为85%以上、3点弯曲强度(JIS R 1601)之强度平均值为50MPa以上，魏普系数(Weibull coefficient)为5以上。 6)一种光信息记录媒体用薄膜，其特征在于，系使用上述1)~5)中任一项所记载之溅镀靶所形成。本发明，以硫化锌与氧化铟、氧化锌及其他3价正电性元素A所构成之氧化物为主要成分，借由谋求非晶质性之安定化、提升与光信息记录媒体之记录层材的密合性，以提升特性，并借由使相对密度为85%以上之高密度化而能安定地进行DC溅镀。又，借由调整组成比而可进行DC溅镀，具有能提升成膜速度、提升溅镀效率之显着效果。并且借此，可减低成膜之际溅镀时所产生之粒子(微尘)及突粒、能减小品质之不稳定性而提升量产性，具有能以低成本安定制造具光盘保护膜之光记录媒体的显着效果。并且，靶内之硫化物相的平均晶粒粒径在10μm以下，且以硫化锌与氧化铟、氧化锌及其他3价正电性元素A所构成之氧化物为主要成分，并将该等均匀分散，借由具备该组织，可使溅镀安定而均匀成膜，具有可形成特性优异之光信息记录媒体用薄膜(保护膜)之效果。

10. 发明专利

TW200940726A 以氧化鈦為主成分之薄膜、適合製造以氧化鈦為主成分之薄膜的燒結體濺鍍靶及以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法审中-公开
简体标题：以氧化钛为主成分之薄膜、适合制造以氧化钛为主成分之薄膜的烧结体溅镀靶及以氧化钛为主成分之薄膜的制造方法
公开(公告)号：TW200940726A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097148897
申请日：2008-12-16
申请人：日鑛金屬股份有限公司
发明人：高見英生 , 矢作政隆
IPC分类号： C23C , C01G , G11B
CPC分类号： G11B7/2548 , B22F2998/00 , C04B35/46 , C04B35/645 , C04B2235/408 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/9646 , C23C14/083 , C23C14/34 , C23C14/3414 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25408 , H01J37/3429 , C22C29/12
摘要：一種以氧化鈦為主成分之薄膜，其特徵在於，由Ti、Ag、O之成分所構成，Ti在29.6at％以上、34.0at％以下，Ag在0.003at％以上、7.4at％以下，剩餘部分由氧所構成，氧與金屬之比之O／(2Ti＋0.5Ag)在0.97以上。其目的在於得到一種高折射率且具有低消光係數之以氧化鈦為主成分之薄膜、適合製造該薄膜之以氧化鈦為主成分之燒結體濺鍍靶及以氧化鈦為主成分之薄膜的製造方法。同時，其課題在於得到一種透射率優異，反射率之降低小，適用作為光資訊記錄媒體之干涉膜或保護膜的薄膜。又，亦可適用於玻璃基板，亦即亦可使用作為熱線反射膜、抗反射膜、干涉濾光器。
简体摘要：一种以氧化钛为主成分之薄膜，其特征在于，由Ti、Ag、O之成分所构成，Ti在29.6at％以上、34.0at％以下，Ag在0.003at％以上、7.4at％以下，剩余部分由氧所构成，氧与金属之比之O／(2Ti＋0.5Ag)在0.97以上。其目的在于得到一种高折射率且具有低消光系数之以氧化钛为主成分之薄膜、适合制造该薄膜之以氧化钛为主成分之烧结体溅镀靶及以氧化钛为主成分之薄膜的制造方法。同时，其课题在于得到一种透射率优异，反射率之降低小，适用作为光信息记录媒体之干涉膜或保护膜的薄膜。又，亦可适用于玻璃基板，亦即亦可使用作为热线反射膜、抗反射膜、干涉滤光器。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式