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1. 发明申请

WO2011078018A1 磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁阻效应元件和使用相同的磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2011078018A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/JP2010/072494
申请日：2010-12-14
申请人：日本電気株式会社 , 杉林直彦 , 苅屋田英嗣 , 森馨 , 大嶋則和 , 深見俊輔 , 鈴木哲広 , 谷川博信 , 三浦貞彦 , 石綿延行
发明人：杉林　直彦 , 苅屋田　英嗣 , 森　馨 , 大嶋　則和 , 深見　俊輔 , 鈴木　哲広 , 谷川　博信 , 三浦　貞彦 , 石綿　延行
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/3295 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：　磁気抵抗効果素子は、磁壁移動層と、スペーサ層と、参照層とを具備している。磁壁移動層は、垂直磁気異方性を有する強磁性体で形成されている。スペーサ層は、磁壁移動層上に設けられ、非磁性体で形成されている。参照層は、スペーサ層上に設けられ、強磁性体で形成され、磁化が固定されている。磁壁移動層は、少なくとも一つの磁壁を有し、磁壁の位置に対応して情報を記憶する。磁壁移動層の異方性磁界は、磁壁移動層が垂直磁気異方性を保ち得る値より大きく、磁壁移動層の強磁性体本来の異方性磁界の値より小さい。
摘要翻译：磁阻效应元件设置有畴壁位移层，间隔层和参考层。畴壁位移层由具有垂直磁各向异性的铁磁材料形成。间隔层设置在畴壁位移层上，并由非磁性材料形成。参考层设置在间隔层上，由铁磁材料形成，并且具有固定的磁化强度。域壁位移层具有至少一个畴壁，并且存储关于畴壁的位置的信息。畴壁位移层的各向异性磁场大于其中畴壁位移层保持垂直磁各向异性的值，并且小于畴壁中使用的铁磁材料的原始各向异性磁场的值位移层。

2. 发明申请

WO2010095589A1 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁阻效应元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2010095589A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/JP2010/052189
申请日：2010-02-15
申请人：日本電気株式会社 , 石綿延行 , 大嶋則和 , 深見俊輔 , 永原聖万 , 鈴木哲広
发明人：石綿　延行 , 大嶋　則和 , 深見　俊輔 , 永原　聖万 , 鈴木　哲広
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：　磁気抵抗効果素子は、磁化自由層と、磁化自由層に隣接して設けられた非磁性挿入層と、非磁性挿入層に隣接して磁化自由層とは反対側に設けられた磁性挿入層と、磁性挿入層に隣接して非磁性挿入層とは反対側に設けられたスペーサ層と、スペーサ層に隣接して磁性挿入層とは反対側に設けられた第１の磁化固定層とを具備する。磁化自由層及び第１の磁化固定層は、膜面に略垂直方向の磁化成分を有する。磁化自由層は、二つの磁化固定部と、二つの磁化固定部の間に配置される磁壁移動部とを備える。二つの磁化固定部の磁化は、膜面に略垂直方向において互いに略反平行に固定される。磁壁移動部は、膜面垂直方向の磁気異方性を有する。
摘要翻译：公开了一种磁阻效应元件，其设置有可磁化层，邻近可磁化层设置的非磁性插入层，与可磁化层相对侧上的非磁性插入层附近设置的磁性插入层，间隔物在与非磁性插入层相对的一侧与磁性插入层相邻设置的层，以及在与磁性插入层相对的一侧与隔离层相邻设置的第一固定磁化层。可磁化层和第一固定磁化层具有大致垂直于膜表面的磁化分量。可磁化层设置有两个固定磁化部分和布置在两个固定磁化部分之间的磁畴壁位移部分。两个固定磁化部分的磁化以彼此反平行取向大致垂直于膜表面固定。磁畴壁位移部分在垂直于膜表面的方向上是磁各向异性的。

3. 发明申请

WO2010074132A1 磁気メモリ素子及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁记忆元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2010074132A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/JP2009/071410
申请日：2009-12-24
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 永原聖万 , 鈴木哲広 , 石綿延行 , 大嶋則和
发明人：深見　俊輔 , 永原　聖万 , 鈴木　哲広 , 石綿　延行 , 大嶋　則和
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , H01L27/228
摘要：　磁気メモリセルは、磁化記録層と、磁気トンネル接合部とを具備する。磁化記録層は、垂直磁気異方性を有する強磁性層である。磁気トンネル接合部は、磁化記録層の情報を読み出すためのものである。そして、磁化記録層は、複数の磁壁移動領域を有する。
摘要翻译：磁存储单元包括磁记录层和磁隧道结单元。磁记录层是具有垂直磁各向异性的铁磁层。磁性隧道结单元用于从磁记录层读出信息。磁记录层具有多个磁壁移动区域。

4. 发明申请

WO2010071174A1 磁気抵抗素子の初期化方法、及び磁気抵抗素子审中-公开
标题翻译：用于初始化磁阻元件和磁阻元件的方法
公开(公告)号：WO2010071174A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/JP2009/071042
申请日：2009-12-17
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万 , 深見俊輔 , 石綿延行
发明人：鈴木　哲広 , 大嶋　則和 , 永原　聖万 , 深見　俊輔 , 石綿　延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/3254 , H01F10/3286
摘要：　強磁性層である磁化記録層を具備し、磁化記録層が、反転可能な磁化を有する磁化反転領域と、磁化反転領域の第１境界に接続された第１磁化固定領域と、磁化反転領域の第２境界に接続された第２磁化固定領域とを有する磁気抵抗素子の初期化方法が提供される。当該初期化方法は、磁化反転領域と、第１磁化固定領域と、第２磁化固定領域の磁化を、第１方向に向ける工程と、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域との間で磁化反転領域を通るように電流を流しながら、第１方向と反対の第２方向の成分を有する第１磁界を磁化記録層に印加する工程とを備えている。
摘要翻译：公开了一种用于初始化磁阻元件的方法，该磁阻元件包括作为铁磁层的磁化记录层。磁化记录层包括具有可逆磁化的磁化反转区域，连接到磁化反转区域的第一边界的第一磁化固定区域和连接到磁化反转区域的第二边界的第二磁化固定区域。用于初始化磁阻元件的方法包括：其中磁化反转区域，第一磁化固定区域和第二磁化固定区域的磁化指向第一方向的步骤; 并且其中具有与第一方向相反的第二方向的分量的第一磁场被施加到磁化记录层，同时通过磁化反转使第一磁化固定区和第二磁化固定区之间的电流通过地区。

5. 发明申请

WO2010007893A1 磁気ランダムアクセスメモリ及びその初期化方法审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器及其初始化方法
公开(公告)号：WO2010007893A1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：PCT/JP2009/062083
申请日：2009-07-02
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木哲広 , 深見俊輔 , 永原聖万 , 大嶋則和 , 石綿延行
发明人：鈴木　哲広 , 深見　俊輔 , 永原　聖万 , 大嶋　則和 , 石綿　延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L29/66984 , H01L29/82 , H01L43/10
摘要：　磁壁移動型のＭＲＡＭは、垂直磁気異方性を有する強磁性層である磁化記録層１０と、磁化記録層１０に電流を供給するために磁化記録層１０に接続された一組の電流供給端子１４ａ、１４ｂと、磁化記録層１０のうち第１領域Ｒ１に接触する反強磁性層４５と、を備える。第１領域Ｒ１は、磁化記録層１０のうち一組の電流供給端子１４ａ、１４ｂの間の電流供給領域ＲＡの一部を含んでいる。
摘要翻译：畴壁运动MRAM设有具有垂直磁各向异性的铁磁层的磁化记录层（10），连接到磁化记录层（10）的一对电流源端子（14a，14b），以便提供到磁化记录层（10）的电流，以及与磁化记录层（10）的第一区域（R1）接触的反铁磁层（45）。第一区域（R1）包括在磁化记录层（10）之间的电流供应端子（14a，14b）之间的电流供应区域（RA）的一部分。

6. 发明申请

WO2009110537A1 ＭＲＡＭ混載システム审中-公开
标题翻译： MRAM混合系统
公开(公告)号：WO2009110537A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/054137
申请日：2009-03-05
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C19/0808 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要：　半導体装置は、第１メモリセル９を有する第１磁気ランダムアクセスメモリと、第１メモリセル９と比較して高速で動作する第２メモリセル８を有し、前記第１磁気ランダムアクセスメモリと同一チップ内に設けられた第２磁気ランダムアクセスメモリとを具備する。第１メモリセル９は、スピン偏極電流書き込み型のＭＲＡＭである。磁気抵抗効果素子の強磁性導体にスピン偏極電流が注入され、その電流を担う伝導電子のスピンと導体の磁気モーメントとの間の直接相互作用によって反転する磁化に基づいてデータを記憶する。書き込み電流は、少なくとも磁化自由層を流れる。第２メモリセル８は、電流誘起磁界書き込み型のＭＲＡＭである。書き込み電流で誘起される磁界に基づいてデータを記憶する。
摘要翻译：一种半导体器件包括具有第一存储单元（9）的第一磁随机存取存储器和与第一磁随机存取存储器相同的芯片中提供的第二磁随机存取存储器，并且具有在较高位置操作的第二存储单元（8）速度比第一存储单元（9）的速度快。第一存储单元（9）构成自旋极化电流写入型MRAM。旋转极化电流注入到磁阻效应元件的铁磁导体中，并且有助于电流的导电电子的自旋与导体的磁矩之间的直接相互作用导致基于该数据被存储的磁化反转。写入电流流过至少一个无磁性层。第二存储单元（8）构成电流感应磁场写入型MRAM。基于由写入电流引起的磁场存储数据。

7. 发明申请

WO2009104428A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009104428A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2009/050210
申请日：2009-01-09
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/222
摘要：　ＭＲＡＭは、第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと第２磁気抵抗素子を含むリファレンスセルを備える。第１磁気抵抗素子は、第１磁化自由層と、第１磁化固定層と、第２磁化自由層と、第１磁化固定層と第２磁化自由層とに挟まれた第１非磁性層とを備える。第１磁化自由層は垂直磁気異方性を有し、第１磁化固定層及び第２磁化自由層は面内磁気異方性を有する。第１磁化自由層は、磁化方向が固定された第１、第２磁化固定領域、及び第１、第２磁化固定領域に接続され磁化方向が反転可能な磁化自由領域を有する。磁化自由領域と第２磁化自由層とは、互いに磁気的に結合している。各層に平行な平面において、第２磁化自由層の重心は、磁化自由領域の重心から第１方向にずれている。一方、第２磁気抵抗素子は、磁化容易軸が第２方向に平行な第３磁化自由層と、磁化方向が第２方向と直交する第３方向に固定された第２磁化固定層と、第３磁化自由層と第２磁化固定層とに挟まれた第２非磁性層とを備える。第３磁化自由層と第２磁化固定層は、面内磁気異方性を有する。
摘要翻译： MRAM包括包括第一磁阻元件和包括第二磁阻元件的参考元件的存储单元。第一磁阻元件包括第一磁化自由层，第一磁化固定层，第二磁化自由层和夹在第一磁化固定层和第二磁化自由层之间的第一非磁性层。第一磁化自由层具有垂直的磁各向异性，并且第一磁化固定层和第二磁化自由层具有面内磁各向异性。第一磁化自由层包括具有固定的磁化方向的第一和第二磁化固定区域和连接到第一和第二磁化固定区域并具有可逆磁化方向的无磁化区域。磁化自由区和第二磁化自由层彼此磁耦合。在与各层平行的平面中，第二磁化自由层的重心沿着第一方向从无磁化区域的重心位移。第二磁阻元件包括具有平行于第二方向的易磁化轴的第三磁化自由层，具有与第二方向正交的第三方向固定的磁化方向的第二磁化固定层和夹在第二磁阻层之间的第二非磁性层第三磁化自由层和第二磁化固定层。第三磁化自由层和第二磁化固定层具有面内磁各向异性。

8. 发明申请

WO2009057504A1 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ、及びその初期化方法审中-公开
标题翻译：磁电元件，磁性随机存取存储器及其初始化方法
公开(公告)号：WO2009057504A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/069222
申请日：2008-10-23
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万 , 加藤有光
发明人：深見俊輔 , 石綿延行 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 永原聖万 , 加藤有光
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：　磁気抵抗効果素子が、長手方向に長い形状を有し、且つ、磁壁移動が起こるように形成された第１強磁性層と、第１強磁性層に対向するように設けられた、磁化が固定された第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層の間に形成される非磁性のスペーサ層と、第１強磁性層の長手方向の一端の近傍の部分に磁気的に結合された第３強磁性層と、第１強磁性層の長手方向の他端の近傍の部分に磁気的に結合された第４強磁性層とを具備する。第１強磁性層及び第２強磁性層は、膜厚方向の磁気異方性を有し、第３強磁性層及び第４強磁性層は、面内方向に磁気異方性を有する。
摘要翻译：磁阻元件包括：第一铁磁层，其在纵向方向上具有长形状并且形成为使得磁壁移动; 布置成与第一铁磁层相对并具有固定磁化强度的第二铁磁层; 形成在第一铁磁层和第二铁磁层之间的非磁性间隔层; 第三铁磁层，其在纵向方向上与第一铁磁层的一端附近的第一铁磁层的一部分磁性连接; 以及与第一铁磁层的另一端附近的部分磁性连接的第四铁磁层。第一铁磁层和第二铁磁层在膜厚度方向上具有各向异性。第三铁磁层和第四铁磁层在面内方向上具有各向异性。

9. 发明申请

WO2009038004A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2009038004A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/JP2008/066330
申请日：2008-09-10
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木哲広 , 深見俊輔 , 永原聖万 , 大嶋則和 , 石綿延行
发明人：鈴木哲広 , 深見俊輔 , 永原聖万 , 大嶋則和 , 石綿延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16 , B82Y10/00 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要：　磁気異方性をもつ強磁性層である磁化記録層を具備し、前記磁化記録層が第１磁化領域から第Ｎ磁化領域まで（Ｎ≧３）を有し、前記磁化領域のうち、第１磁化領域から第Ｍ磁化領域まで（Ｍ≧Ｎ－１）が反転可能な磁化を有する第１磁化反転領域から第Ｍ磁化反転領域であり、前記第Ｋ磁化領域が前記第Ｌ磁化領域（Ｌ≠Ｋ）と前記第Ｊ磁化領域（Ｊ≠Ｋ、Ｊ≠Ｌ）を経由することなく接続されており、かつ、前記第Ｋ磁化領域の一端が他の磁性領域と接続していない。データ書込みの際には、前記第１磁化反転領域から前記第Ｍ磁化反転領域までの情報と書き込む情報に応じて、前記第１磁化反転領域から前記第Ｍ磁化反転領域までの領域から他の前記磁化領域に順次電流を印加する。磁壁移動型ＭＲＡＭのセル面積を抑制することが可能となる。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括作为具有磁各向异性的铁磁层的磁化记录层。磁化记录层具有第一磁化区至第N磁化区（N = 3）。在磁化区域中，第一至第M（M = N-1）磁化区域是具有能够反转的磁化的第一至第M磁化反转区域。第K磁化区域不经过L次磁化区域（L不等于K）或J次磁化区域（J不等于K，J不等于L）连接。第K磁化区域的一端不与任何其它磁性区域连接。在数据写入时，根据第一至第M磁化反转区域中的信息和要写入的信息，电流被连续施加到从第一至第M磁化反转区域的另一磁化区域。因此，可以抑制磁壁移位型MRAM的单元面积。

10. 发明申请

WO2008047536A1 磁気メモリセルおよび磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁记忆体和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2008047536A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/068522
申请日：2007-09-25
申请人：日本電気株式会社 , 本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
发明人：本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：磁気メモリセル１は強磁性層である磁気記録層１０と非磁性層２０を介して磁気記録層１０に接続されたピン層３０とを備える。磁気記録層１０は磁化反転領域１３と第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２を有する。磁化反転領域１３は反転可能な磁化を有し、ピン層３０と重なる。第１磁化固定領域１１は、磁化反転領域１３の第１境界Ｂ１に接続され、その磁化の向きは第１方向に固定される。第２磁化固定領域１２は、磁化反転領域１３の第２境界Ｂ２に接続され、その磁化の向きは第２方向に固定される。第１方向と第２方向は互いに逆方向を向いている。
摘要翻译：公开了一种包括由铁磁层组成的磁记录层（10）和通过非磁性层（20）连接到磁记录层（10）的引脚层（30）的磁存储单元（1）。磁记录层（10）具有磁化反转区域（13），第一磁化固定区域（11）和第二磁化固定区域（12）。磁化反转区域（13）具有可逆磁化并与引脚层（30）重叠。第一磁化固定区域（11）连接到磁化反转区域（13）的第一边界（B1），并且其磁化沿第一方向固定。第二磁化固定区域（12）连接到磁化反转区域（13）的第二边界（B2），并且其磁化固定在第二方向上。第一方向和第二方向彼此相反。

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