专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201826383A 選擇性的SiN側向凹部审中-公开
简体标题：选择性的SiN侧向凹部
公开(公告)号：TW201826383A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106134428
申请日：2017-10-06
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 黃嘉瑩 , HUANG, JIAYIN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 茵可尼汀 , INGLE, NITIN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
摘要：用於側向蝕刻氮化矽的示例性方法可包括：將含氟前驅物和含氧前驅物流入半導體處理腔室的遠端電漿區域內。所述方法可包括：在遠端電漿區域內形成電漿，以生成含氟前驅物和含氧前驅物的電漿流出物。所述方法還可包括：將電漿流出物流入半導體處理腔室的處理區域內。基板可被安置於處理區域內，且基板可包括溝槽，溝槽被形成穿過堆疊層，堆疊層包括交替的氮化矽層和氧化矽層。所述方法還可包括：在實質上維持氧化矽層的同時，從溝槽的側壁側向蝕刻氮化矽層。氮化矽層從溝槽的側壁被側向蝕刻小於10 nm。
简体摘要：用于侧向蚀刻氮化硅的示例性方法可包括：将含氟前驱物和含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子区域内。所述方法可包括：在远程等离子区域内形成等离子，以生成含氟前驱物和含氧前驱物的等离子流出物。所述方法还可包括：将等离子流出物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可被安置于处理区域内，且基板可包括沟槽，沟槽被形成穿过堆栈层，堆栈层包括交替的氮化硅层和氧化硅层。所述方法还可包括：在实质上维持氧化硅层的同时，从沟槽的侧壁侧向蚀刻氮化硅层。氮化硅层从沟槽的侧壁被侧向蚀刻小于10 nm。

2. 发明专利

TW201430944A 非原地的電漿氧化物蝕刻审中-公开
简体标题：非原地的等离子氧化物蚀刻
公开(公告)号：TW201430944A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102144423
申请日：2013-12-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 朴勝浩 , PARK, SEUNG HO , 柯羅立克米克海爾 , KOROLIK, MIKHAIL , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31122 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244
摘要：茲描述一種蝕刻異質結構上曝露的氧化鈦的方法，該方法包括由含氟前驅物形成的遠端電漿蝕刻。使來自遠端電漿的電漿流出物流入基板處理區域，其中該電漿流出物可以與含氮前驅物結合，該含氮前驅物例如含胺(N:)前驅物。藉此產生的反應物會在基板處於高溫時以高的氧化鈦選擇性蝕刻圖案化的異質結構。或者，氧化鈦蝕刻可能涉及供應含氟前驅物及含-氮-和-氫前驅物的來源到遠端電漿。可以使用該方法來去除氧化鈦，同時去除極少的或未去除低介電常數(K)介電質、多晶矽、氮化矽或氮化鈦。
简体摘要：兹描述一种蚀刻异质结构上曝露的氧化钛的方法，该方法包括由含氟前驱物形成的远程等离子蚀刻。使来自远程等离子的等离子流出物流入基板处理区域，其中该等离子流出物可以与含氮前驱物结合，该含氮前驱物例如含胺(N:)前驱物。借此产生的反应物会在基板处于高温时以高的氧化钛选择性蚀刻图案化的异质结构。或者，氧化钛蚀刻可能涉及供应含氟前驱物及含-氮-和-氢前驱物的来源到远程等离子。可以使用该方法来去除氧化钛，同时去除极少的或未去除低介电常数(K)介电质、多晶硅、氮化硅或氮化钛。

3. 发明专利

TW201903835A 無水的蝕刻方法审中-公开
简体标题：无水的蚀刻方法
公开(公告)号：TW201903835A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107117859
申请日：2018-05-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 徐霖 , XU, LIN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 茵可尼汀 , INGLE, NITIN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
摘要：示例性清潔或蝕刻方法可包括使含氟前驅物流入半導體處理腔室的遠端電漿區域中。方法可包括在遠端電漿區域內形成電漿，以產生含氟前驅物的電漿流出物。方法還可包括使電漿流出物流入半導體處理腔室的處理區域中。基板可位於處理區域內，且基板可包括曝露氧化物的區域和曝露金屬的區域。方法還可包括向處理區域提供含氫前驅物。方法可進一步包括移除曝露氧化物的至少一部分。
简体摘要：示例性清洁或蚀刻方法可包括使含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子区域中。方法可包括在远程等离子区域内形成等离子，以产生含氟前驱物的等离子流出物。方法还可包括使等离子流出物流入半导体处理腔室的处理区域中。基板可位于处理区域内，且基板可包括曝露氧化物的区域和曝露金属的区域。方法还可包括向处理区域提供含氢前驱物。方法可进一步包括移除曝露氧化物的至少一部分。

4. 发明专利

TW201826386A 用於高深寬比結構之移除方法审中-公开
简体标题：用于高深宽比结构之移除方法
公开(公告)号：TW201826386A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106138881
申请日：2017-11-10
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：徐霖 , XU, LIN , 陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 黃嘉瑩 , HUANG, JIAYIN , 王安川 , WANG, ANCHUAN
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：多種示範性清潔或蝕刻方法可包括，使含氟前驅物流進半導體處理腔室的遠端電漿區域。方法可包括，在該遠端電漿區域內形成電漿，以生成該含氟前驅物的電漿流出物。該等方法亦可包括，使該等電漿流出物流進該半導體處理腔室的處理區域。基板可定位在該處理區域內，且該基板可包括暴露氧化物之區域。方法亦可包括，提供含氫前驅物至該處理區域。該等方法可進一步包括，移除至少一部分的該暴露氧化物，同時將該處理區域內的相對溼度維持在低於約50%。在移除之後，該等方法可包括，將該處理區域內的該相對溼度增加至大於50%或約50%。該等方法可進一步包括，移除額外量的該暴露氧化物。
简体摘要：多种示范性清洁或蚀刻方法可包括，使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子区域。方法可包括，在该远程等离子区域内形成等离子，以生成该含氟前驱物的等离子流出物。该等方法亦可包括，使该等等离子流出物流进该半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在该处理区域内，且该基板可包括暴露氧化物之区域。方法亦可包括，提供含氢前驱物至该处理区域。该等方法可进一步包括，移除至少一部分的该暴露氧化物，同时将该处理区域内的相对湿度维持在低于约50%。在移除之后，该等方法可包括，将该处理区域内的该相对湿度增加至大于50%或约50%。该等方法可进一步包括，移除额外量的该暴露氧化物。

5. 发明专利

TWI618139B 矽－碳－氮化物之選擇性蝕刻有权
简体标题：硅－碳－氮化物之选择性蚀刻
公开(公告)号：TWI618139B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW102131730
申请日：2013-09-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 張景春 , ZHANG, JINGCHUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01L21/76802

6. 实用新型

TWM544519U 氧化物蝕刻選擇性系統有权
简体标题：氧化物蚀刻选择性系统
公开(公告)号：TWM544519U
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105211878
申请日：2016-08-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：徐霖 , XU, LIN , 陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/32715 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069

8. 发明专利

TWI520212B 選擇性氮化鈦蝕刻有权
简体标题：选择性氮化钛蚀刻
公开(公告)号：TWI520212B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102146153
申请日：2013-12-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉杰 , LIU, JIE , 張景春 , ZHANG, JINGCHUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 朴勝浩 , PARK, SEUNG HO , 陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU, CHING MEI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01J37/32357

9. 发明专利

TW201513215A 氮化矽的選擇性蝕刻审中-公开
简体标题：氮化硅的选择性蚀刻
公开(公告)号：TW201513215A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103126616
申请日：2014-08-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 李資慧 , LI, ZIHUI , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 茵可尼汀 , INGLE, NITIN , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02205 , H01J37/32357 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116
摘要：茲描述蝕刻經圖案化異質結構上之氮化矽的方法，且該方法包括由含氟前驅物及含氮及氧前驅物形成的遠端電漿蝕刻。來自兩種遠端電漿之電漿流出物被流入基板處理區，電漿流出物在基板處理區與氮化矽反應。電漿流出物與經圖案化異質結構反應，以選擇性地移除氮化矽，同時非常緩慢地移除矽，如多晶矽。氮化矽選擇性部分起因於使用相異的(但可能重疊的)電漿路徑導入含氟前驅物及含氮及氧前驅物，所述相異的電漿路徑可為串聯或並聯。
简体摘要：兹描述蚀刻经图案化异质结构上之氮化硅的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氮及氧前驱物形成的远程等离子蚀刻。来自两种远程等离子之等离子流出物被流入基板处理区，等离子流出物在基板处理区与氮化硅反应。等离子流出物与经图案化异质结构反应，以选择性地移除氮化硅，同时非常缓慢地移除硅，如多晶硅。氮化硅选择性部分起因于使用相异的(但可能重叠的)等离子路径导入含氟前驱物及含氮及氧前驱物，所述相异的等离子路径可为串联或并联。

10. 发明专利

TW201440138A 用於鹵化物驅氣的處理系統及方法审中-公开
简体标题：用于卤化物驱气的处理系统及方法
公开(公告)号：TW201440138A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103109119
申请日：2014-03-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王安川 , WANG, ANCHUAN , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 李資慧 , LI, ZIHUI , 浜名宏 , HAMANA, HIROSHI , 陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU, CHING-MEI , 黃嘉瑩 , HUANG, JIAYIN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DIMITRY , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR , 薩庫瑞希爾 , THAKUR, RANDHIR
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/324 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/263 , H01L21/2686 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67075 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L21/67703 , H01L21/67739 , H01L21/67742 , H01L21/6831
摘要：提供用於控制濕氣污染物造成之製程缺陷的系統、腔室及製程。系統可提供用於腔室之設置以在真空或受控環境中施行多項操作。腔室可包括組合腔室設計中之設置以提供附加處理功能。方法可提供對老化缺陷之限制、防止及修正，該等老化缺陷可由系統工具施行之蝕刻製程造成。
简体摘要：提供用于控制湿气污染物造成之制程缺陷的系统、腔室及制程。系统可提供用于腔室之设置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中之设置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷之限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行之蚀刻制程造成。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式