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1. 发明专利

TW201821487A 包含經縮醛保護之矽醇基之聚矽氧烷組成物审中-公开
简体标题：包含经缩醛保护之硅醇基之聚硅氧烷组成物
公开(公告)号：TW201821487A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106129273
申请日：2017-08-29
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤勇樹 , ENDO, YUKI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO
IPC分类号： C08G77/38 , C09D183/04 , C09D7/12 , G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/038 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明的課題為提供可作為於被加工基板上形成平坦的膜而進行圖型反轉之被覆組成物或感光性組成物利用的含有經縮醛保護之聚矽氧烷的組成物。　　其解決手段為一種被覆組成物或感光性組成物，其係含有由分子內具有2至4個水解性基之水解性矽烷的水解縮合物，將該縮合物所具有之矽醇基以縮醛保護所得到的聚矽氧烷之被覆組成物或感光性組成物，其中該水解縮合物，以Si-C鍵與矽原子鍵結之有機基，平均係以0≦(該有機基)/(Si)≦0.29之莫耳比比例存在。一種半導體裝置之製造方法，其包含於半導體基板上形成阻劑膜之步驟(A)、使前述阻劑膜曝光，曝光後將阻劑顯影而得到阻劑圖型之步驟(B)、於經圖型化之阻劑膜上塗佈本案之被覆用組成物以埋入聚矽氧烷之步驟(C)、使埋入後的該聚矽氧烷硬化後，蝕刻阻劑膜使圖型反轉之步驟(D)、使用聚矽氧烷膜將基板加工之步驟(E)。
简体摘要：本发明的课题为提供可作为于被加工基板上形成平坦的膜而进行图型反转之被覆组成物或感光性组成物利用的含有经缩醛保护之聚硅氧烷的组成物。　　其解决手段为一种被覆组成物或感光性组成物，其系含有由分子内具有2至4个水解性基之水解性硅烷的水解缩合物，将该缩合物所具有之硅醇基以缩醛保护所得到的聚硅氧烷之被覆组成物或感光性组成物，其中该水解缩合物，以Si-C键与硅原子键结之有机基，平均系以0≦(该有机基)/(Si)≦0.29之莫耳比比例存在。一种半导体设备之制造方法，其包含于半导体基板上形成阻剂膜之步骤(A)、使前述阻剂膜曝光，曝光后将阻剂显影而得到阻剂图型之步骤(B)、于经图型化之阻剂膜上涂布本案之被覆用组成物以埋入聚硅氧烷之步骤(C)、使埋入后的该聚硅氧烷硬化后，蚀刻阻剂膜使图型反转之步骤(D)、使用聚硅氧烷膜将基板加工之步骤(E)。

2. 发明专利

TWI688834B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI688834B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW104127175
申请日：2015-08-20
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027

3. 发明专利

TW201823390A 圖型反轉用之被覆組成物审中-公开
简体标题：图型反转用之被覆组成物
公开(公告)号：TW201823390A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106134160
申请日：2017-10-03
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 遠藤勇樹 , ENDO, YUKI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： C09D183/06 , C08G77/38 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明之課題在於提供對於將已形成於被加工基板上之光阻圖型轉印至下層之有機下層膜之圖型，掩埋其之圖型間隙，並同時形成平坦膜之圖型反轉用被覆組成物。　　其解決手段為一種被覆組成物，其係被覆在光阻圖型已轉印至下層而成之有機下層膜上之被覆組成物，該被覆組成物包含聚矽氧烷，該聚矽氧烷係在全矽烷中分子內具有4個水解性基之水解性矽烷成為50莫耳%至100莫耳%之比例之水解性矽烷之水解縮合物之矽醇基與醇反應而成者。水解性矽烷為下述式(1)中，以50莫耳%至100莫耳%之比例包含a為0之水解性矽烷，且以0莫耳%至50莫耳%之比例包含a為1至2之水解性矽烷者。醇為丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚或3-甲氧基丁醇。
简体摘要：本发明之课题在于提供对于将已形成于被加工基板上之光阻图型转印至下层之有机下层膜之图型，掩埋其之图型间隙，并同时形成平坦膜之图型反转用被覆组成物。　　其解决手段为一种被覆组成物，其系被覆在光阻图型已转印至下层而成之有机下层膜上之被覆组成物，该被覆组成物包含聚硅氧烷，该聚硅氧烷系在全硅烷中分子内具有4个水解性基之水解性硅烷成为50莫耳%至100莫耳%之比例之水解性硅烷之水解缩合物之硅醇基与醇反应而成者。水解性硅烷为下述式(1)中，以50莫耳%至100莫耳%之比例包含a为0之水解性硅烷，且以0莫耳%至50莫耳%之比例包含a为1至2之水解性硅烷者。醇为丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3-甲氧基丁醇。

4. 发明专利

TW201716510A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201716510A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105144248
申请日：2013-02-26
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANG CHING
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/08 , C08K5/5419 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G77/26 , C08G77/388 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/3086 , C08K5/548 , C08K5/5455
摘要：本發明之課題為提供一種阻劑形狀良好的EUV阻劑底層膜形成組成物。本發明之解決手段為一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)之水解縮合物的聚矽氧烷(A)；與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)。一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)之水解縮合物的聚矽氧烷(B)。聚矽氧烷(A)係四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷與芳基三烷氧基矽烷之共水解縮合物。
简体摘要：本发明之课题为提供一种阻剂形状良好的EUV阻剂底层膜形成组成物。本发明之解决手段为一种EUV微影用阻剂底层膜形成组成物，其系含有：含有水解性硅烷(a)之水解缩合物的聚硅氧烷(A)；与具有磺酰胺结构、羧酸酰胺结构、脲结构、或异三聚氰酸结构的水解性硅烷化合物(b)。一种EUV微影用阻剂底层膜形成组成物，其系含有：含有水解性硅烷(a)与具有磺酰胺结构、羧酸酰胺结构、脲结构、或异三聚氰酸结构的水解性硅烷化合物(b)之水解缩合物的聚硅氧烷(B)。聚硅氧烷(A)系四烷氧基硅烷、烷基三烷氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷之共水解缩合物。

5. 发明专利

TW201307441A 圖型反轉膜形成用組成物及反轉圖型形成方法审中-公开
简体标题：图型反转膜形成用组成物及反转图型形成方法
公开(公告)号：TW201307441A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101109687
申请日：2012-03-21
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI
IPC分类号： C08G77/20 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G77/20 , C08K5/09 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/405 , H01L21/0337 , Y02P20/582
摘要：本發明係提供一種可以於阻劑圖型之剝離通常所使用之有機溶劑可重工的含有矽原子之圖型反轉膜形成用組成物。本發明係關於一種組成物，其係含有聚矽氧烷、添加劑及有機溶劑之圖型反轉膜形成用組成物，其特徵係前述聚矽氧烷具有以下述式(1)所示之構造單元及以式(2)所示之構造單元， (式中，R1表示碳原子數1~8的烷基) (式中，R2係表示丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基，n表示2乃至4之整數)以及前述添加劑至少具有2個羧基及/或羥基之有機酸；以及關於使用該組成物之圖型反轉膜及反轉圖型之形成方法。
简体摘要：本发明系提供一种可以于阻剂图型之剥离通常所使用之有机溶剂可重工的含有硅原子之图型反转膜形成用组成物。本发明系关于一种组成物，其系含有聚硅氧烷、添加剂及有机溶剂之图型反转膜形成用组成物，其特征系前述聚硅氧烷具有以下述式(1)所示之构造单元及以式(2)所示之构造单元， (式中，R1表示碳原子数1~8的烷基) (式中，R2系表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基，n表示2乃至4之整数)以及前述添加剂至少具有2个羧基及/或羟基之有机酸；以及关于使用该组成物之图型反转膜及反转图型之形成方法。

6. 发明专利

TW201402696A 含添加劑之含有矽的ＥＵＶ阻劑底層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含添加剂之含有硅的ＥＵＶ阻剂底层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201402696A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102106720
申请日：2013-02-26
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/08 , C08K5/5419 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G77/26 , C08G77/388 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/3086 , C08K5/548 , C08K5/5455
摘要：本發明之課題為提供一種阻劑形狀良好的EUV阻劑底層膜形成組成物。本發明之解決手段為一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)之水解縮合物的聚矽氧烷(A)；與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)。一種EUV微影用阻劑底層膜形成組成物，其係含有：含有水解性矽烷(a)與具有磺醯胺結構、羧酸醯胺結構、脲結構、或異三聚氰酸結構的水解性矽烷化合物(b)之水解縮合物的聚矽氧烷(B)。聚矽氧烷(A)係四烷氧基矽烷、烷基三烷氧基矽烷與芳基三烷氧基矽烷之共水解縮合物。
简体摘要：本发明之课题为提供一种阻剂形状良好的EUV阻剂底层膜形成组成物。本发明之解决手段为一种EUV微影用阻剂底层膜形成组成物，其系含有：含有水解性硅烷(a)之水解缩合物的聚硅氧烷(A)；与具有磺酰胺结构、羧酸酰胺结构、脲结构、或异三聚氰酸结构的水解性硅烷化合物(b)。一种EUV微影用阻剂底层膜形成组成物，其系含有：含有水解性硅烷(a)与具有磺酰胺结构、羧酸酰胺结构、脲结构、或异三聚氰酸结构的水解性硅烷化合物(b)之水解缩合物的聚硅氧烷(B)。聚硅氧烷(A)系四烷氧基硅烷、烷基三烷氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷之共水解缩合物。

7. 发明专利

TW201331720A 含矽之ＥＵＶ光阻底層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含硅之ＥＵＶ光阻底层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201331720A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101136675
申请日：2012-10-04
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/04 , C07F7/18 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/311 , B05D3/0272 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/80 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2004 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/02107 , H01L21/02112 , H01L21/02123 , H01L21/02137 , H01L21/3081
摘要：本發明之課題為，提供提升EUV光阻之曝光敏感度，及以EUV光曝光時較少脫氣發生之平版印刷(Lithography)用光阻底層膜及形成該底層膜用之光阻底層膜形成組成物。解決方法為一種EUV平版印刷用光阻底層膜形成組成物，其為矽烷含有水解性矽烷、其水解物、其水解縮合物或該等之混合物，且該水解性矽烷含有四甲氧基矽烷與烷基三甲氧基矽烷與芳基三烷氧基矽烷之組合，該芳基三烷氧基矽烷為下述式(1)：【化1】(R2)n2-R1-(CH2)n1-Si(X)3 式(1) (式(1)中，R1表示由苯環或萘環所形成之芳香族環或含有三聚異氰酸構造之環，R2為芳香族環之氫原子之取代基的鹵原子，或碳數1至10之烷氧基，X為碳數1至10之烷氧基，碳數2至10之醯氧基，或鹵基)。
简体摘要：本发明之课题为，提供提升EUV光阻之曝光敏感度，及以EUV光曝光时较少脱气发生之平版印刷(Lithography)用光阻底层膜及形成该底层膜用之光阻底层膜形成组成物。解决方法为一种EUV平版印刷用光阻底层膜形成组成物，其为硅烷含有水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或该等之混合物，且该水解性硅烷含有四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷之组合，该芳基三烷氧基硅烷为下述式(1)：【化1】(R2)n2-R1-(CH2)n1-Si(X)3 式(1) (式(1)中，R1表示由苯环或萘环所形成之芳香族环或含有三聚异氰酸构造之环，R2为芳香族环之氢原子之取代基的卤原子，或碳数1至10之烷氧基，X为碳数1至10之烷氧基，碳数2至10之酰氧基，或卤基)。

8. 发明专利

TWI643906B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI643906B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW105144248
申请日：2013-02-26
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANG CHING
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/08 , C08K5/5419 , G03F7/11 , H01L21/027

9. 发明专利

TW201619720A ＳＯＣ圖型上之圖型反轉用的被覆用組成物审中-公开
简体标题：ＳＯＣ图型上之图型反转用的被覆用组成物
公开(公告)号：TW201619720A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104127175
申请日：2015-08-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0274 , C09D183/04 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/02126 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/31144
摘要：本發明課題為提供一種圖型反轉用樹脂組成物，其係對於形成於被加工基板上的段差基板，可良好地灌封於其圖型間，同時可形成平坦的膜。課題解決手段為該被覆用聚矽氧烷組成物，使用於下述步驟：在半導體基板上(2)形成有機下層膜(3)之步驟(1)；在其上塗佈矽硬式光罩形成組成物，並且燒成，而形成矽硬式光罩(4)之步驟(2)；在前述矽硬式光罩上塗佈阻劑組成物，而形成阻劑膜(5)之步驟(3)；使該阻劑膜(5)曝光，在曝光後使阻劑膜顯像，而得到阻劑圖型之步驟(4)；矽硬式光罩(4)之蝕刻步驟(5)；有機下層膜(3)之蝕刻步驟(6)；在圖型化的有機下層膜(3)上塗佈本發明之被覆用聚矽氧烷組成物，並藉由回蝕刻使該有機下層膜的上面露出之步驟(7a、7b)；及蝕刻有機下層膜(3)，而將圖型反轉之步驟(8)。
简体摘要：本发明课题为提供一种图型反转用树脂组成物，其系对于形成于被加工基板上的段差基板，可良好地灌封于其图型间，同时可形成平坦的膜。课题解决手段为该被覆用聚硅氧烷组成物，使用于下述步骤：在半导体基板上(2)形成有机下层膜(3)之步骤(1)；在其上涂布硅硬式光罩形成组成物，并且烧成，而形成硅硬式光罩(4)之步骤(2)；在前述硅硬式光罩上涂布阻剂组成物，而形成阻剂膜(5)之步骤(3)；使该阻剂膜(5)曝光，在曝光后使阻剂膜显像，而得到阻剂图型之步骤(4)；硅硬式光罩(4)之蚀刻步骤(5)；有机下层膜(3)之蚀刻步骤(6)；在图型化的有机下层膜(3)上涂布本发明之被覆用聚硅氧烷组成物，并借由回蚀刻使该有机下层膜的上面露出之步骤(7a、7b)；及蚀刻有机下层膜(3)，而将图型反转之步骤(8)。

10. 发明专利

TW201710325A 光阻圖型塗佈用組成物审中-公开
简体标题：光阻图型涂布用组成物
公开(公告)号：TW201710325A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105116287
申请日：2016-05-25
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08G77/26 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC分类号： G03F7/11 , C08G77/04 , C08G77/26 , C08G77/70 , C09D183/04 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：本發明之課題為提供用以塗佈於光阻圖型，且利用蝕刻速度差來進行圖型之反轉的組成物。其解決手段為一種組成物，其係含有下述(A)成分及(B)成分，且塗佈於光阻圖型之組成物，含有(A)成分：選自由金屬氧化物(a1)、多酸(a2)、多酸鹽(a3)、水解性矽烷(a4)、上述水解性矽烷之水解物(a5)、及上述水解性矽烷之水解縮合物(a6)所成之群的至少1種化合物；與(B)成分：水性溶劑，且上述水解性矽烷(a4)為包含具有胺基之有機基的水解性矽烷(i)、包含具有離子性官能基之有機基的水解性矽烷(ii)、包含具有羥基之有機基的水解性矽烷(iii)、或包含具有可轉換為羥基的官能基之有機基的水解性矽烷(iv)。
简体摘要：本发明之课题为提供用以涂布于光阻图型，且利用蚀刻速度差来进行图型之反转的组成物。其解决手段为一种组成物，其系含有下述(A)成分及(B)成分，且涂布于光阻图型之组成物，含有(A)成分：选自由金属氧化物(a1)、多酸(a2)、多酸盐(a3)、水解性硅烷(a4)、上述水解性硅烷之水解物(a5)、及上述水解性硅烷之水解缩合物(a6)所成之群的至少1种化合物；与(B)成分：水性溶剂，且上述水解性硅烷(a4)为包含具有胺基之有机基的水解性硅烷(i)、包含具有离子性官能基之有机基的水解性硅烷(ii)、包含具有羟基之有机基的水解性硅烷(iii)、或包含具有可转换为羟基的官能基之有机基的水解性硅烷(iv)。

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