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1. 发明专利

TW201817906A 鎢膜之成膜方法及記憶有該方法之記憶媒體审中-公开
简体标题：钨膜之成膜方法及记忆有该方法之记忆媒体
公开(公告)号：TW201817906A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106124698
申请日：2017-07-24
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：青山真太郎 , AOYAMA, SHINTARO , 鈴木幹夫 , SUZUKI, MIKIO , 河野有美子 , KAWANO, YUMIKO , 佐藤耕一 , SATOH, KOHICHI
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/285
摘要：提供一種可得到低阻抗之鎢膜的鎢膜之成膜方法。鎢膜之成膜方法，係將基板配置於處理容器內，並在減壓氛圍加熱基板，且於基板表面成膜出鎢膜，具有：藉由夾置著處理容器內之沖淨而依序將鎢原料的WF6氣體與還原氣體供給至處理容器內，來在基板表面形成非晶層之初期鎢膜的工序；以及將鎢原料之WF6氣體與還原氣體之H2氣體供給至處理容器內，而在該初期鎢膜上成膜出主鎢膜之工序。
简体摘要：提供一种可得到低阻抗之钨膜的钨膜之成膜方法。钨膜之成膜方法，系将基板配置于处理容器内，并在减压氛围加热基板，且于基板表面成膜出钨膜，具有：借由夹置着处理容器内之冲净而依序将钨原料的WF6气体与还原气体供给至处理容器内，来在基板表面形成非晶层之初期钨膜的工序；以及将钨原料之WF6气体与还原气体之H2气体供给至处理容器内，而在该初期钨膜上成膜出主钨膜之工序。

2. 发明专利

TWI389184B 成膜方法，成膜裝置及記憶媒體失效
简体标题：成膜方法，成膜设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI389184B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW095124851
申请日：2006-07-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中村和仁 , NAKAMURA, KAZUHITO , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 河野有美子 , KAWANO, YUMIKO
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/8239 , C23C16/34

4. 发明专利

TWI450999B Ｇe－Ｓb－Ｔe膜的成膜方法、Ｇe－Ｔe膜的成膜方法、Ｓb－Ｔe膜的成膜方法及記憶媒體有权
简体标题：Ｇe－Ｓb－Ｔe膜的成膜方法、Ｇe－Ｔe膜的成膜方法、Ｓb－Ｔe膜的成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI450999B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW101129985
申请日：2012-08-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河野有美子 , KAWANO, YUMIKO , 有馬進 , ARIMA, SUSUMU
IPC分类号： C23C16/18
CPC分类号： H01L45/1616 , C23C16/305 , C23C16/45553 , H01L45/144

5. 发明专利

TW201303961A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201303961A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101111092
申请日：2012-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 三井造船股份有限公司 , MITSUI ENGINEERING & SHIPBUILDING CO., LTD.
发明人：米永富廣 , YONENAGA, TOMIHIRO , 河野有美子 , KAWANO, YUMIKO , 內田直喜 , UCHIDA, NAOKI , 尾崎一博 , OZAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/67303
摘要：藉由控制從基座的周緣部進入之磁束的透過，正確地控制基座的面內溫度。具備：基座(200)，其係具有載置基板的載置面之導電性構件，分成周緣部(210)及被周緣部包圍的內側部(220)，內側部係由厚板狀發熱體所構成，周緣部係使比內側部更薄的薄板狀發熱體在彼此電性絕緣的狀態下層疊而成；電磁石(120)，其係由基座的側面，在與其載置面平行的方向形成交流磁場，藉由施加於被捲繞在此電磁石的感應線圈(124)的2個頻率的高頻電流來控制在各薄板狀發熱體產生的感應電流，而控制至內側部之磁束的透過，藉此使各基座的周緣部的發熱量與內側部的發熱量的比率變化來進行溫度控制。
简体摘要：借由控制从基座的周缘部进入之磁束的透过，正确地控制基座的面内温度。具备：基座(200)，其系具有载置基板的载置面之导电性构件，分成周缘部(210)及被周缘部包围的内侧部(220)，内侧部系由厚板状发热体所构成，周缘部系使比内侧部更薄的薄板状发热体在彼此电性绝缘的状态下层叠而成；电磁石(120)，其系由基座的侧面，在与其载置面平行的方向形成交流磁场，借由施加于被卷绕在此电磁石的感应线圈(124)的2个频率的高频电流来控制在各薄板状发热体产生的感应电流，而控制至内侧部之磁束的透过，借此使各基座的周缘部的发热量与内侧部的发热量的比率变化来进行温度控制。

6. 发明专利

TWI453824B Ｓｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜之成膜方法及記憶媒體失效
简体标题：Ｓｒ－Ｔｉ－Ｏ系膜之成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI453824B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW098105287
申请日：2009-02-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 爾必達存儲器股份有限公司
发明人：河野有美子 , KAWANO, YUMIKO , 有馬進 , ARIMA, SUSUMU , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 廣田俊幸 , HIROTA, TOSHIYUKI , 清村貴利 , KIYOMURA TAKAKAZU
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/40 , H01L27/108
CPC分类号： H01L21/31691 , C23C16/40 , C23C16/409 , C23C16/45527 , C23C16/45531 , C23C16/56 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01L28/40

7. 发明专利

TW201404915A 成膜方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201404915A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102112009
申请日：2013-04-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河野有美子 , KAWANO, YUMIKO , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI , 野呂尚孝 , NORO, NAOTAKA
IPC分类号： C23C16/06
CPC分类号： C23C16/406 , H01L21/28556
摘要：本發明係含Co膜之成膜方法，其包含一在不含有氫氣及氨氣之環境氣氛下，將含環戊二烯之鈷原料與氧氣以氣相狀態導入收置有被處理體之處理容器內之步驟；且，該處理容器內之氧分壓為10Pa以上40Pa以下。
简体摘要：本发明系含Co膜之成膜方法，其包含一在不含有氢气及氨气之环境气氛下，将含环戊二烯之钴原料与氧气以气相状态导入收置有被处理体之处理容器内之步骤；且，该处理容器内之氧分压为10Pa以上40Pa以下。

8. 发明专利

TW201321544A ＧＥ－ＳＢ－ＴＥ膜的成膜方法、ＧＥ－ＴＥ膜的成膜方法、ＳＢ－ＴＥ膜的成膜方法及程序审中-公开
简体标题：ＧＥ－ＳＢ－ＴＥ膜的成膜方法、ＧＥ－ＴＥ膜的成膜方法、ＳＢ－ＴＥ膜的成膜方法及进程
公开(公告)号：TW201321544A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101129985
申请日：2012-08-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河野有美子 , KAWANO, YUMIKO , 有馬進 , ARIMA, SUSUMU
IPC分类号： C23C16/18
CPC分类号： H01L45/1616 , C23C16/305 , C23C16/45553 , H01L45/144
摘要：本發明提供一種Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其包含Sb原料導入工序、第1吹淨工序、Te原料導入工序、第2吹淨工序、Ge原料導入工序及第3吹淨工序，其中，在該原料導入工序或吹淨工序的至少1工序中，係導入包含有氨氣、甲基胺、二甲基胺、聯胺、單甲基聯胺、二甲基聯胺及砒啶的1者或2者以上之添加氣體。
简体摘要：本发明提供一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其包含Sb原料导入工序、第1吹净工序、Te原料导入工序、第2吹净工序、Ge原料导入工序及第3吹净工序，其中，在该原料导入工序或吹净工序的至少1工序中，系导入包含有氨气、甲基胺、二甲基胺、联胺、单甲基联胺、二甲基联胺及砒啶的1者或2者以上之添加气体。

9. 发明专利

TWI496188B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI496188B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW101111092
申请日：2012-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 三井造船股份有限公司 , MITSUI ENGINEERING & SHIPBUILDING CO., LTD.
发明人：米永富廣 , YONENAGA, TOMIHIRO , 河野有美子 , KAWANO, YUMIKO , 內田直喜 , UCHIDA, NAOKI , 尾崎一博 , OZAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/67303

10. 发明专利

TW201528378A 熱處理裝置及熱處理方法审中-公开
简体标题：热处理设备及热处理方法
公开(公告)号：TW201528378A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103133590
申请日：2014-09-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：米永富廣 , YONENAGA, TOMIHIRO , 金喆中 , KIM, CHELJUNG , 河野有美子 , KAWANO, YUMIKO
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/45525 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , C23C16/46
摘要：一種熱處理裝置，將基板載置於處理容器內而進行熱處理；其包含：載置台，由內側部及發熱調整部所構成，該內側部用以載置該基板，並且把來自外周側的熱加以傳熱至中央部；該發熱調整部沿著周向呈環狀地設置於該內側部的外周部，並且藉由感應加熱方式發熱；磁場形成機構，用來藉由供給交流電力以形成磁場，使得與該內側部之載置面平行的磁束通過該發熱調整部，而對該發熱調整部進行感應加熱；電源部，將該交流電力供給至該磁場形成機構；溫度測定部，對該發熱調整部的溫度進行測定；控制部，依據該溫度測定部的溫度測定值與目標溫度，而控制對該磁場形成機構的供給電力；及氣體供給部，對該載置台上的該基板，從周緣供給處理氣體；且該發熱調整部之厚度尺寸設定為表皮深度之2倍以下的值，該表皮深度係依據該發熱調整部的導磁率、比電阻與該交流電力的頻率所決定。
简体摘要：一种热处理设备，将基板载置于处理容器内而进行热处理；其包含：载置台，由内侧部及发热调整部所构成，该内侧部用以载置该基板，并且把来自外周侧的热加以传热至中央部；该发热调整部沿着周向呈环状地设置于该内侧部的外周部，并且借由感应加热方式发热；磁场形成机构，用来借由供给交流电力以形成磁场，使得与该内侧部之载置面平行的磁束通过该发热调整部，而对该发热调整部进行感应加热；电源部，将该交流电力供给至该磁场形成机构；温度测定部，对该发热调整部的温度进行测定；控制部，依据该温度测定部的温度测定值与目标温度，而控制对该磁场形成机构的供给电力；及气体供给部，对该载置台上的该基板，从周缘供给处理气体；且该发热调整部之厚度尺寸设置为表皮深度之2倍以下的值，该表皮深度系依据该发热调整部的导磁率、比电阻与该交流电力的频率所决定。

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