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1. 发明专利

TW201817912A 成膜裝置及其所用之氣體吐出構件审中-公开
简体标题：成膜设备及其所用之气体吐出构件
公开(公告)号：TW201817912A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106125699
申请日：2017-07-31
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡部真也 , OKABE, SHINYA , 望月隆 , MOCHIZUKI, TAKASHI , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 平松永泰 , HIRAMATSU, NAGAYASU , 傳寶一樹 , DEMPOH, KAZUKI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/08 , H01L21/285
摘要： [課題] 提供一種如下述之技術：可在藉由電漿CVD進行成膜之際，調整基板外周部之膜厚而獲得所期望的膜厚面內均勻性。　　[解決手段] 成膜裝置（100），係具有：處理容器（1），收容有晶圓（W）：基座（2），在處理容器（1）內載置有晶圓：噴頭（10），與被載置於基座（2）的晶圓（W）相對向配置，將處理氣體朝向基座（2）上的晶圓（W）吐出：及高頻電源（41），在噴頭（10）與基座（2）之間生成電漿而激發處理氣體，藉由被電漿激發的處理氣體，在晶圓（W）上形成預定膜。噴頭（10），係具有與基座（2）相對向的氣體吐出面（17），在氣體吐出面（17），係形成有複數個氣體吐出孔（15），氣體吐出面（17）中之形成有複數個氣體吐出孔（15）的氣體吐出孔形成區域（18），係比氣體吐出面（17）之與晶圓（W）對應的區域小。
简体摘要： [课题] 提供一种如下述之技术：可在借由等离子CVD进行成膜之际，调整基板外周部之膜厚而获得所期望的膜厚面内均匀性。　　[解决手段] 成膜设备（100），系具有：处理容器（1），收容有晶圆（W）：基座（2），在处理容器（1）内载置有晶圆：喷头（10），与被载置于基座（2）的晶圆（W）相对向配置，将处理气体朝向基座（2）上的晶圆（W）吐出：及高频电源（41），在喷头（10）与基座（2）之间生成等离子而激发处理气体，借由被等离子激发的处理气体，在晶圆（W）上形成预定膜。喷头（10），系具有与基座（2）相对向的气体吐出面（17），在气体吐出面（17），系形成有复数个气体吐出孔（15），气体吐出面（17）中之形成有复数个气体吐出孔（15）的气体吐出孔形成区域（18），系比气体吐出面（17）之与晶圆（W）对应的区域小。

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