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1. 发明申请

WO2008047536A1 磁気メモリセルおよび磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁记忆体和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2008047536A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/068522
申请日：2007-09-25
申请人：日本電気株式会社 , 本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
发明人：本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：磁気メモリセル１は強磁性層である磁気記録層１０と非磁性層２０を介して磁気記録層１０に接続されたピン層３０とを備える。磁気記録層１０は磁化反転領域１３と第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２を有する。磁化反転領域１３は反転可能な磁化を有し、ピン層３０と重なる。第１磁化固定領域１１は、磁化反転領域１３の第１境界Ｂ１に接続され、その磁化の向きは第１方向に固定される。第２磁化固定領域１２は、磁化反転領域１３の第２境界Ｂ２に接続され、その磁化の向きは第２方向に固定される。第１方向と第２方向は互いに逆方向を向いている。
摘要翻译：公开了一种包括由铁磁层组成的磁记录层（10）和通过非磁性层（20）连接到磁记录层（10）的引脚层（30）的磁存储单元（1）。磁记录层（10）具有磁化反转区域（13），第一磁化固定区域（11）和第二磁化固定区域（12）。磁化反转区域（13）具有可逆磁化并与引脚层（30）重叠。第一磁化固定区域（11）连接到磁化反转区域（13）的第一边界（B1），并且其磁化沿第一方向固定。第二磁化固定区域（12）连接到磁化反转区域（13）的第二边界（B2），并且其磁化固定在第二方向上。第一方向和第二方向彼此相反。

2. 发明申请

WO2007020823A1 磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、及び磁気ランダムアクセスメモリへのデータ読み書き方法审中-公开
标题翻译：磁性存储器单元，磁性随机存取存储器及其在磁性随机存取存储器中读/写数据的方法
公开(公告)号：WO2007020823A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/JP2006/315528
申请日：2006-08-04
申请人：日本電気株式会社 , 沼田秀昭 , 大嶋則和 , 鈴木哲広 , 杉林直彦 , 石綿延行 , 深見俊輔
发明人：沼田秀昭 , 大嶋則和 , 鈴木哲広 , 杉林直彦 , 石綿延行 , 深見俊輔
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L27/228
摘要：　本発明は、トンネルバリヤ層の劣化を抑制することができる新たなＭＲＡＭのデータ書き込み方式を提供する。磁気メモリセル１は、磁気記録層１０と、非磁性層２０を介して磁気記録層１０に接続されたピン層３０とを備える。磁気記録層１０は、磁化反転領域１３と、第１磁化固定領域１１と、第２磁化固定領域１２を有する。磁化反転領域１３は、反転可能な磁化を有し、ピン層３０と対向する。第１磁化固定領域１１は、磁化反転領域１３の第１境界Ｂ１に接続され、その磁化の向きは第１方向に固定される。第２磁化固定領域１２は、磁化反転領域１３の第２境界Ｂ２に接続され、その磁化の向きは第２方向に固定される。第１方向及び第２方向は共に、磁化反転領域１３へ向かう方向、又は、磁化反転領域１３から離れる方向である。
摘要翻译：提供了一种用于MRAM的新型数据写入方法，由此可以抑制隧道势垒层的劣化。磁存储单元（1）设置有磁记录层（10）和通过非磁性层（20）连接到磁记录层（10）的销层（30）。磁记录层（10）具有磁化切换区域（13），第一磁化固定区域（11）和第二磁化固定区域（12）。磁化开关区域（13）设置有可切换磁化并且面向销层（30）。第一磁化固定区域（11）连接到磁化切换区域（13）的第一边界（B1），并且磁化方向固定在第一方向上。第二磁化固定区域（12）连接到磁化切换区域（13）的第二边界（B2），并且磁化方向在第二方向固定。第一方向和第二方向都是朝向磁化切换区域（13）的方向或离开磁化切换区域（13）的方向。

3. 发明申请

WO2003092076A1 磁気メモリ、及びその動作方法审中-公开
标题翻译：磁记忆及其操作方法
公开(公告)号：WO2003092076A1
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/JP2003/005030
申请日：2003-04-21
申请人：日本電気株式会社 , 三浦貞彦 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 辻清孝
发明人：三浦貞彦 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 辻清孝
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/16
摘要：　本発明は、磁気トンネル接合のトンネル絶縁膜の欠陥を可能な限り排除し、磁気トンネル接合をメモリセルに使用するＭＲＡＭの不良ビットの発生を抑制するための技術を提供する。　本発明による磁気メモリは、基板と、基板の上面側を被覆する層間絶縁膜と、メモリセルと、層間絶縁膜を貫通するプラグとを備えている。メモリセルは、層間絶縁膜の上面側に形成された第１磁性体層と、第１磁性体層の上に形成されたトンネル絶縁層と、トンネル絶縁層の上に形成された第２磁性体層とを含む。プラグは、第１磁性体層に、電気的に接続されている。トンネル絶縁層のうち第１磁性体層と第２磁性体層との間に位置するトンネル電流通過部分のうちの少なくとも一部は、基板の表面に垂直な垂直方向においてプラグにオーバーラップしないように配置されている。
摘要翻译：尽可能地消除磁隧道结的隧道绝缘膜中的缺陷并利用存储器中的磁性隧道结抑制MRAM中的有缺陷位的产生的技术。磁存储器包括基板，覆盖基板的上表面侧的层间绝缘膜，存储单元和穿透层间绝缘膜的插塞。存储单元包括形成在层间绝缘膜的上表面侧上的第一磁性层，形成在第一磁性层上的隧道绝缘层和形成在隧道绝缘层上的第二磁性层。插头与第一磁性层电连接。位于第一和第二磁性层之间的隧道绝缘层的隧道电流通过部分被布置成至少部分地不与垂直于衬底的表面的方向上的插塞重叠。

4. 发明申请

WO2008102650A1 半導体記憶装置审中-公开
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：WO2008102650A1
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/JP2008/052059
申请日：2008-02-07
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
发明人：崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要：　半導体記憶装置が、複数のメモリセルを備えるメモリアレイを具備する。複数のメモリセルは、偶数行及び奇数行のいずれか一方に沿って配置された第１メモリセル及び第３メモリセルと、他方に沿って配置された第２メモリセルとを備える。複数のメモリセルの各々は、第１拡散層と第２拡散層とを含む第１トランジスタと、第３拡散層と第４拡散層とを含む第２トランジスタと、第２拡散層と第３拡散層とを電気的に接続する配線層に一方の端子を接続された磁気抵抗素子とを含む。第１メモリセルの第４拡散層は、第２メモリセルの第１拡散層としても使用される。加えて、第２メモリセルの第４拡散層は、第３メモリセルの第１拡散層としても使用される。
摘要翻译：半导体存储装置设置有具有多个存储单元的存储器阵列。存储单元包括沿着偶数行或奇数行排列的第一存储单元和第三存储单元，以及沿着另一行布置的第二存储单元。每个存储单元包括第一晶体管，包括第一扩散层和第二扩散层; 第二晶体管，包括第三扩散层和第四扩散层; 以及磁阻元件，其具有与布线层连接的一个端子，其将第二扩散层和第三扩散层电连接。第一存储单元的第四扩散层也用作第二存储单元的第一扩散层。此外，第二存储单元的第四扩散层也用作第三存储单元的第一扩散层。

5. 发明申请

WO2006022367A1 磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性器件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2006022367A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/015516
申请日：2005-08-26
申请人：日本電気株式会社 , 杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇
发明人：杉林直彦 , 本田雄士 , 崎村昇
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01L27/105
CPC分类号： G11C11/15 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要：　磁気抵抗素子は、自由層と、固定層と、前記自由層と前記固定層との間に介設された非磁性層とを具備している。前記自由層は、第１磁性層と、第２磁性層と、第３磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に介設された第１非磁性層と、前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に介設された第２非磁性層とを備えている。前記第１磁性層と前記第２磁性層と前記第３磁性層とは、自発磁化がヘリカル構造となるように結合している。
摘要翻译：公开了一种磁阻装置，其包括自由层，固定层和介于自由层和固定层之间的非磁性层。自由层包括第一磁性层，第二磁性层，第三磁性层，介于第一磁性层和第二磁性层之间的第一非磁性层，和介于第二磁性层和第三磁性层之间的第二非磁性层层。第一磁性层，第二磁性层和第三磁性层被耦合，使得自发磁化具有螺旋结构。

6. 发明申请

WO2005086170A1 トグル型磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：刀具类型磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2005086170A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/JP2005/003482
申请日：2005-03-02
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 本田雄士
发明人：崎村昇 , 杉林直彦 , 本田雄士
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/16
摘要：　ＭＲＡＭは、第１配線（２３）と第２配線（２１＋２１ｒ）とメモリセル（１４＋１４ｒ）と第２センスアンプ（３）と第１センスアンプ（２）とを備える。第１及び第２配線（２３、２１＋２１ｒ）は、第１及び第２方向（Ｘ、Ｙに延伸する。メモリセル（１４＋１４ｒ）は、第１配線（２３）と第２配線（２１＋２１ｒ）とが交差する位置に対応して設けられる。第２センスアンプ（３）は、参照配線（２１ｒ）に対応して設けられた参照セル（１４ｒ）からの出力に基づいて、参照セル（１４ｒ）の状態を検出する。第１センスアンプ（２）は、メモリセル（１４）及び参照セル（１４ｒ）からの出力に基づいて、当該メモリセル（１４）の状態を検出する。メモリセル（１４＋１４ｒ）は、積層フリー層を有する磁気抵抗素子含む。磁気抵抗素子は、磁化容易軸方向が第１及び第２の方向（Ｘ、Ｙ）とは異なる。
摘要翻译： MRAM包括第一布线（23），第二布线（21 + 21r），存储单元（14 + 14r），第二读出放大器（3）和第一读出放大器（2）。第一布线和第二布线（23,21 + 21r）沿第一和第二方向（X，Y）延伸。存储单元（14 + 14r）被布置在与第一布线（23）和第二布线（21 + 21r）之间的交点的位置相对应的位置处。第二放大器（3）根据与基准配线（21r）对应配置的参考单元（14r）的输出来检测参考单元（14r）的状态。第一读出放大器（2）根据存储单元（14）和参考单元（14r）的输出来检测存储单元（14）的状态。存储单元（14 + 14r）包括具有积层自由层的磁阻元件。磁阻元件具有不同于第一和第二方向（X，Y）的磁化强度方向。

7. 发明申请

WO2009078242A1 不揮発性ラッチ回路及びそれを用いた論理回路审中-公开
标题翻译：非挥发性锁存电路和逻辑电路
公开(公告)号：WO2009078242A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/070986
申请日：2008-11-19
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 根橋竜介
发明人：崎村昇 , 杉林直彦 , 根橋竜介
IPC分类号： H03K3/037 , G11C11/15 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03K3/356 , H03K3/59 , H03K19/096
CPC分类号： G11C11/18 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , H01L27/226 , H01L43/08 , H03K3/45
摘要：不揮発性ラッチ回路は、ラッチ回路１１と、第１磁気抵抗素子１３－１及び第２磁気抵抗素子１３－２と、電流供給部１２とを具備する。ラッチ回路１１は、データを一時的に保持する。第１磁気抵抗素子１３－１及び第２磁気抵抗素子１３－２は、絶縁膜を挟んで積層される第１磁性層と第２磁性層とを含む。電流供給部１２は、ラッチ回路１１の状態に応じて、第１磁気抵抗素子１３－１及び第２磁気抵抗素子１３－２の磁化状態を相補に変化させる。第１磁気抵抗素子１３－１の第１磁性層と第２磁気抵抗素子１３－２の第１磁性層とは直列接続されている。ラッチ回路１１は、磁化状態に対応するデータを、ラッチ回路１１が保持するデータとする機能を有する。
摘要翻译：非易失性锁存电路包括锁存电路（11），第一和第二磁阻元件（13-1,13-2）和电流供应部分（12）。锁存电路（11）临时保存数据。第一和第二磁阻元件（13-1,13-2）各自包括在其间堆叠有绝缘膜的第一和第二磁性层。电流供给部（12）根据锁存电路（11）的状态，互补地改变第一和第二磁阻元件（13-1,13-2）的磁化状态。相应的第一和第二磁阻元件（13-1,13-2）的第一磁性层被串联连接。锁存电路（11）具有锁存电路（11）保持对应于磁化状态的数据的功能。

8. 发明申请

WO2009072511A1 不揮発性ラッチ回路审中-公开
标题翻译：非挥发性电路
公开(公告)号：WO2009072511A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：PCT/JP2008/071940
申请日：2008-12-03
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 根橋竜介
发明人：崎村昇 , 杉林直彦 , 根橋竜介
IPC分类号： G11C11/15 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03K3/59 , H03K3/356
CPC分类号： H03K3/45 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/18 , G11C14/0081 , H01L27/11 , H01L27/222 , H01L43/08 , H03K3/356008 , Y10S977/933 , Y10S977/935
摘要：　不揮発性ラッチ回路が、１ビットのデータを保持するようにクロスカップルされた第１及び第２インバータと、それぞれが、第１乃至第３端子を有する第１及び第２磁気抵抗素子と、該１ビットのデータに応答して、第１及び第２磁気抵抗素子の磁化状態を変化させる磁化反転電流を供給するように構成された電流供給回路部とを具備する。第１インバータの電源端子は第１磁気抵抗素子の第１端子に接続され、第２インバータの電源端子は第２磁気抵抗素子の第１端子に接続されている。電流供給回路部は、第１及び第２磁気抵抗素子の第２端子に磁化反転電流を供給するように構成されている。第１の磁気抵抗素子の第３端子と、第２磁気抵抗素子の第３端子が電気的に接続されている。
摘要翻译：非易失性锁存电路包括以交叉耦合配置连接以便保持一位数据的第一和第二反相器，每个具有第一至第三端子的第一和第二磁阻元件以及被配置为提供响应于一位数据，用于反转第一和第二磁阻元件的磁化状态的磁化反转电流。第一反相器的电源端子连接到第一磁阻元件的第一端子; 第二反相器的电源端子连接到第二磁阻元件的第一端子。电流供给电路部分被配置为向第一和第二磁阻元件的第二端子提供磁化反转电流。第一和第二磁阻元件的第三端子彼此电连接。

9. 发明申请

WO2009060783A1 ＭＲＡＭの読み出し方法审中-公开
标题翻译： MRAM阅读方法
公开(公告)号：WO2009060783A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/JP2008/069770
申请日：2008-10-30
申请人：日本電気株式会社 , 根橋竜介 , 崎村昇 , 杉林直彦
发明人：根橋竜介 , 崎村昇 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1657 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673
摘要：　磁気ランダムアクセスメモリが、第１方向に延伸して設けられる第１及び第２ビット線と、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子を備える記憶ブロックと、読み出し回路とを具備する。読み出し回路は、第１ビット線に電気的に接続される第１端子と、第２ビット線に電気的に接続される第２端子とを有する。第２端子は、読み出し動作時に定常電流が流れ込まないような高インピーダンスを有する。読み出し回路は、読み出し動作時、第１端子から第１ビット線に読み出し電流を供給する。記憶ブロックは、読み出し動作時、読み出し電流を第１ビット線から磁気抵抗素子に流し、且つ、磁気抵抗素子を第２ビット線に接続するように構成されている。読み出し回路は、第２ビット線を介して第２端子に入力される電圧に応じて読み出し電流を制御する。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括沿第一方向延伸的第一和第二位线，具有用于存储数据的至少一个磁阻元件的存储块和读取电路。该读取电路包括与第一位线电连接的第一端子和与第二位线电连接的第二端子。第二端子具有如此高的阻抗，在读取操作时间没有稳定的电流流动。读取电路在读取操作时间将读取电流从第一端子馈送到第二端子。存储器块被构造为在读取操作时间将读取的电流从第一位线馈送到磁阻元件，并将具有第二位线的磁阻元件。读取电路根据要经由第二位线输入到第二端子的电压来控制读取电流。

10. 发明申请

WO2007142138A1 ２T２MTJセルを用いたMRAM 审中-公开
标题翻译： MRAM使用2T2MTJ细胞
公开(公告)号：WO2007142138A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/JP2007/061189
申请日：2007-06-01
申请人：日本電気株式会社 , 崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
发明人：崎村昇 , 本田雄士 , 杉林直彦
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要：　本発明による磁気ランダムアクセスメモリは、第１方向へ延在する複数の第１配線及び複数の第２配線と、第２方向へ延在する複数の第３配線及び複数の第４配線と、前記複数の第１配線と前記複数の第３配線との交点の各々に対応して設けられた複数のメモリセルとを具備する。前記複数のメモリセルの各々は、前記第１配線と前記第２配線との間に直列に接続され、前記第３配線の信号で制御される第１トランジスタ及び第２トランジスタと、一端を前記第１トランジスタと前記第２トランジスタとをつなぐ書き込み配線に、他端を接地に接続された第１磁気抵抗素子と、一端を前記書き込み配線に、他端を前記第４配線に接続された第２磁気抵抗素子とを含む。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括多个第一布线和沿第一方向延伸的多个第二布线; 多个第三电线和沿第二方向延伸的多个第四电线; 以及放置在所述多个第一布线和所述多个第三布线之间的交叉点处的多个存储单元。多个存储单元各自包括串联连接在第一和第二导线之间并由第三导线的信号控制的第一和第二晶体管; 第一磁阻元件，其一端连接到将第一晶体管连接到第二晶体管并且另一端接地的写入线; 以及第二磁阻元件，其一端连接到写入线并且另一端连接到第四线。

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