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1. 发明申请

WO2003092076A1 磁気メモリ、及びその動作方法审中-公开
标题翻译：磁记忆及其操作方法
公开(公告)号：WO2003092076A1
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/JP2003/005030
申请日：2003-04-21
申请人：日本電気株式会社 , 三浦貞彦 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 辻清孝
发明人：三浦貞彦 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 辻清孝
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/16
摘要：　本発明は、磁気トンネル接合のトンネル絶縁膜の欠陥を可能な限り排除し、磁気トンネル接合をメモリセルに使用するＭＲＡＭの不良ビットの発生を抑制するための技術を提供する。　本発明による磁気メモリは、基板と、基板の上面側を被覆する層間絶縁膜と、メモリセルと、層間絶縁膜を貫通するプラグとを備えている。メモリセルは、層間絶縁膜の上面側に形成された第１磁性体層と、第１磁性体層の上に形成されたトンネル絶縁層と、トンネル絶縁層の上に形成された第２磁性体層とを含む。プラグは、第１磁性体層に、電気的に接続されている。トンネル絶縁層のうち第１磁性体層と第２磁性体層との間に位置するトンネル電流通過部分のうちの少なくとも一部は、基板の表面に垂直な垂直方向においてプラグにオーバーラップしないように配置されている。
摘要翻译：尽可能地消除磁隧道结的隧道绝缘膜中的缺陷并利用存储器中的磁性隧道结抑制MRAM中的有缺陷位的产生的技术。磁存储器包括基板，覆盖基板的上表面侧的层间绝缘膜，存储单元和穿透层间绝缘膜的插塞。存储单元包括形成在层间绝缘膜的上表面侧上的第一磁性层，形成在第一磁性层上的隧道绝缘层和形成在隧道绝缘层上的第二磁性层。插头与第一磁性层电连接。位于第一和第二磁性层之间的隧道绝缘层的隧道电流通过部分被布置成至少部分地不与垂直于衬底的表面的方向上的插塞重叠。

2. 发明申请

WO2006104002A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2006104002A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/305789
申请日：2006-03-23
申请人：日本電気株式会社 , 三浦貞彦 , 杉林直彦 , 鈴木哲広
发明人：三浦貞彦 , 杉林直彦 , 鈴木哲広
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：　ＭＲＡＭは、第１配線と第２配線とメモリセルとを備える。第１配線は第１方向Ｓへ伸びている。第２配線は第２方向へ伸びている。メモリセルは、反強磁性的に結合した複数の磁性層を積層したフリー磁性層を含み、第１配線と第２配線とが交叉する点に設けられる。フリー磁性層の磁化容易軸方向が、第１方向及び第２方向とは異なる。書込み方法は、（ａ）メモリセル５２に蓄えられた第１情報を読み出すステップと、（ｂ）メモリセル５２へ書き込む第２情報と第１情報とを比較するステップと、（ｃ）第１情報と第２情報とが異なる場合、第１配線に流す第１書込み電流ＩＷＬの向き±Ｔと、第２配線へ流す第２書込み電流の向きとを、第２情報に基づいて変更するステップとを具備する。こうして、ディスターブを抑制しつつ書込みの動作領域を拡大することができるＭＲＡＭを提供する。
摘要翻译： MRAM设置有第一布线，第二布线和存储单元。第一布线沿第一方向（S）延伸。第二布线在第二方向延伸。存储单元包括自由磁性层，其中层叠有多个抗铁磁耦合磁性层，并且布置在第一布线和第二布线相交的点处。自由磁性层在第一方向和第二方向之间具有不同的易磁化轴。写入方法包括读取存储在存储单元（52）中的第一信息的步骤（a），将要写入存储单元（52）的第二信息与第一信息进行比较的步骤（b），步骤（c）在所述第一信息和所述第二信息不同的情况下，要馈送到所述第一布线的第一写入电流（I SUB）与所述第一布线的方向（I T WL）基于第二信息将第二写入电流馈送到第二布线。因此，MRAM可以在抑制干扰的同时扩大写入动作区域。

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