会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明专利
    • 圖型反轉用之被覆組成物
    • 图型反转用之被覆组成物
    • TW201823390A
    • 2018-07-01
    • TW106134160
    • 2017-10-03
    • 日商日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 谷口博昭YAGUCHI, HIROAKI中島誠NAKAJIMA, MAKOTO遠藤勇樹ENDO, YUKI柴山亘SHIBAYAMA, WATARU志垣修平SHIGAKI, SHUHEI
    • C09D183/06C08G77/38G03F7/16G03F7/40H01L21/027
    • 本發明之課題在於提供對於將已形成於被加工基板上之光阻圖型轉印至下層之有機下層膜之圖型,掩埋其之圖型間隙,並同時形成平坦膜之圖型反轉用被覆組成物。   其解決手段為一種被覆組成物,其係被覆在光阻圖型已轉印至下層而成之有機下層膜上之被覆組成物,該被覆組成物包含聚矽氧烷,該聚矽氧烷係在全矽烷中分子內具有4個水解性基之水解性矽烷成為50莫耳%至100莫耳%之比例之水解性矽烷之水解縮合物之矽醇基與醇反應而成者。水解性矽烷為下述式(1)中,以50莫耳%至100莫耳%之比例包含a為0之水解性矽烷,且以0莫耳%至50莫耳%之比例包含a為1至2之水解性矽烷者。醇為丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚或3-甲氧基丁醇。
    • 本发明之课题在于提供对于将已形成于被加工基板上之光阻图型转印至下层之有机下层膜之图型,掩埋其之图型间隙,并同时形成平坦膜之图型反转用被覆组成物。   其解决手段为一种被覆组成物,其系被覆在光阻图型已转印至下层而成之有机下层膜上之被覆组成物,该被覆组成物包含聚硅氧烷,该聚硅氧烷系在全硅烷中分子内具有4个水解性基之水解性硅烷成为50莫耳%至100莫耳%之比例之水解性硅烷之水解缩合物之硅醇基与醇反应而成者。水解性硅烷为下述式(1)中,以50莫耳%至100莫耳%之比例包含a为0之水解性硅烷,且以0莫耳%至50莫耳%之比例包含a为1至2之水解性硅烷者。醇为丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3-甲氧基丁醇。
    • 3. 发明专利
    • 包含經縮醛保護之矽醇基之聚矽氧烷組成物
    • 包含经缩醛保护之硅醇基之聚硅氧烷组成物
    • TW201821487A
    • 2018-06-16
    • TW106129273
    • 2017-08-29
    • 日商日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 遠藤勇樹ENDO, YUKI谷口博昭YAGUCHI, HIROAKI中島誠NAKAJIMA, MAKOTO
    • C08G77/38C09D183/04C09D7/12G03F7/004G03F7/075G03F7/038G03F7/40H01L21/027
    • 本發明的課題為提供可作為於被加工基板上形成平坦的膜而進行圖型反轉之被覆組成物或感光性組成物利用的含有經縮醛保護之聚矽氧烷的組成物。   其解決手段為一種被覆組成物或感光性組成物,其係含有由分子內具有2至4個水解性基之水解性矽烷的水解縮合物,將該縮合物所具有之矽醇基以縮醛保護所得到的聚矽氧烷之被覆組成物或感光性組成物,其中該水解縮合物,以Si-C鍵與矽原子鍵結之有機基,平均係以0≦(該有機基)/(Si)≦0.29之莫耳比比例存在。一種半導體裝置之製造方法,其包含於半導體基板上形成阻劑膜之步驟(A)、使前述阻劑膜曝光,曝光後將阻劑顯影而得到阻劑圖型之步驟(B)、於經圖型化之阻劑膜上塗佈本案之被覆用組成物以埋入聚矽氧烷之步驟(C)、使埋入後的該聚矽氧烷硬化後,蝕刻阻劑膜使圖型反轉之步驟(D)、使用聚矽氧烷膜將基板加工之步驟(E)。
    • 本发明的课题为提供可作为于被加工基板上形成平坦的膜而进行图型反转之被覆组成物或感光性组成物利用的含有经缩醛保护之聚硅氧烷的组成物。   其解决手段为一种被覆组成物或感光性组成物,其系含有由分子内具有2至4个水解性基之水解性硅烷的水解缩合物,将该缩合物所具有之硅醇基以缩醛保护所得到的聚硅氧烷之被覆组成物或感光性组成物,其中该水解缩合物,以Si-C键与硅原子键结之有机基,平均系以0≦(该有机基)/(Si)≦0.29之莫耳比比例存在。一种半导体设备之制造方法,其包含于半导体基板上形成阻剂膜之步骤(A)、使前述阻剂膜曝光,曝光后将阻剂显影而得到阻剂图型之步骤(B)、于经图型化之阻剂膜上涂布本案之被覆用组成物以埋入聚硅氧烷之步骤(C)、使埋入后的该聚硅氧烷硬化后,蚀刻阻剂膜使图型反转之步骤(D)、使用聚硅氧烷膜将基板加工之步骤(E)。
    • 6. 发明专利
    • 環氧系反應性稀釋劑及含有其之環氧樹脂組合物
    • 环氧系反应性稀释剂及含有其之环氧树脂组合物
    • TW201731830A
    • 2017-09-16
    • TW105133548
    • 2016-10-18
    • 日產化學工業有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 上田祐揮UEDA, YUKI遠藤勇樹ENDO, YUKI諏訪剛史SUWA, TAKESHI
    • C07D303/16C08G59/18C08K5/1515C08L63/00
    • C07D303/16C08G59/18C08K5/1515C08L63/00
    • 本發明提供一種含有儘可能不使硬化物之耐熱性或硬化性等物性降低、進而可賦予降低介電常數之效果之低揮發性之環氧樹脂用反應性稀釋劑的環氧樹脂組合物。 本發明係一種含有式[1]所表示之至少一種環氧化合物及環氧樹脂之環氧樹脂組合物、以及含有該樹脂組合物與硬化劑或酸產生劑之硬化性組合物。 [化1](式中,R1及R2表示碳原子數2至27之烷基、R3表示氫原子或碳原子數1至25之烷基,其中,-CR1R2R3基之碳原子數之合計為10至30,X表示*-C(=O)O-、*-CH2O-或*-CH2OC(=O)-,L表示單鍵、或可包含醚鍵之碳原子數1至8之伸烷基,E表示式[2]或式[3]所表示之基) [化2](式中,R4至R15表示氫原子或碳原子數1至10之烷基)
    • 本发明提供一种含有尽可能不使硬化物之耐热性或硬化性等物性降低、进而可赋予降低介电常数之效果之低挥发性之环氧树脂用反应性稀释剂的环氧树脂组合物。 本发明系一种含有式[1]所表示之至少一种环氧化合物及环氧树脂之环氧树脂组合物、以及含有该树脂组合物与硬化剂或酸产生剂之硬化性组合物。 [化1](式中,R1及R2表示碳原子数2至27之烷基、R3表示氢原子或碳原子数1至25之烷基,其中,-CR1R2R3基之碳原子数之合计为10至30,X表示*-C(=O)O-、*-CH2O-或*-CH2OC(=O)-,L表示单键、或可包含醚键之碳原子数1至8之伸烷基,E表达式[2]或式[3]所表示之基) [化2](式中,R4至R15表示氢原子或碳原子数1至10之烷基)
    • 8. 发明专利
    • 多官能環氧化合物
    • 多官能环氧化合物
    • TW201302833A
    • 2013-01-16
    • TW101110142
    • 2012-03-23
    • 日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 遠藤勇樹ENDO, YUKI武山敏明TAKEYAMA, TOSHIAKI柳澤佐代子YANAGISAWA, SAYOKO
    • C08G59/20
    • G03F7/038C08G59/32C08L63/00
    • 本發明係欲提供一種低黏度且不僅熱硬化性且陽離子硬化性高之環氧樹脂組成物。本發明之環氧化合物,其係以下述式(1)所示; 〔式(1)中,A係表示(n4)價之碳原子數2~10的不飽和烴基、(n4)價之碳原子數4~20的環狀烴基、(n4)價之含氮環基、(n4)價之碳原子數3~10的鏈狀烴基、或組合其等之(n4)價的基,R1及R2分別獨立表示氫原子或碳原子數1~10之烷基,R3表示(n3+1)價之烴基,n1表示2之整數,n2表示1之整數,n3表示2~5之整數,n4表示2~8之整數,n5表示0或1之整數,n6表示0或1之整數〕。本發明之硬化性組成物,其係含有前述環氧化合物及酸產生劑或硬化劑。酸產生劑為光酸產生劑或熱酸產生劑,硬化劑為酸酐或胺。
    • 本发明系欲提供一种低黏度且不仅热硬化性且阳离子硬化性高之环氧树脂组成物。本发明之环氧化合物,其系以下述式(1)所示; 〔式(1)中,A系表示(n4)价之碳原子数2~10的不饱和烃基、(n4)价之碳原子数4~20的环状烃基、(n4)价之含氮环基、(n4)价之碳原子数3~10的链状烃基、或组合其等之(n4)价的基,R1及R2分别独立表示氢原子或碳原子数1~10之烷基,R3表示(n3+1)价之烃基,n1表示2之整数,n2表示1之整数,n3表示2~5之整数,n4表示2~8之整数,n5表示0或1之整数,n6表示0或1之整数〕。本发明之硬化性组成物,其系含有前述环氧化合物及酸产生剂或硬化剂。酸产生剂为光酸产生剂或热酸产生剂,硬化剂为酸酐或胺。