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1. 发明专利

TWI671598B 含有具丙烯醯胺構造與丙烯酸酯構造之聚合物的微影用阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具丙烯酰胺构造与丙烯酸酯构造之聚合物的微影用阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI671598B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104116261
申请日：2015-05-21
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/54 , C08F220/10 , G03F7/40 , H01L21/027

2. 发明专利

TWI665223B 光阻上層膜形成組成物及使用其之半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光阻上层膜形成组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI665223B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104106052
申请日：2015-02-25
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08F220/06 , G03F7/11 , H01L21/027

3. 发明专利

TW201841961A 含有醯胺溶劑之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有酰胺溶剂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201841961A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107100873
申请日：2018-01-10
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：德永光 , TOKUNAGA, HIKARU , 田聡志 , HAMADA, SATOSHI , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08G12/34 , G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/027
摘要：本發明提供同時具有高蝕刻耐性、高耐熱性與良好塗佈性之阻劑下層膜形成組成物、使用該阻劑下層膜形成組成物之阻劑下層膜及其製造方法、阻劑圖型之形成方法及半導體裝置之製造方法。　　該阻劑下層膜形成組成物包含聚合物與作為溶劑之式(1)表示之化合物： (式(1)中之R1、R2及R3各表示氫原子、可經氧原子、硫原子或醯胺鍵中斷之碳原子數1~20之烷基，可相互相同亦可相異，亦可相互鍵結形成環構造)。將該組成物塗佈於可具有階差之半導體基板上並燒成，形成阻劑下層膜，於其上透過任意選擇之無機阻劑下層膜而形成阻劑膜，藉由光或電子束之照射及顯影而形成阻劑圖型，藉由阻劑圖型蝕刻下層膜等，藉由經圖型化之下層膜加工半導體基板，製造半導體裝置。
简体摘要：本发明提供同时具有高蚀刻耐性、高耐热性与良好涂布性之阻剂下层膜形成组成物、使用该阻剂下层膜形成组成物之阻剂下层膜及其制造方法、阻剂图型之形成方法及半导体设备之制造方法。　　该阻剂下层膜形成组成物包含聚合物与作为溶剂之式(1)表示之化合物： (式(1)中之R1、R2及R3各表示氢原子、可经氧原子、硫原子或酰胺键中断之碳原子数1~20之烷基，可相互相同亦可相异，亦可相互键结形成环构造)。将该组成物涂布于可具有阶差之半导体基板上并烧成，形成阻剂下层膜，于其上透过任意选择之无机阻剂下层膜而形成阻剂膜，借由光或电子束之照射及显影而形成阻剂图型，借由阻剂图型蚀刻下层膜等，借由经图型化之下层膜加工半导体基板，制造半导体设备。

4. 发明专利

TWI640834B 含有具內酯構造之聚合物的電子線阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具内酯构造之聚合物的电子线阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI640834B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103143889
申请日：2014-12-16
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08L33/08 , C08K5/13 , H01L21/027

5. 发明专利

TW201829670A 使用溶劑取代法之阻劑圖型塗佈用組成物之製造方法审中-公开
简体标题：使用溶剂取代法之阻剂图型涂布用组成物之制造方法
公开(公告)号：TW201829670A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106134159
申请日：2017-10-03
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C09D183/04 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： [課題] 提供用以於溶劑顯影微影術製程中塗佈於經圖型化之阻劑膜上而使圖型反轉之塗佈用組成物之製造方法。　　[解決手段] 一種塗佈於經圖型化之阻劑膜的組成物之製造方法，其包含將水解性矽烷於非醇系親水性溶劑中水解並縮合而得到水解縮合物之步驟(A)、對於該水解縮合物將其非醇系親水性溶劑進行溶劑取代為疏水性溶劑之步驟(B)。一種半導體裝置之製造方法，其包含於基板上塗佈阻劑組成物而形成阻劑膜之步驟(1)、將該阻劑膜曝光與顯影之步驟(2)、於步驟(2)之顯影中或顯影後所得到的經圖型化之阻劑膜塗佈藉由上述之製造方法所得到之組成物，於圖型間形成塗膜之步驟(3)、將經圖型化之阻劑膜蝕刻去除而使圖型反轉之步驟(4)。一種製造方法，其中曝光係使用ArF雷射(波長193nm)或EUV(波長13.5nm)來進行。一種製造方法，其中顯影為以有機溶劑所進行之負型顯影。
简体摘要： [课题] 提供用以于溶剂显影微影术制程中涂布于经图型化之阻剂膜上而使图型反转之涂布用组成物之制造方法。　　[解决手段] 一种涂布于经图型化之阻剂膜的组成物之制造方法，其包含将水解性硅烷于非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而得到水解缩合物之步骤(A)、对于该水解缩合物将其非醇系亲水性溶剂进行溶剂取代为疏水性溶剂之步骤(B)。一种半导体设备之制造方法，其包含于基板上涂布阻剂组成物而形成阻剂膜之步骤(1)、将该阻剂膜曝光与显影之步骤(2)、于步骤(2)之显影中或显影后所得到的经图型化之阻剂膜涂布借由上述之制造方法所得到之组成物，于图型间形成涂膜之步骤(3)、将经图型化之阻剂膜蚀刻去除而使图型反转之步骤(4)。一种制造方法，其中曝光系使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)来进行。一种制造方法，其中显影为以有机溶剂所进行之负型显影。

6. 发明专利

TWI688834B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI688834B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW104127175
申请日：2015-08-20
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 若山浩之 , WAKAYAMA, HIROYUKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027

7. 发明专利

TWI651017B 表面粗化方法有权
公开(公告)号：TWI651017B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104110079
申请日：2015-03-27
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： H05B33/10 , H05B33/02 , H01L51/50 , B05D7/24 , B05D3/10

8. 发明专利

TW201829660A 光阻圖型被覆用水溶液及使用其之圖型形成方法审中-公开
简体标题：光阻图型被覆用水溶液及使用其之图型形成方法
公开(公告)号：TW201829660A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106135601
申请日：2017-10-18
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C09D105/16 , C09D7/12 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明係關於一種新穎的光阻圖型被覆用水溶液。　　其為含有A成分：選自由α-環糊精、β-環糊精及γ-環糊精所成群的環糊精或前述環糊精之衍生物、B成分：以水為主成分的溶劑，及可任意含有C成分：含有下述式(2)所示有機磺酸或其鹽，對於水溶液全體100質量%而言，前述A成分之含有比例為0.1質量%至10質量%，前述有機磺酸或其鹽之含有比例對於前述A成分100質量%而言為0.01質量%至50質量%之光阻圖型被覆用水溶液。 (式中，R4表示烷基或者氟化烷基，或具有至少1個取代基之芳香族基，M+表示氫離子、銨離子、吡啶鎓離子或咪唑鎓離子)。
简体摘要：本发明系关于一种新颖的光阻图型被覆用水溶液。　　其为含有A成分：选自由α-环煳精、β-环煳精及γ-环煳精所成群的环煳精或前述环煳精之衍生物、B成分：以水为主成分的溶剂，及可任意含有C成分：含有下述式(2)所示有机磺酸或其盐，对于水溶液全体100质量%而言，前述A成分之含有比例为0.1质量%至10质量%，前述有机磺酸或其盐之含有比例对于前述A成分100质量%而言为0.01质量%至50质量%之光阻图型被覆用水溶液。 (式中，R4表示烷基或者氟化烷基，或具有至少1个取代基之芳香族基，M+表示氢离子、铵离子、吡啶鎓离子或咪唑鎓离子)。

9. 发明专利

TW201823282A 光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201823282A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106131738
申请日：2017-09-15
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08F220/36 , C08F220/22 , C08F220/18 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要：本發明之課題在於提供一種新穎的光阻下層膜形成組成物。　　本發明之解決手段為一種微影技術用光阻下層膜形成組成物，其係含有：具有以下述式(1)至式(3)所表示之結構單位之共聚物、交聯劑、有機酸觸媒以及溶劑。(式中，R1分別獨立地表示氫原子或甲基，R2表示碳原子數1至3的伸烷基，A表示保護基，R3表示具有4員環至7員環的內酯骨架、金剛烷骨架、三環癸烷骨架或降莰烷骨架之有機基，R4表示至少1個氫原子由氟基所取代且可具有至少1個羥基作為取代基之碳原子數1至12之直鏈狀、分枝鏈狀或環狀的有機基)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种新颖的光阻下层膜形成组成物。　　本发明之解决手段为一种微影技术用光阻下层膜形成组成物，其系含有：具有以下述式(1)至式(3)所表示之结构单位之共聚物、交联剂、有机酸触媒以及溶剂。(式中，R1分别独立地表示氢原子或甲基，R2表示碳原子数1至3的伸烷基，A表示保护基，R3表示具有4员环至7员环的内酯骨架、金刚烷骨架、三环癸烷骨架或降莰烷骨架之有机基，R4表示至少1个氢原子由氟基所取代且可具有至少1个羟基作为取代基之碳原子数1至12之直链状、分枝链状或环状的有机基)。

10. 发明专利

TW201821465A 光硬化性組成物以及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光硬化性组成物以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201821465A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106126533
申请日：2017-08-07
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：徳永光 , TOKUNAGA, HIKARU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08G59/14 , C08G59/68 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種光硬化性組成物，其對於圖型之填充性高，且用以於基板上形成可形成不發生熱收縮的塗膜之具有平坦性之被膜。　　上述光硬化性組成物含有包含至少一個光分解性含氮結構及/或光分解性含硫結構與烴結構之化合物及溶劑。於分子內具有一個以上之光分解性含氮結構及/或光分解性含硫結構之化合物。於同一分子內存在光分解性含氮結構及/或光分解性含硫結構與烴結構之化合物，或於不同分子間分別存在該結構之化合物之組合。烴結構係碳原子數1~40之飽和或不飽和，且係直鏈、分支或環狀之烴基。光分解性含氮結構含有藉由紫外線照射而產生之反應性含氮官能基或反應性含碳官能基，光分解性含硫結構係含有藉由紫外線照射而產生之有機硫自由基或碳自由基之結構。
简体摘要：本发明提供一种光硬化性组成物，其对于图型之填充性高，且用以于基板上形成可形成不发生热收缩的涂膜之具有平坦性之被膜。　　上述光硬化性组成物含有包含至少一个光分解性含氮结构及/或光分解性含硫结构与烃结构之化合物及溶剂。于分子内具有一个以上之光分解性含氮结构及/或光分解性含硫结构之化合物。于同一分子内存在光分解性含氮结构及/或光分解性含硫结构与烃结构之化合物，或于不同分子间分别存在该结构之化合物之组合。烃结构系碳原子数1~40之饱和或不饱和，且系直链、分支或环状之烃基。光分解性含氮结构含有借由紫外线照射而产生之反应性含氮官能基或反应性含碳官能基，光分解性含硫结构系含有借由紫外线照射而产生之有机硫自由基或碳自由基之结构。

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